System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41373986 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-20 10:18
一种半导体装置,具有:设置于基板的第1面的第1及第2电源线和第1及第2接地线、以及设置于基板的第2面的第3及第4电源线。第2电源线和第3电源线经由设置在基板的通孔连接。半导体装置具有夹着第3区域配置的第1及第2区域、以及具有连接在第3及第4电源线之间的开关晶体管的电源开关电路。由此,能够使用基板的背面的设置有电源布线网的布线的布线层来适当地配置电源开关。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置。本申请主张基于2021年9月30日申请的美国临时申请第63/261,847号的优先权,并引用了上述申请中所记载的全部内容。


技术介绍

1、在sram(static random access memory,静态随机存取存储器)中,在比特单元区域和周边电路区域电源布线的配置不同的情况下,有时为了在俯视下确保比特单元区域和周边电路区域的间隔而设置分离区域。在半导体基板嵌入电源布线的bpr(buried powerrail)的技术为人所知。为了切换向内部电路的虚拟电源线的电源电压的供给和切断,已知有在电源线和虚拟电源线之间设置电源开关电路的技术。已知有在半导体基板的背面设置电源布线网,经由贯通半导体基板的背面和表面的通孔供给电源电压的bs-pdn(backside-power delivery network,背侧电源输送网络)的技术。已知在布线层设置切换电源电压的供给和切断的晶体管的技术。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、[专利文献1]美国专利第10446224号说明书

5、[专利文献2]美国专利第8670265号说明书

6、[专利文献3]美国专利申请公开第2020/0135718号说明书

7、[专利文献4]美国专利申请公开第2018/0151494号说明书

8、[专利文献5]美国专利第2005/0212018号说明书

9、[专利文献6]美国专利第10170413号说明书

10、[专利文献7]国际公开第2021/070366号

11、[专利文献8]国际公开第2021/070367号

12、[专利文献9]国际公开第2021/079511号

13、[专利文献10]国际公开第2021/111604号


技术实现思路

1、【专利技术所要解决的课题】

2、在使用设置有bs-pdn布线的布线层形成晶体管的情况下,没有进行如何配置电源开关电路的详细的技术研究。

3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,使用基板的背面的设置有电源布线网的布线的布线层,将电源开关适当地配置在半导体装置上。

4、【解决课题的手段】

5、本专利技术的一个方式中,半导体装置,具有:具有第1面和与所述第1面相对的第2面的基板;设置在所述第1面的第1电源线;设置在所述第1面的第1接地线;具有所述第1电源线和所述第1接地线的第1区域;设置在所述第1面的第2电源线;设置在所述第1面的第2接地线;设置在所述第2面的第3电源线;设置在所述第2面的第4电源线;将所述第2电源线与所述第3电源线电连接,设置在所述基板上的通孔;具有所述第2电源线和所述第2接地线的第2区域;俯视下位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域;以及第1电源开关电路,在所述基板的所述第2面侧具有电连接在所述第3电源线与所述第4电源线之间的第1开关晶体管。

6、【专利技术的效果】

7、根据所公开的技术,能够使用基板的背面的设置有电源布线网的布线的布线层来在半导体装置适当地配置电源开关。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

10.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:冈本淳王文桢武野纮宜
申请(专利权)人:株式会社索思未来
类型:发明
国别省市:

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