半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具有位于周边电路区域和比特单元区域与周边电路区域和比特单元区域之间的分离区域。周边电路区域用的第1电源开关电路，与第1电源线和在基板设置的第2电源线及第1接地线连接，并将第1电源线与第2电源线连接。比特单元区域用的第2电源开关电路，与第3电源线、第4电源线和在所述基板设置的第2接地线连接，并将第3电源线与第4电源线连接。由此，能在具有设置在基板上的电源线和接地线的SRAM中适当地配置电源开关电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置。本申请主张基于2021年9月30日申请的美国临时申请第63/261,845号的优先权，并引用了上述申请中所记载的全部内容。

技术介绍

1、在sram(static random access memory,静态随机存取存储器)中，在比特单元(bit cell)区域和周边电路区域电源布线的配置不同的情况下，有时为了在俯视下确保比特单元区域和周边电路区域的间隔而设置分离区域。在半导体基板嵌入电源布线的bpr(buried power rail)的技术为人所知。为了切换向内部电路的虚拟电源线的电源电压的供给和切断，已知有在电源线和虚拟电源线之间设置电源开关电路的技术。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、[专利文献1]美国专利第10446224号说明书

5、[专利文献2]美国专利第8670265号说明书

6、[专利文献3]美国专利申请公开第2020/0135718号说明书

7、[专利文献4]美国专利申请公开第2018/0151494号说明书

8、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求8所述的半导体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文桢，冈本淳，武野纮宜，
申请(专利权)人：株式会社索思未来，
类型：发明
国别省市：