【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阻变式存储器制造，具体涉及一种单边非金属电极忆阻器及其制备方法。
技术介绍
1、忆阻器具有可连续调节的电阻状态，能够以突触权重的形式参与硬件神经网络的构建，是目前最受关注的一类电子突触器件。在拥有巨大应用前景的同时，忆阻器在科研转化过程中也面临着例如其工作电流较大、开关过程中均一性有待提升、忆阻器功能层内部形成的导电细丝渗透到底电极等诸多挑战。
2、然而，传统的忆阻器通常采用上下电极加中间功能层的三明治结构，即“金属-绝缘层-金属(mim)”结构。为了进一步提高忆阻器的性能，近年来出现的以石墨烯为代表的二维材料作为功能材料广泛应用于各个领域，如晶体管、电池、光伏发电等。石墨烯由于具有高载流子迁移率、结构稳定、导电能力强等特点，所以将其运用到忆阻器的研究中具有巨大的优势。
3、因此，本专利技术提供以石墨烯为原材料制造的一种单边非金属电极忆阻器及其制备方法解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种单边非金属电极忆阻器及其制备方法，旨在解决现有的忆...
【技术保护点】
1.一种单边非金属电极忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括基底、形成于所述基底上的底电极层、与所述底电极层相互垂直设置且具有交点的顶电极层以及夹设于所述底电极层和所述顶电极层之间的功能介质层，且所述顶电极层由石墨烯前体材料制成。
2.一种单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述单边非金属电极忆阻器的制造方法，具体包括：
3.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述基底由硅材料制成。
4.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述S1中对所述基底进行清洗和烘干，具体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种单边非金属电极忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括基底、形成于所述基底上的底电极层、与所述底电极层相互垂直设置且具有交点的顶电极层以及夹设于所述底电极层和所述顶电极层之间的功能介质层，且所述顶电极层由石墨烯前体材料制成。
2.一种单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述单边非金属电极忆阻器的制造方法，具体包括：
3.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述基底由硅材料制成。
4.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述s1中对所述基底进行清洗和烘干，具体包括：
5.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述底电极层由金属材料制成，所述金属材料为铂、金、钛、铜、银和镍中的任意一种；且所述底电极层的厚度为80nm-120nm。
6.如权利要求2所述的单边非金属电极忆阻器的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彤云，肖嘉薇，陈云，张子超，侯茂祥，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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