一种气相沉积气体喷头结构制造技术

本发明专利技术涉及一种气相沉积气体喷头结构，包括反应腔室1、加热器2和喷头3，加热器2和喷头3位于反应腔室1并且相互配合作用，还具有与喷头3相配合的热交换机构4，加热器2位于反应腔室1中且置于喷头3的下方，热交换机构4与喷头3连接，即冷却剂能够通过管路在热交换机构4与喷头3之间循环。本申请技术方案结构合理，能够有效提高喷头的喷淋效果，同时便于长期使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种喷头结构，尤其涉及一种气相沉积气体喷头结构。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，经常需要利用化学气相沉积的方法形成膜层，例如氧化硅层、氮化硅层等介质层。

2、cvd工艺常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压cvd(lpcvd)，常压cvd(apcvd)，次压cvd(sacvd)，超高真空cvd(uhcvd)，等离子体增强cvd(pecvd)，高密度等离子体cvd(hdpcvd)以及快热cvd(rtcvd)。

3、cvd通常是在反应腔室内进行，首先将包括器件层的晶片放置于反应腔内的基台上，通入反应气体，反应气体被解离成原子、离子，或原子团沉积在晶片表面，然后经由晶粒生长、晶粒聚结，缝道填补等步骤，晶片表面被膜层覆盖，通过控制反应时间，反应温度，气体流速等便可以沉积不同厚度的薄膜。

4、cvd工艺中，温度对于沉积薄膜的质量有相当重要的影响，特别是sacvd工艺，是在高温(大于480℃)高压(100-600torr)条件下反应，其能量来自于加热器产生的热量。

5、然而，现有的cvd工艺中由于加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气相沉积气体喷头结构，

2.根据权利要求1所述的一种气相沉积气体喷头结构，其特征在于：管路段（5）包括进气管路（9）和定位托盘（10），进气管路（9）与定位托盘（10）相互连接且定位托盘（10）位于进气管路（9）的下方，进气管路（9）的管身由上至下沿周向均匀开设有喷气通孔组（11），反应气体能够进入进气管路（9），并从喷气通孔组（11）喷出，喷口段（6）套装设置在管路段（5）上实现安装设置。

3.根据权利要求2所述的一种气相沉积气体喷头结构，其特征在于：喷口段（6）具有中空柱形结构的喷气管主体（12），喷气管主体（12）穿套设置在进气管路（9）上并通过定位...

【技术特征摘要】

1.一种气相沉积气体喷头结构，

2.根据权利要求1所述的一种气相沉积气体喷头结构，其特征在于：管路段（5）包括进气管路（9）和定位托盘（10），进气管路（9）与定位托盘（10）相互连接且定位托盘（10）位于进气管路（9）的下方，进气管路（9）的管身由上至下沿周向均匀开设有喷气通孔组（11），反应气体能够进入进气管路（9），并从喷气通孔组（11）喷出，喷口段（6）套装设置在管路段（5）上实现安装设置。

3.根据权利要求2所述的一种气相沉积气体喷头结构，其特征在于：喷口段（6）具有中空柱形结构的喷气管主体（12），喷气管主体（12）穿套设置在进气管路（9）上并通过定位托盘（10）实现位置固定，喷气管主体（12）的内腔中由上至下间隔分布有若干个与喷气通孔组（11）连通的喷气隔层（13），喷口段（6）的外周具有与喷气隔层（13）相连通的环形喷气栅格板（14），即反应气体能够经由进气管路（9）、喷气通孔组（11）到达喷气隔层（13），并从环形喷气栅格板（14）喷出，冷却段（7）穿套设置在管路段（5）上，并通过喷口段（6）实现定位。

4.根据权利要求3所述的一种气相沉积气体喷头结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺婷婷，陶岳雨，陶近翁，邱立功，王凡，
申请(专利权)人：上海卡贝尼精密陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：