【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械抛光设备
技术介绍
集成电路(IC)是电子信息产业的核心，而用于IC制造的化学机械抛光(CMP， Chemical Mechanical Polishing)设备是半导体集成电路制造中的关键设备之一。CMP技 术被认为是能兼顾硅片表面粗糙度和表面平整化要求，获得无损伤表面的最佳工艺方法。 目前普遍认为，对于最小特征尺寸在0. 35 m及以下的器件，必须进行全局平坦化，而化学 机械抛光是作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术。要降低单 元制造成本，要求硅片的直径不断增大。同时，为了提高集成电路的集成度，要求硅片的刻 线宽度越来越细。硅片和芯片尺寸变化所导致的硅片加工量的增加以及对硅片加工精度、 表面粗糙度、表面缺陷、表面洁净度和硅片强度等要求，对硅片的加工工艺装备提出新的挑 战。 硅片定位装载是300mm硅片CMP设备上的关键技术之一。针对大直径硅片的抛光， 其定位装载系统关系到机械手能否将硅片放在装片台正确位置，抛光头与硅片装载预对准 程度以及硅片能否顺利地被吸附在抛光头上，所以硅片定位装载装置在硅片抛光过程中...
【技术保护点】
一种化学机械抛光设备硅片定位装片装置，其特征在于具有装载底盘（１０４），装载底盘（１０４）上固定有装载引导环（１０１），装载引导环（１０１）内设有第１斜倒角（１０９）和第２斜倒角（１１０）；装载底盘（１０４）上设有水压喷嘴，水压喷嘴与可装在第２斜倒角（１１０）上的硅片间具有间隙。
【技术特征摘要】
一种化学机械抛光设备硅片定位装片装置，其特征在于具有装载底盘(104)，装载底盘(104)上固定有装载引导环(101)，装载引导环(101)内设有第1斜倒角(109)和第2斜倒角(110)；装载底盘(104)上设有水压喷嘴，水压喷嘴与可装在第2斜倒角(110)上的硅片间具有间隙。2. 根据权利要求1所述的化学机械抛光设备硅片定位装片装置，其特征在于所述的水 压喷嘴具有中央喷嘴和外围喷嘴。3. 根据权利要求2所述的化学机械抛光设备硅片定位装片装置，其特征在于所述的中 央喷嘴的结构为设有中心轴式水管(201)，中心轴式水管(201)的外面和密封套(202)配 合，密封套(202)固定在装载底盘(104)上，中心轴式水管(201)的中心通孔205通过其底 部间隙和第l水管通道(107)连通...
【专利技术属性】
技术研发人员：高文泉，廖垂鑫，陈威，李伟，王伟，柳滨，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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