一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构及其真空钎焊工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构及其真空钎焊工艺，水冷板结构包括无氧铜方腔零件，无氧铜方腔零件内具有中空的冷却流通腔室，冷却流通腔室内固定有多片U形铜片，无氧铜方腔零件底部和顶部各具有一个盖板连接容纳槽，无氧铜方腔零件底部和顶部的盖板连接容纳槽中分别固定有密封下盖板和密封上盖板；无氧铜方腔零件侧面具有与冷却流通腔室相连通的冷却进水孔和冷却出水孔；水冷板结构焊接过程中由定位工装进行装夹定位；将无氧铜盖板零件、无氧铜方腔零件及U形铜片一次性装配，并在真空炉中进行真空钎焊，减少了传统U形水路的成型及焊接时的不稳定因素，提高了产品的均匀一致性，为冷却系统提供可靠的散热能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空钎焊，具体为一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构及其真空钎焊工艺。

技术介绍

1、半导体化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)是一种常用的制备薄膜的技术。在cvd过程中，需要控制反应室内的温度以及材料的冷却。这时，通常使用水冷板(water cooling plate)来实现薄膜反应室的冷却。

2、水冷板是一种用于传热的装置，其中使用水作为冷却介质。它通常由金属制成(如铜或铝)，具有内部的流道和通道，用于引导冷水流经。这种冷水流通过和反应室壁面接触，吸收其余热量，然后通过外部水冷系统进行散热。通过水冷板，可以控制反应室内的温度，确保反应条件的稳定性，提高薄膜沉积的均匀性和质量。此外，水冷板还能够提高反应速率，增加沉积效率。

3、水冷板结构的均匀稳定性直接影响着其散热传到效果，目前在制备水冷板结构的过程中，容易被一些不稳定因素影响到造成整体结构在使用过程中热传导不均匀。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体用cvd纵翅片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构，其特征在于，所述水冷板结构包括无氧铜方腔零件(10)，所述无氧铜方腔零件(10)内具有中空的冷却流通腔室(101)，所述冷却流通腔室(101)内固定有多片U形铜片(11)，所述无氧铜方腔零件(10)底部和顶部各具有一个与所述冷却流通腔室(101)相连通的盖板连接容纳槽(102)，所述无氧铜方腔零件(10)底部和顶部的所述盖板连接容纳槽(102)中分别固定有密封下盖板(121)和密封上盖板(122)；

2.如权利要求1所述的一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种...

【技术特征摘要】

1.一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构，其特征在于，所述水冷板结构包括无氧铜方腔零件(10)，所述无氧铜方腔零件(10)内具有中空的冷却流通腔室(101)，所述冷却流通腔室(101)内固定有多片u形铜片(11)，所述无氧铜方腔零件(10)底部和顶部各具有一个与所述冷却流通腔室(101)相连通的盖板连接容纳槽(102)，所述无氧铜方腔零件(10)底部和顶部的所述盖板连接容纳槽(102)中分别固定有密封下盖板(121)和密封上盖板(122)；

2.如权利要求1所述的一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于，步骤s5中具体焊接过程为：开启钎焊炉，待钎焊炉内温度达到350℃后，保温35min；

4.根据权利要求1所述的一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于，步骤s6中具体冷却过程为：关闭钎焊炉，使焊接完毕的水冷板结构随炉一起冷却，待钎焊炉内温度降至600℃后，向钎焊炉内充入氩气或氮气；

5.根据权利要求2所述的一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于，所述定位工装(20)包括两个定位支撑筒(21)，所述定位支撑筒(21)侧壁上具有多个沿其径向贯通的紧固滑块容纳孔(211)，所述紧固滑块容纳孔(211)内滑动连接有紧固约束滑块(22)；

6.根据权利要求5所述的一种半导体用cvd纵翅片水冷板结构的真空钎焊工艺，其特征在于，所述定位支撑筒(21)内设有间隙保持机构(30)，所述间隙保持机构(...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锦慧，杨平，樊龙辉，张澳国，卞林，
申请(专利权)人：陕西斯瑞新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：