【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及操作该存储器装置的方法，并且更具体地，涉及与编程操作的执行相关的存储器装置和操作该存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器装置可以包括存储数据的存储器单元阵列、被配置为执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路、以及被配置为控制外围电路的控制电路。
2、存储器单元阵列可以包括多个存储块，多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维结构的存储器装置可以包括层叠在基板上的存储器单元。例如，在具有三维结构的存储器装置中，存储块可以包括从基板起沿垂直方向延伸的多个串，并且多个串中的每一个可以包括多个存储器单元。
3、在多个存储块当中的被选存储块的编程操作期间，可以对包括于被选存储块中的多个串当中的被选串中所包括的存储器单元进行编程。在对被选存储器单元进行编程时，需要禁止对未选串中所包括的存储器单元进行编程。未选串可以是包括要保持处于擦除状态的存储器单元或完成编程的存储器单元的串。在编程操作期间，为了防止或减轻未选串中所包括的未选存储器单元的阈值电压增加，可以将未选串的沟道...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述导通电压被设置为高于所述存储器单元的阈值电压的正电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压，然后在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压，然后在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二时间被...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述导通电压被设置为高于所述存储器单元的阈值电压的正电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压，然后在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述第二时间期间向所述第一选择线施加所述负电压，然后在所述第一时间期间向所述第一选择线施加所述导通电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二时间被设置为比所述第一时间长。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二时间被设置为是所述第一时间的至少两倍长。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述第二选择晶体管的栅极的第二选择线施加所述导通电压或所述负电压。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压或所述负电压的同时，向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加0v电压和低于0v的负电压中的一种。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，向所述字线施加的所述负电压等于向所述第一选择线施加的所述负电压。
11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，向所述字线施加的所述负电压被设置为在向所述第一选择线施加的所述负电压与0v电压之间的电压。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在向所述第一选择线施加所述导通电压的同时向连接到所述存储器单元的栅极的字线施加通过电压，以及在向所述第一选择线施加所述负电压的同时向所述字线施加0v电压和所述负电压中的一种。
13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述位线是未选位线时，在对所述沟道层进行预充电的同时向所述位线施加所述预充电电压。
14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在所述位线是被选位线时，在对所述沟道层进行预充电的同时向所述位线施加0v电压。
15.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生器在对所述沟道层进行预充电之后向所述第一选择线施加0v电压。
16.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述预充电电压被生成为高于0v的正电压。
17.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
18.根据权利要求17所...
【专利技术属性】
技术研发人员：许惠银，刘泫昇，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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