System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 有机电致发光器件及其形成方法、显示装置制造方法及图纸_技高网

有机电致发光器件及其形成方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:41195331 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-07 22:24
一种有机电致发光器件及其形成方法、显示装置,包括:基底;位于基底上的阳极层、阴极层、位于阳极层和阴极层之间的若干层复合层、以及位于相邻两层复合层之间的第一间隔层,阳极层、阴极层、若干层复合层和第一间隔层沿垂直于基底表面方向重叠,复合层包括:第一发光层、第二发光层以及位于第一发光层和第二发光层之间的第二间隔层。通过第一间隔层将第一发光层和第二发光层间隔开,使得第一发光层和第二发光层之间的Forster能量传递不受影响,而第一发光层和第二发光层之间的Dexter能量传递受到抑制,进而使得敏化后的荧光辐射具有更高效率的荧光,提高有机电致发光器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电显示,尤其涉及一种有机电致发光器件及其形成方法、显示装置


技术介绍

1、目前的有机电致发光器件中的磷光发光材料由于利用三线态激子因而发光效率较高,但同样由于三线态激子寿命较长、存在高强度的相互作用造成激子淬灭,因此其高电流密度时出现效率骤降问题。另外,由于三线态激子相互作用,其发光光谱较宽、色纯度很低。荧光材料的单线态激子比例较低因而效率低,但寿命长且色纯度高。磷光敏化荧光是综合磷光和荧光的优点,获得更高效率、高长寿命和高色纯度的有机电致发光器件。

2、然而,磷光敏化荧光器件是将磷光材料的三线态激子能量通过福斯特共振能量转移(即forster能量传递)给荧光材料的三线态,并辐射跃迁发出荧光。但同时也会存在磷光材料的三线态激子通过电子交换激发转移(即dexter能量传递)给荧光材料的三线态能级,此时荧光材料的三线态激子能量通过无辐射跃迁,造成能量损失,进而影响有机电致发光器件的性能。


技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种有机电致发光器件及其形成方法、显示装置,以提高有机电致发光器件的性能。

2、为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种有机电致发光器件,包括:基底;位于基底上的阳极层、阴极层、位于阳极层和阴极层之间的若干层复合层、以及位于相邻两层复合层之间的第一间隔层,所述阳极层、阴极层、若干层复合层和第一间隔层沿垂直于基底表面方向重叠,所述复合层包括:第一发光层、第二发光层以及位于第一发光层和第二发光层之间的第二间隔层,所述第一发光层的发光体系和第二发光层的发光体系不同,所述第一发光层内掺杂有第一发光粒子,所述第二发光层内掺杂有第二发光粒子,若干层所述第一发光层的第一发光粒子掺杂浓度自所述阳极层至所述阴极层逐层递增,若干层所述第二发光层的第二发光粒子掺杂浓度自所述阳极层至所述阴极层逐层递增。

3、可选的,所述第一发光层为掺杂有第一发光粒子的第一主体材料,所述第二发光层为掺杂有第二发光粒子的第二主体材料,所述第一主体材料和第二主体材料相同。

4、可选的,所述第一主体材料的s1能级大于所述第一发光粒子的s1能级,所述第一发光粒子的s1能级大于所述第二发光粒子的s1能级,所述第一主体材料的t1能级大于所述第一发光粒子的t1能级,所述第一发光粒子的t1能级大于所述第二发光粒子的t1能级,所述第一发光粒子的t1能级大于所述第二发光粒子的s1能级。

5、可选的,所述第一主体材料的lumo能级大于所述第一发光粒子的lumo能级,所述第一发光粒子的lumo能级大于所述第二发光粒子的lumo能级,所述第一主体材料的homo能级大于所述第一发光粒子的homo能级,所述第一发光粒子的homo能级大于所述第二发光粒子的homo能级。

6、可选的,所述第一发光粒子为磷光发光体系,所述第二发光粒子为荧光发光体系。

7、可选的,所述第一发光层在和所述第二发光层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一发光层在垂直于基底方向上的厚度大于所述第一间隔层在垂直于基底方向上的厚度。

8、可选的,所述第一发光层在垂直于基底方向上的厚度范围为5纳米至10纳米,所述第二发光层在垂直于基底方向上的厚度范围为5纳米至10纳米,所述第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底方向上的厚度范围为3纳米至5纳米。

9、可选的,所述第一发光层内的第一发光粒子质量百分比浓度范围为1%至15%,所述第二发光层内的第二发光粒子质量百分比浓度范围为0.1%至10%。

10、可选的,所述第一发光粒子的光谱峰位波长小于所述第二发光粒子的光谱峰位波长。

11、可选的,所述第一发光粒子的光谱峰位波长范围为380纳米至620纳米,所述第二发光粒子的光谱峰位波长范围为460纳米至640纳米。

12、可选的,所述有机电致发光器件还包括:位于所述阳极层表面与复合层之间的空穴传输层、以及位于所述阴极层与复合层之间的电子传输层。

13、相应的,本专利技术技术方案还提供一种有机电致发光器件的形成方法,包括:提供基底;在基底表面形成阳极层和阴极层;在阳极层和阴极层之间形成若干层复合层、以及在相邻两层复合层之间形成第一间隔层,所述阳极层、阴极层、若干层复合层和第一间隔层沿垂直于基底表面方向重叠,所述复合层包括:第一发光层、第二发光层以及位于第一发光层和第二发光层之间的第二间隔层,所述第一发光层的发光体系和第二发光层的发光体系不同,所述第一发光层内掺杂有第一发光粒子,所述第二发光层内掺杂有第二发光粒子,若干层所述第一发光层的第一发光粒子掺杂浓度自所述阳极层至所述阴极层逐层递增,若干层所述第二发光层的第二发光粒子掺杂浓度自所述阳极层至所述阴极层逐层递增。

