【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及导流片、半导体制冷装置及其加工方法。
技术介绍
1、半导体制冷片广泛应用于光通讯、汽车雷达、红外传感、高功率激光器等行业。半导体制冷片主要包括上基板、热电半导体材料和下基板，热电半导体材料包括多个p/n晶粒，p/n晶粒通过导电焊接材料与上下基板进行组装。
2、在半导体制冷片装配过程中，需要将热电半导体材料的p型晶粒和n型晶粒放置在导流片上，然后将整个装配件通过高温加热进行焊接，从而让热电半导体材料和上下基板的导流片固定，并实现电连通。
3、但是，导流片表面的焊料容易顺着平整的表面爬开平铺，从而导致热电材料晶粒下面的焊锡相对减少。如果焊接材料爬开平铺过多，容易在热电材料晶粒和导流片之间形成焊接空洞，从而引起半导体制冷片的性能降低或者连接失效。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对焊接材料易沿导流片表面爬开平铺，导致晶粒处的焊料减少，易造成连接失效的问题，提供一种导流片、半导体制冷装置及其加工方法。
2、本申请第一方面的实施例提出的导流片，所述导流片包括：
3、一个或多个安装片，所述安装片具有第一表面，所述第一表面用于涂覆焊接材料；所述安装片设置多个时，多个所述安装片沿第一方向排布；
4、连接片，所述连接片的端部分别与相邻所述安装片相连接；
5、其中，所述连接片具有第二表面，所述第二表面与所述第一表面相连接，所述第二表面用于供所述焊接材料爬开，所述连接片沿第二方向的侧壁至少部分内缩于所述
6、在其中一个实施例中，所述阻流凹槽沿所述第二方向设置于所述连接片的一侧，或者，所述阻流凹槽沿所述第二方向设置于所述连接片的两侧。
7、在其中一个实施例中，所述第一表面与所述第二表面相平齐。
8、在其中一个实施例中，所述第二表面由端部位置至中部位置的高度逐渐递增。
9、在其中一个实施例中，所述连接片沿所述第二方向的侧壁部分内缩于所述安装片的侧壁形成所述阻流凹槽，所述连接片沿所述第二方向的侧壁未内缩的部分形成凸块，所述阻流凹槽靠近所述第一表面设置。
10、在其中一个实施例中，所述凸块上开设有容纳槽，所述容纳槽用于容纳溢流的焊接材料。
11、在其中一个实施例中，所述第二表面上开设有截断沟槽，所述截断沟槽与所述容纳槽相连通。
12、本申请第二方面的实施例提供的半导体制冷装置，包括上述的导流片。
13、在其中一个实施例中，所述半导体制冷装置包括：
14、晶粒；
15、焊接层，所述焊接层由所述焊接材料焊接形成，所述焊接层连接在所述晶粒与所述安装片之间。
16、本申请第三方面提供的半导体制冷装置的加工方法，基于上述的半导体制冷装置，所述半导体制冷装置的加工方法包括：
17、将导流片上加工出阻流凹槽；
18、将焊接材料涂覆在所述导流片的安装片上，并将晶粒放置在所述安装片上；
19、将所述晶粒与所述导流片叠加装配并进行高温加热，以使所述焊接材料受热熔融形成熔浆，所述熔浆在所述第一表面的边缘与所述阻流凹槽的侧边的围设形成的铺设范围内平铺；
20、当所述熔浆的液量大于所述铺设范围内的承载量时，所述熔浆沿所述连接片的所述第二表面爬开。
21、上述导流片及半导体制冷装置，通过在导流片上设置阻流凹槽，能够使连接片的通流宽度小于安装片的通流宽度，在高温焊接时，焊接材料熔融后形成的熔浆能够在第一表面的边缘与阻流凹槽的边缘围设形成的铺设范围内平铺，当熔浆的液量大于铺设范围内的承载量时，熔浆才会沿第一方向朝向连接片的第二表面爬开，有利于阻流凹槽改变焊接材料的爬开平铺速度和方向，从而将熔浆的流动较大程度地限制在安装片上，安装片可供晶粒放置后通过焊接材料进行焊接，既能够保持熔浆的流动性，也可使焊接材料较大程度地限制在晶粒的端部，确保晶粒与安装片之间的焊接材料充分，减少焊接材料缺失造成的空洞或虚焊等不良现象。
22、上述半导体制冷装置的加工方法，通过在高温加热焊接前将导流片上加工处阻流凹槽，以使连接片的通流宽度小于安装片的通流宽度，有利于在焊接过程中改变焊接材料的爬开平铺速度和方向，从而将熔浆的流动较大程度地限制在安装片上。
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1.一种导流片，其特征在于，所述导流片包括：
2.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述阻流凹槽（13）沿所述第二方向设置于所述连接片（12）的一侧，或者，所述阻流凹槽（13）沿所述第二方向设置于所述连接片（12）的两侧。
3.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述第一表面（111）与所述第二表面（121）相平齐。
4.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述第二表面（121）由端部位置至中部位置的高度逐渐递增。
5.根据权利要求1-4任一项所述的导流片，其特征在于，所述连接片（12）沿所述第二方向的侧壁部分内缩于所述安装片（11）的侧壁形成所述阻流凹槽（13），所述连接片（12）沿所述第二方向的侧壁未内缩的部分形成凸块（14），所述阻流凹槽（13）靠近所述第一表面（111）设置。
6.根据权利要求5所述的导流片，其特征在于，所述凸块（14）上开设有容纳槽（15），所述容纳槽（15）用于容纳溢流的焊接材料。
7.根据权利要求6所述的导流片，其特征在于，所述第二表面（121）上开设有截断沟槽（1
8.一种半导体制冷装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的导流片（1）。
9.根据权利要求8所述的半导体制冷装置，其特征在于，所述半导体制冷装置包括：
10.一种半导体制冷装置的加工方法，基于权利要求8-9任一项所述的半导体制冷装置，所述半导体制冷装置的加工方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种导流片，其特征在于，所述导流片包括：
2.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述阻流凹槽（13）沿所述第二方向设置于所述连接片（12）的一侧，或者，所述阻流凹槽（13）沿所述第二方向设置于所述连接片（12）的两侧。
3.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述第一表面（111）与所述第二表面（121）相平齐。
4.根据权利要求1所述的导流片，其特征在于，所述第二表面（121）由端部位置至中部位置的高度逐渐递增。
5.根据权利要求1-4任一项所述的导流片，其特征在于，所述连接片（12）沿所述第二方向的侧壁部分内缩于所述安装片（11）的侧壁形成所述阻流凹槽（13），所述连接片（12）沿所述第二方向的侧壁未内缩的部...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆建辉，石保华，
申请(专利权)人：铋盛半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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