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本发明公开了一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构及其真空钎焊工艺,水冷板结构包括无氧铜方腔零件,无氧铜方腔零件内具有中空的冷却流通腔室,冷却流通腔室内固定有多片U形铜片,无氧铜方腔零件底部和顶部各具有一个盖板连接容纳槽,无氧铜方腔零件底部和顶...该专利属于陕西斯瑞新材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过陕西斯瑞新材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体用CVD纵翅片水冷板结构及其真空钎焊工艺,水冷板结构包括无氧铜方腔零件,无氧铜方腔零件内具有中空的冷却流通腔室,冷却流通腔室内固定有多片U形铜片,无氧铜方腔零件底部和顶部各具有一个盖板连接容纳槽,无氧铜方腔零件底部和顶...