使用薄膜感测部件的化学传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及一种包括传感部件的化学传感器，该传感器部件具有 相对大面积和在上电极使用的纳米结构(例如，纳米线)。
技术介绍
已经进行通过测量人的呼吸中的化合物的成份来诊断疾病的研究。例如，在肺癌患者和乳腺癌患者的情况下，与健康人不同，大约10种挥发性有机化合物在呼吸时^^皮释放。因此，分析挥发性有机化合物的组份的化学传感器可 被用于检测疾病。现有的化学传感器可使用化合物的下述特性测量化合物的挥发性有机化合物(voc)可能相对稳定，因此，会难以使用电方法分 析其组份。可使用气相色谱(GC)来分析VOC,但是，传感器可能相对大 并且昂贵。使用半导体的传感器具有一些优点。例如，使用半导体的传感器可能相 对便宜，以及可实时执行检测。另外，使用半导体的传感器可相对小。但是， 与使用半导体的传感器有关的检测灵敏度会相对低，并且会难以检测稳定材料，例如，voc。已提出使用导电聚合物的voc测量传感器。当导电聚合物吸附voc时， 由于各种原因(例如，导电聚合物的膨胀)导致导电聚合物的功函数变化， 从而可通过测量导电聚合物的功函数的变化来检测voc。但是，使用导电聚合物的传感器也难以达到几个ppm的检测能力。所述难度的原因在于，感测 通道的体积过大以至于无法检测根据吸附的材料的小的电改变。
技术实现思路
示例性实施例包括一种化学传感器，该化学传感器具有通过使用具有大 的感测面积的薄膜感测部件而增加的检测灵敏度。示例性实施例还公开了 一 种化学传感器阵列。根据示例性实施例， 一种化学传感器可包括第一电极，在基底上；感 测部件，在基底上覆盖第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴 露感测部件的表面。根据示例性实施例，化学传感器可被构造为测量当将被 感测的化合物吸附在感测部件上时电特性的变化。根据示例性实施例， 一种化学传感器阵列可包括在基底上以阵列形式布 置的多个上述的化学传感器。根据示例性实施例，化学传感器的感测部件可 被构造为检测相互不同的化合物。附图说明通过下面结合附图对示例性实施例进行的描述，这些和/或其他方面将会变得清楚和更易于理解，其中图1是才艮据示例性实施例的化学传感器结构的示意透视图2是根据示例性实施例的图1的化学传感器的平面图3是根据示例性实施例的化学传感器阵列的排列的示意平面图4是根据示例性实施例的化学传感器的示意平面图5是根据示例性实施例的化学传感器的示意平面图6是根据示例性实施例的化学传感器的示意平面图7A至图7C是根据示例性实施例的用于描述制造图1的化学传感器的方法的透^L图。具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述示例性实施例，在附图中示出了示例性实 施例。然而，示例性实施例可以以许多不同的形式来实施，且不应该解释为 局限于在这里所阐述的示例性实施例。相反，^提供这些示例性实施例使得本 公开将是彻底和完全的，并将示例性实施例的范围充分地传达给本领域技术 人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大组件的大小。应该理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层上、连接到或 结合到，，另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接 连接或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元 件被称作直接，，在另一元件上、直接连接到，，或直接结合到另一 元件或层时，不存在中间元件或中间层。如在这里使用的，术语和/或包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、 组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该 受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分 与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例性实 施例的教导的情况下，下面讨-沦的第一元件、组件、区域、层或部分可被称 作第二元件、组件、区域、层或部分。在这里可使用空间相对术语，如在…之下、在…下方、下面的、 在…上方、上面的，，等，用来描述如在图中所示的一个元件或特征与其 它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中 描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装 置被翻转，则描述为在，，其它元件或特征下方或之下的元件随后 将被定位为在其它元件或特征上方。因而，术语在…下方可包括在…上方和在…下方两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度 或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。在此描述的实施例通过理想示意图的方式参照平面图和/或剖面图进行。 因此，根据制造技术和/或公差可修改示图。因此，示例性实施例不应该^v^ 限于在此示出的示图，而包括基于制造工艺导致的构造上的修改。因此，在 图中示出的区域具有示意性属性，并且在图中示出的区域的形状示意性示出 元件的形状和区域，而不限于示例性实施例。现在对附图中示出的示例性实施例进行详细的描述，其中，相同的标号 始终表示相同部件。在这点上，示例性实施例可具有不同形状，并且不应解 释为限于在此阐述的描述。因此，下面通过参照附图^f叉对示例性实施例进行 描述以解释本专利技术的各方面。图1是根据示例性实施例的化学传感器的IOO的示意透视图。参照图1， 第一纳米线120可相互平行地设置在基底100上。第二纳米线MO可在第一 纳米线120之上^皮设置为相互平行，从而与第一纳米线120交叉。如图1所 示，第二纳米线140可与第一纳米线120分离。感测部件130可覆盖第一纳 米线120,并且可形成在第一纳米线120与第二纳米线140之间。第一纳米线120和第二纳米线140中的每一个可具有大约10nm至大约 lOiim的宽度，并且可由金属，例如，铝、钴、金或铂形成。但是，示例性实施例不限于此。例如，第一纳米线120和第二纳米线140可由碳纳米管或图 案化的石墨烯形成。第一纳米线120之间的间隙Gl与第二纳米线140之间的间隙G2可为大 约10nm至大约l(Vm。另外，可形成感测部件130以提供第一纳米线120与 第二纳米线140之间的大约10nm至大约lpm的间隙G3。可将第一纳米线 120和第二纳米线140称为第一电极和第二电极。感测部件130可由金属氧化物、导电聚合物或绝缘聚合物形成。金属氧 化物可是Sn02、 Ti02、 ZnO、 W03和Fe203中的一种。导电聚合物和绝缘聚 合物可浸渍(impregnate)有碳纳米管、石墨烯或纳米线。导电聚合物由聚苯胺(polyaniline )、聚吡咯(polypyrrole )、聚噻吩 (polythiophene )、聚(乙晞-共-乙蜂基乙酸酯)(Poly(ethylene-co-vinyl acetate))、聚(苯乙烯-共-丁二烯)(Poly(styrene-co-butadiene))、聚(9-乙烯 基啼唑)(Poly(9-vinylcarbazole))、 聚(吡咯)/1- 丁烷磺酸酯 (Poly(pyrrole)/l-butanesulfonate， BSA )或聚(联噻吩)/四丁基铵四氟硼酸 盐(Poly(bithiophene)/tetrabutylammonium tetrafluoroborate， TBATFB )开j成。 绝缘聚合物可浸渍有导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学传感器，包括：　第一电极，在基底上；　感测部件，覆盖基底上的第一电极；　多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面；　其中，所述化学传感器被构造为当将被感测的化合物吸附在感测部件上时测量电特性的变化 。

【技术特征摘要】
KR 2008-9-26 10-2008-00947411、一种化学传感器，包括第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面；其中，所述化学传感器被构造为当将被感测的化合物吸附在感测部件上时测量电特性的变化。2、 根据权利要求1所述的化学传感器，其中，所述多个第二电极的每个 具有10nm至10pm的宽度。3、 根据权利要求1所述的化学传感器，其中，第一电极与所述多个第二 电极之间的间隙是10nm至lpm。4、 根据权利要求1所述的化学传感器，其中，第一电极包括多个纳米线， 所述多个第二电极中的每一个第二电极包括纳米线。5、 根据权利要求4所述的化学传感器，其中，所述多个第二电极与第一 电极交叉。6、 根据权利要求4所述的化学传感器，其中，第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪起夏，崔赫洵，金钟燮，申在光，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]