化学机械抛光设备硅片清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光设备硅片清洗装置，涉及化学机械抛光设备技术领域。具有硅片定位托，硅片定位托固定在中心板上，中心板上设有硅片定位托起及复位装置，并设有硅片旋转装置。本发明专利技术很好解决了现有技术中长期存在且一直未解决的问题，采用此装置可以实现硅片的准确定位、可靠清洗及复位，使硅片得到高洁净度和高效的清洗效果，少报废，降低成本；用途广，适用于晶体管和集成电路生产的各工序中硅片的清洗，尤其适用于化学机械抛光后的硅片清洗，不仅可以大大提高硅片抛光片表面的洁净度，而且可以更好地服务于抛光后的终点检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光设备

技术介绍
在晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，处理不当，可能使全部硅片报废，做不出管子来，或者制造出来的器件性能低劣，稳定性和可靠性很差。因此研制出高洁净度、高效的硅片清洗方法，不管是对于从事硅片加工的人，还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。正是由于硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性，所以国内外对清洗工艺的研究一直在不断地进行。 化学机械抛光(CMP)是一种对半导体材料或是其它类型的材料的衬底进行全局平坦化或是抛光的方法。随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅片抛光片的表面质量要求越来越严格。这主要是因为抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率，在目前的集成电路生产中，由于硅片抛光片表面沾污问题，仍有50%以上的材料被损失掉。因此为了提高硅片抛光片表面的洁净度及更好的服务于抛光后的终点检测等工作急需更先进的硅片清洗技术。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光设备硅片清洗装置，其特征在于具有硅片定位托（１００），硅片定位托（１００）固定在中心板（１０５）上，中心板（１０５）上设有硅片定位托起及复位装置，并设有硅片旋转装置。

【技术特征摘要】
一种化学机械抛光设备硅片清洗装置，其特征在于具有硅片定位托(100)，硅片定位托(100)固定在中心板(105)上，中心板(105)上设有硅片定位托起及复位装置，并设有硅片旋转装置。2. 根据权利要求1所述的化学机械抛光设备硅片清洗装置，其特征在于所述的硅片定 位托起及复位装置的结构为中心板(105)上设有3个或3个以上向中心辐射状排列的条 形孔(101)，条形孔(101)中设有内边缘具有楔角的手指垫滑块(204)，内边缘具有楔角的 手指垫滑块(204)和拉钩(206)间为转动连接，各拉钩(206)均与转盘相绞联，转盘与动力 传动机构相连。3. 根据权利要求2所述的化学机械抛光设备硅片清洗装置，其特征在于所述的动力传 动机构为转盘本身为一大齿轮盘(108)，大齿轮...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文泉，王东辉，陈波，廖垂鑫，陈威，柳滨，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]