【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种分栅快闪存储器的形成方法。
技术介绍
1、闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。闪存为一种非易失性存储器，如今己经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般的，闪存为分栅结构或叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比叠栅闪存在擦除的时候体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，控制栅的结构可以避免"过擦除"等优点，应用尤为广泛。
2、现有技术的分栅快闪浮栅的尖端过高，会使得浮栅上的电压被控制栅给耦合拉低(耦合电容大小和浮栅尖端高度成正比c＝s/d,d为浮栅尖端高度)，造成编程失效，热电子不能有效的被浮栅捕获。所以在一些情况下需要降低浮栅尖端的高度。
3、然而，现有技术的分栅快闪存储器的形成方法中，一般降低浮栅尖端的高度的同时，会改变浮栅的尖端与浮栅表面形成的斜坡的幅度，从而影响编程。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在...
【技术保护点】
1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，采用各项同性刻蚀方法继续刻蚀所述浮栅掩膜层、第一氧化层和部分厚度的浮栅层，使得剩余的第二氧化层的侧壁以及浮栅层的表面呈现具有斜面坡度的形状。
3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，采用各向同性的刻蚀方法继续刻蚀所述浮栅掩膜层、第一氧化层和浮栅层时，所述浮栅层、第一氧化层和浮栅掩膜层的刻蚀选择比为1:1:1.3。
4.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅层的厚度为700埃～
<...【技术特征摘要】
1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，采用各项同性刻蚀方法继续刻蚀所述浮栅掩膜层、第一氧化层和部分厚度的浮栅层，使得剩余的第二氧化层的侧壁以及浮栅层的表面呈现具有斜面坡度的形状。
3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，采用各向同性的刻蚀方法继续刻蚀所述浮栅掩膜层、第一氧化层和浮栅层时，所述浮栅层、第一氧化层和浮栅掩膜层的刻蚀选择比为1:1:1.3。
4.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅层的厚度为700埃～800埃。
5.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度30埃～70埃。
...【专利技术属性】
技术研发人员：汤志林，王卉，曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。