高压二极管新型生产工艺制造技术

高压二极管新型生产工艺，它涉及二极管的制造工艺，具体涉及高压二极管的生产工艺的改进。本发明专利技术是采用以下技术方案，高压二极管的生产工艺包含以下工艺步骤：１．硅片扩散；２．镀镍；３．合金；４．切断；５．硅块腐蚀；６．焊接；７．碱腐蚀；８．上胶；９．模压；１０．电镀；１１．测试。所述的步骤１硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本６０％。本发明专利技术中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本５０％，已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压二极管。本发明专利技术能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到５０％，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管的制造工艺，具体涉及高压二极管的生产工艺 的改进。
技术介绍
目前的高压二极管的制造过程中，所使用的硅片为区熔单晶片、 硅片扩散后采取表面镀镍后再镀金、铜引线采用表面镀银；这三种材 料因其制造工艺复杂、成本昂贵，导致高压二极管的原材料费用高、 价格高。中国专利200680047677.4公开了一种集成高压二极管及制 造方法，它主要提供了一种集成二极管的生产制造方法，利用这种方 法获得的高压集成二极管，成本高昂、市场价格难以下调，导致市场 占有率低下，难以占有大量市场份额。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高压二极管新型生产工艺，它能大大降 低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达到50%，可以大大降 低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为环保、节能做出了大量的贡献。为了解决
技术介绍
所存在的问题，本专利技术是采用以下技术方案，高压二极管的生产工艺包含以下工艺步骤1、硅片扩散；2、 镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、 上胶；9、模压；10、电镀；11、测试。所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本60%。所述的步骤2镀镍，采用表面镀镍扩散，采用表面镀镍扩散取代 面镀镍后镀金硅扩散片，可以降低本道工序成本50%。所述的步骤6焊接，采用裸铜引线焊接，采用裸铜引线焊接代替 镀银焊接，由于铜的成本比银的价格低很多，本道工序可以降低成本500/0。本专利技术中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本50%， 已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压 二极管。本专利技术能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达 到50%，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为 环保、节能做出了大量的贡献。 具体实施例方式本具体实施方式采用以下技术方案高压二极管的生产工艺包含 以下工艺步骤1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅 块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试。所述的步骤1硅片扩散采用直拉单晶片，采用直拉单晶片取代传统技术的区熔单晶片，可以降低本道工序成本60%。所述的步骤2镀镍，采用表面镀镍扩散，采用表面镀镍扩散取代 面镀镍后镀金硅扩散片，可以降低本道工序成本50%。所述的步骤6焊接，采用裸铜引线焊接，采用裸铜引线焊接代替 镀银焊接，由于铜的成本比银的价格低很多，本道工序可以降低成本 50%。本专利技术中高压二极管的生产过程中经过改进，整体降低成本50%， 已经完全克服技术上的难点，采用价格便宜的三种材料生产加工高压 二极管。本专利技术能大大降低高压二极管的生产成本，平均降低生产成本达 到50%，可以大大降低高压二级管的市场价格，快速占领市场；也为 环保、节能做出了大量的贡献。本文档来自技高网...

【技术保护点】
高压二极管新型生产工艺，它的生产工艺步骤为：１、硅片扩散；２、镀镍；３、合金；４、切断；５、硅块腐蚀；６、焊接；７、碱腐蚀；８、上胶；９、模压；１０、电镀；１１、测试；其特征在于所述的步骤１硅片扩散采用直拉单晶片。

【技术特征摘要】
1、高压二极管新型生产工艺，它的生产工艺步骤为1、硅片扩散；2、镀镍；3、合金；4、切断；5、硅块腐蚀；6、焊接；7、碱腐蚀；8、上胶；9、模压；10、电镀；11、测试；其特征在于所述的步骤1硅片扩散采用直...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：王志敏，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]