14、可选的,所述有机电致发光器件的形成方法还包括:在形成若干层复合层之前,在所述阳极层与复合层之间形成空穴传输层;在形成若干层复合层之后,在所述阴极层与复合层之间形成电子传输层。

15、相应的,本专利技术技术方案还提供一种显示装置,包括上述有机电致发光器件。

16、与现有技术相比,本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果:

17、本专利技术技术方案提供的有机电致发光器件,所述第二间隔层位于第一发光层和第二发光层之间,所述第一间隔层位于相邻复合层之间,通过第一间隔层将第一发光层和第二发光层间隔开,使得第一发光层和第二发光层之间的forster能量传递不受影响,而第一发光层和第二发光层之间的dexter能量传递受到抑制,进而使得敏化后的荧光辐射具有更高效率的荧光,提高有机电致发光器件的性能;此外,本专利技术技术方案中的所述第一发光层和第二发光层中的发光粒子掺杂浓度自所述阳极层至所述阴极层逐层递增,递增的掺杂浓度不会造成空穴陷阱捕获空穴的问题,提高有机电致发光器件的性能,且由于空穴迁移率远高于电子,激子复合区域在发光层靠近阴极一侧,因此靠近阴极一侧的掺杂浓度大于靠近阳极一侧的掺杂浓度,增大了激子复合效率,进而获得更好的器件性能。

18、进一步,本专利技术技术方案中的所述第一发光粒子的光谱峰位波长范围为380纳米至620纳米,在敏化荧光的过程中能量传递效率以及色纯度高,提高有机电致发光器件的性能。

19、进一步,本专利技术技术方案中的第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底的方向上的厚度范围为3纳米至5纳米,进而使得敏化后的荧光辐射具有更高效率的荧光,提高有机电致发光器件的性能。

20、本专利技术技术方案提供的有机电致发光器件的形成方法,通过在第一发光层和第二发光层之间形成所述第二间隔层,在相邻复合层之间形成所述第一间隔层,使得第一发光层和第二发光层之间的forster能量传递不受影响,而第一发光层和第二发光层之间的dexter能量传递受到抑制,进而使得敏化后的荧光辐射具有更高效率的荧光,提高有机电致发光器件的性能。

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【技术保护点】

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层为掺杂有第一发光粒子的第一主体材料,所述第二发光层为掺杂有第二发光粒子的第二主体材料,所述第一主体材料和第二主体材料相同。

3.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的S1能级大于所述第一发光粒子的S1能级,所述第一发光粒子的S1能级大于所述第二发光粒子的S1能级,所述第一主体材料的T1能级大于所述第一发光粒子的T1能级,所述第一发光粒子的T1能级大于所述第二发光粒子的T1能级,所述第一发光粒子的T1能级大于所述第二发光粒子的S1能级。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的LUMO能级大于所述第一发光粒子的LUMO能级,所述第一发光粒子的LUMO能级大于所述第二发光粒子的LUMO能级,所述第一主体材料的HOMO能级大于所述第一发光粒子的HOMO能级,所述第一发光粒子的HOMO能级大于所述第二发光粒子的HOMO能级。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光粒子为磷光发光体系,所述第二发光粒子为荧光发光体系。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层在和所述第二发光层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一发光层在垂直于基底方向上的厚度大于所述第一间隔层在垂直于基底方向上的厚度。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层在垂直于基底方向上的厚度范围为5纳米至10纳米,所述第二发光层在垂直于基底方向上的厚度范围为5纳米至10纳米,所述第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底方向上的厚度范围为3纳米至5纳米。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层内的第一发光粒子质量百分比浓度范围为1%至15%,所述第二发光层内的第二发光粒子质量百分比浓度范围为0.1%至10%。

9.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光粒子的光谱峰位波长小于所述第二发光粒子的光谱峰位波长。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光粒子的光谱峰位波长范围为380纳米至620纳米,所述第二发光粒子的光谱峰位波长范围为460纳米至640纳米。

11.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括:位于所述阳极层表面与复合层之间的空穴传输层、以及位于所述阴极层与复合层之间的电子传输层。

12.一种有机电致发光器件的形成方法,其特征在于,包括:

13.如权利要求12所述的有机电致发光器件的形成方法,其特征在于,还包括:

14.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至11任一项所述的有机电致发光器件。

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【技术特征摘要】

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层为掺杂有第一发光粒子的第一主体材料,所述第二发光层为掺杂有第二发光粒子的第二主体材料,所述第一主体材料和第二主体材料相同。

3.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的s1能级大于所述第一发光粒子的s1能级,所述第一发光粒子的s1能级大于所述第二发光粒子的s1能级,所述第一主体材料的t1能级大于所述第一发光粒子的t1能级,所述第一发光粒子的t1能级大于所述第二发光粒子的t1能级,所述第一发光粒子的t1能级大于所述第二发光粒子的s1能级。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的lumo能级大于所述第一发光粒子的lumo能级,所述第一发光粒子的lumo能级大于所述第二发光粒子的lumo能级,所述第一主体材料的homo能级大于所述第一发光粒子的homo能级,所述第一发光粒子的homo能级大于所述第二发光粒子的homo能级。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光粒子为磷光发光体系,所述第二发光粒子为荧光发光体系。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层在和所述第二发光层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一间隔层和第二间隔层在垂直于基底方向上的厚度相等,所述第一发光层在垂...

【专利技术属性】
技术研发人员:王建云
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司上海分公司
类型:发明
国别省市:

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