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基于钯-纳米二氧化锡薄膜状电极的室温氢气传感器制造技术

技术编号:4104037 阅读:322 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种微型氢气传感器,具体涉及氢气传感器中钯-纳米二氧化锡薄膜状电极的制备与性能检测,是以氧化铝做底片,采用无电极电解的方法将钯和纳米二氧化锡沉积到底片上作为氢敏材料,本发明专利技术提供一种钯-纳米二氧化锡薄膜状电极的制备方法,作为氢敏材料,更好地提高氢气传感器的性能,纳米二氧化锡材料的研发和应用有助于提高二氧化锡氢气传感器的性能,将二氧化锡掺入钯等贵金属可以提高灵敏度、减少响应时间,还可以降低操作温度,本发明专利技术响应时间较短,稳定性和重复性都较好,特别适合于室温检测,而且传感器尺寸微小,加工成本低,便于微型化,集成化和产业化,基底载体的陶瓷片还可以回收利用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微型氢气传感器,具体涉及氢气传感器中钯-纳米二氧化锡薄膜 状电极的制备与性能检测。
技术介绍
氢气是一种理想的新型能源,受到人们青睐,广泛应用于各种工、农业场合,但氢 气同时又是易燃易爆的气体,与空气混合易发生爆炸,因此对氢气传感器的研究迫在眉睫。 氢气传感器主要应用于氢气浓度的检测,混合气体的分离以及气体过滤等方面的氢气检漏。目前关于氢敏材料的研究有很多,如二氧化锡、金属钯等。二氧化锡是一种重要的 半导体型氢敏材料,但其缺乏气体选择性且需要较高操作温度(250-600°C)以获得足够的 灵敏度。金属钯因能与氢气发生可逆反应备受关注,但由于纯钯薄膜对氢气具有强烈的吸 附能力,尤其当氢气浓度高时,就会失去对氢气的传感性能;而且钯膜容易发生氢脆薄膜脱 落现象,所以,对氢敏材料的研究仍在继续,氢气传感器的更优性能还有待改进和挖掘。
技术实现思路
针对现有技术在不足,本专利技术提供一种钯_纳米二氧化锡薄膜状电极的制备方 法,作为氢敏材料,更好地提高氢气传感器的性能,纳米二氧化锡材料的研发和应用有助于 提高二氧化锡氢气传感器的性能;将二氧化锡掺入钯等贵金属可以提高灵敏度、减少响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氢气传感器中的钯-纳米二氧化锡薄膜状电极制备方法,其特征是以氧化铝做底片,采用无电极电解的方法将钯和纳米二氧化锡沉积到底片上作为氢敏材料,步骤如下:  1)纳米二氧化锡的制备:使用水热法合成纳米二氧化锡,将二水合氯化亚锡加入到乙醇溶液中,调节pH到11,将得到的悬浊液搅拌1小时后,在120℃下加热6小时,离心并在50℃干燥过夜后得到淡黄色二氧化锡;  2)氧化铝陶瓷片的预处理:用王水浸泡清洗后,再用去离子水超声波振荡清洗1分钟,最后在高温炉中500-600℃灼烧2小时左右,将洁净的陶瓷片分别浸泡在新鲜配制的氯化亚锡溶液(30 g/L)和银氨溶液(10 g/L)中各10分钟,活化其表面;  ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王敏温旭光蒋建中王岑
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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