System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41290028 阅读:16 留言:0更新日期:2024-05-11 09:39
一种半导体装置,具有:设置在基板的第1面的第1及第2电源线和第1及第2接地线;设置在基板的第2面且通过通孔与第1电源线连接的第3电源线;以及第4电源线。半导体装置具有:具有第2电源线、第1接地线和第3电源线的第1区域;具有第4电源线和第2接地线的第2区域;俯视下位于第1区域与第2区域之间的第3区域;以及具有连接在第1及第2电源线之间的开关晶体管的电源开关电路。由此,能够在具有在第2面侧设置电源布线网的基板的半导体装置中适当地配置电源开关。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置。本申请主张基于2021年9月30日申请的美国临时申请第63/261,846号的优先权,并引用了上述申请中所记载的全部内容。


技术介绍

1、在sram(static random access memory,静态随机存取存储器)中,在比特单元区域和周边电路区域电源布线的配置不同的情况下,有时为了在俯视下确保比特单元区域和周边电路区域的间隔而设置分离区域。在半导体底板嵌入电源布线的bpr(buried powerrail)技术为人所知。为了切换向内部电路的虚拟电源线的电源电压的供给和切断,已知在电源线和虚拟电源线之间设置电源开关电路的技术。已知有在半导体基板的背面设置电源布线网,经由贯通半导体基板的背面和表面的通孔供给电源电压的bs-pdn(backside-power delivery network,背侧电源输送网络)技术。

2、【现有技术文献】

3、【专利文献】

4、[专利文献1]美国专利第10446224号说明书

5、[专利文献2]美国专利第8670265号说明书

6、[专利文献3]美国专利申请公开第2020/0135718号说明书

7、[专利文献4]美国专利申请公开第2018/0151494号说明书

8、[专利文献5]美国专利第2005/0212018号说明书

9、[专利文献6]美国专利第10170413号说明书

10、[专利文献7]国际公开第2020/065916号

11、[专利文献8]国际公开第2021/070366号

12、[专利文献9]国际公开第2021/070367号

13、[专利文献10]国际公开第2021/079511号

14、[专利文献11]国际公开第2021/111604号


技术实现思路

1、【专利技术所要解决的课题】

2、在基板的背面设置bs-pdn的情况下,没有进行如何配置电源开关电路的详细的技术研究。

3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,在具有在背面设置电源布线网的基板的半导体装置中适当地配置电源开关。

4、【解决课题的手段】

5、在本专利技术的一个方式中,一种半导体装置,具有:具有第1面和与所述第1面相对的第2面的基板;设置在所述第1面的第1电源线;设置在所述第1面的第2电源线;设置在所述第1面的第1接地线;设置在所述第2面的第3电源线;通孔,设置在所述基板,电连接所述第1电源线和所述第3电源线;与所述第2电源线电连接的第4电源线;设置在所述第1面的第2接地线;第1区域,具有所述第2电源线、所述第1接地线、所述第3电源线和所述通孔;第2区域,具有所述第4电源线和所述第2接地线;第3区域,其在俯视下位于所述第1区域与所述第2区域之间;以及电源开关电路,具有电连接在所述第1电源线与所述第2电源线之间的开关晶体管。

6、【专利技术的效果】

7、根据所公开的技术,可以将电源开关适当地配置在具有在背面设置有电源布线网的基板的半导体装置上。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其中,

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,其中,

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,<...

【专利技术属性】
技术研发人员:武野纮宜冈本淳王文桢
申请(专利权)人:株式会社索思未来
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1