【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置以及这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
技术介绍
1、使用有机化合物且利用电致发光(el：electroluminescence)的发光器件(有机el器件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(el层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。
2、因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势，特别适合于平板显示器。此外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常快的响应速度也是该发光器件的特征之一。
3、此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或led为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的
4、如上所述，使用发光器件的显示器及照明装置适用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的发光器件的研究开发也日益活跃。
5、光提取效率低是有机el器件的常见问题之一。为了提高该光提取效率，提出了在el层内部形成由低折射率材料构成的层的结构(例如，参照专利文献1)。
6、[先行技术文献]
7、[专利文献]
8、[专利文献1]美国专利申请公开第2020/0176692号说明书
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的是提供一种发光效率高的发光装置。本专利技术的一个方式的目的是提供一种长寿命的发光装置。本专利技术的一个方式的目的是提供一种功耗低的显示装置及电子设备。
3、本专利技术只要实现上述目的中的任一个即可。
4、解决技术问题的手段
5、本专利技术的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括发光器件a及发光器件b，其中，上述发光器件a包括第一电极a、第二电极a、夹在上述第一电极a与上述第二电极a间的发光层a、夹在上述第一电极a与上述发光层a间的第一层a、夹在上述第一层a与上述发光层a间的第二层a以及夹在上述第二层a与上述发光层a间的第三层a，上述发光器件b包括第一电极b、第二电极b、夹在上述第一电极b与上述第二电极b间的发光层b、夹在上述第一电极b与上述发光层b间的第一层b、夹在上述第一层b与上述发光层b间的第二层b、夹在上述第二层b与上述发光层b间的第三层b以及夹在上述第一电极b与上述发光层b间的第四层b，上述发光层a包含发光物质a，上述发光层b包含发光物质b，上述发光物质a的发光峰波长比上述发光物质b的发光峰波长短，上述第一层a与上述第一层b、上述第二层a与上述第二层b以及上述第三层a与上述第三层b分别包含相同的材料，上述发光物质a的发光峰波长处的上述第一层a及上述第三层a的寻常光折射率比上述第二层a的寻常光折射率低，上述发光物质b的发光峰波长处的上述第一层b及上述第三层b的寻常光折射率比上述第二层b的寻常光折射率低，上述第四层b位于上述第一电极b与上述第一层b间、上述第一层b与上述第二层b间、上述第一层b与上述第三层b间和上述第三层b与上述发光层b间中的任意位置。
6、本专利技术的另一个方式是一种发光装置，该发光装置包括发光器件a及发光器件b，其中，上述发光器件a包括第一电极a、第二电极a、夹在上述第一电极a与上述第二电极a间的发光层a、夹在上述第一电极a与上述发光层a间的第一层a、夹在上述第一层a与上述发光层a间的第二层a以及夹在上述第二层a与上述发光层a间的第三层a，上述发光器件b包括第一电极b、第二电极b、夹在上述第一电极b与上述第二电极b间的发光层b、夹在上述第一电极b与上述发光层b间的第一层b、夹在上述第一层b与上述发光层b间的第二层b、夹在上述第二层b与上述发光层b间的第三层b以及夹在上述第一电极b与上述发光层b间的第四层b，上述发光层a包含发光物质a，上述发光层b包含发光物质b，上述发光物质a的发光峰波长比上述发光物质b的发光峰波长短，上述第一层a与上述第一层b、上述第二层a与上述第二层b以及上述第三层a与上述第三层b分别由相同的材料构成，上述发光物质a的发光峰波长处的上述第一层a及上述第三层a的寻常光折射率比上述第二层a的寻常光折射率低，上述发光物质b的发光峰波长处的上述第一层b及上述第三层b的寻常光折射率比上述第二层b的寻常光折射率低，上述第四层b位于上述第一电极b与上述第一层b间、上述第一层b与上述第二层b间、上述第一层b与上述第三层b间和上述第三层b与上述发光层b间中的任意位置。
7、本专利技术的另一个方式是一种发光装置，该发光装置包括发光器件a及发光器件b，发光器件a包括第一电极a、第二电极a、夹在第一电极a与第二电极a间的发光层a、夹在第一层a与发光层a间的第二层a以及夹在第二层a与发光层a间的第三层，发光器件b包括第一电极b、第二电极b、夹在第一电极b与第二电极b间的发光层b、夹在第一层b与发光层b间的第二层b、夹在第二层b与发光层b间的第三层b以及夹在第一电极b与发光层b间的第四层b，发光层a包含发光物质a，发光层b包含发光物质b，发光物质a的发光峰波长比发光物质b的发光峰波长短，第一层a与第一层b、第二层a与第二层b以及第三层a与第三层b分别具有相同的结构，发光物质a的发光峰波长处的第一层a及第三层a的寻常光折射率比第二层a的寻常光折射率低，发光物质b的发光峰波长处的第一层b及第三层b的寻常光折射率比第二层b的寻常光折射率低，第四层b位于第一电极b与第一层b间、第一层b与第二层b间、第一层b与第三层b间和第三层b与发光层b间中的任意位置。
8、本专利技术的另一个方式是具有上述结构的发光装置，其中，发光物质a的发光峰波长处的第一层a及第三层a的寻常光折射率比第二层a的寻常光折射率低0.20以上，发光物质b的发光峰波长处的第一层b及第三层b的寻常光折射率比第二层b的寻常光折射率低0.15以上。
9、本专利技术的另一个方式是具有上述结构的发光装置，其中，第四层b位于第一电极b与第一层b间。
10、本专利技术的另一个方式是具有上述结构的发光装置，其中，上述发光物质b的发光峰波长处的上述第四层b的寻常光折射率比上述第二层b的寻常光折射率低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：
2.一种发光装置，包括：
3.一种发光装置，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光装置，包括：
2.一种发光装置，包括：
3.一种发光装置，包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
5.根据权利要求1至3中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部刚吉，大泽信晴，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。