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本发明提供了一种单边非金属电极忆阻器，其包括基底、形成于所述基底上的底电极层、与所述底电极层相互垂直设置的顶电极层以及夹设于所述底电极层和所述顶电极层之间的功能介质层，且所述顶电极层由石墨烯前体材料制成。本发明通过石墨烯前体材料制造顶电极层...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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