半导体制冷器的制备方法技术

本申请涉及半导体制冷器的制备方法

【技术实现步骤摘要】
半导体制冷器的制备方法、电子设备及可读存储介质


[0001]本申请涉及半导体制冷器制备领域，特别是涉及半导体制冷器的制备方法
、
电子设备及可读存储介质，即半导体制冷器的制备方法
、
电子设备及计算机可读存储介质
。

技术介绍

[0002]半导体制冷器（
Thermoelectric cooler
，
TEC
）利用半导体材料的珀尔帖效应制成的，当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热
。
通常地，
P
型半导体和
N
型半导体通过金属电极相连接，且设置于两个陶瓷基板之间；当有电流从
TEC
流过时，热量会从
TEC
的一侧传到另一侧
。
[0003]传统的
TEC
产品设计生产都是一个产品对应一个模组，有些
TEC
产品尺寸很小，例如规格小于
0.5cm
×
0.4cm。
规格很小的
TEC
产品在工序中运转比较困难，例如取放比较困难，生产完一个
TEC
产品要切换到下一个，需要频繁地更换动作，因此导致
TEC
产品生产效率较低，制造难度较大
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种半导体制冷器的制备方法
、
电子设备及可读存储介质
。
[0005]在一个实施例中，一种半导体制冷器的制备方法，包括步骤：
[0006]S100
，在第一整板上设置至少二个第一电极模组，作为第一母版；
[0007]S200
，在所述第一整板上设置半导体阵列，以在每一所述第一电极模组上形成半导体模组，每一所述第一电极模组及其上的所述半导体模组共同对应一个半导体制冷器；
[0008]S300
，在第二整板上设置至少二个第二电极模组，作为第二母版；其中，各所述第二电极模组与各所述第一电极模组一一对应；
[0009]S400
，对齐所述第一母版及所述第二母版，以使各所述第二电极模组与各所述半导体模组相对齐；
[0010]S500
，贴合所述第一母版及所述第二母版，连接各所述半导体模组与各所述第二电极模组，以使每一所述半导体制冷器的所述第一电极模组
、
所述半导体模组与所述第二电极模组形成完整的电流路径；
[0011]S600
，切割所述第一整板及所述第二整板，得到至少二个所述半导体制冷器，每一所述半导体制冷器包括源自所述第一整板的第一基板
、
所述第一电极模组
、
所述半导体模组
、
所述第二电极模组
、
源自所述第二整板的第二基板
。
[0012]上述半导体制冷器的制备方法，一次可以制备具有多个第一半导体模组的第一母版及具有多个第二半导体模组的第二母版，且由于第一半导体模组及第二半导体模组分别设置于第一基板及第二基板上，即使是规格较小的半导体制冷器亦可通过设计第一基板及第二基板而便于操作，因此有利于在生产阶段取放小型的半导体制冷器；并且由于在第一整板及第二整板上分别设置第一半导体阵列及第二半导体阵列，因此相对于传统半导体制冷器的单一制备方式，减少了操作动作，还通过母版拼版的生产方式极大提升了半导体制
冷器的生产效率，降低了生产过程中工艺难度
。
[0013]在其中一个实施例中，步骤
S100
中，各所述第一电极模组排列形成第一电极阵列；并且，步骤
S200
中，各所述第二电极模组排列形成与所述第一电极阵列相对应的第二电极阵列；或者，
[0014]各所述第一电极模组具有相同的规格，各所述第二电极模组亦具有相同的规格
。
[0015]在其中一个实施例中，步骤
S100
中，在所述第一整板设置第一切割区及围绕所述第一切割区的第一边缘区，在所述第一切割区上设置各所述第一电极模组；
[0016]步骤
S200
中，在所述第二整板设置第二切割区及围绕所述第二切割区的第二边缘区，在所述第二切割区上设置各所述第二电极模组
。
[0017]在其中一个实施例中，步骤
S100
中，还在所述第一边缘区设置第一定位孔及第一标识位，或者，还在所述第一边缘区设置第一切割指示线；
[0018]步骤
S200
中，还在所述第二边缘区设置第二定位孔及第二标识位，或者，还在所述第二边缘区设置第二切割指示线
。
[0019]在其中一个实施例中，步骤
S500
中，所述半导体制冷器的所述第一基板形成热面，所述半导体制冷器的所述第二基板形成冷面
。
[0020]在其中一个实施例中，包括第一连接部所述第一电极模组的第一电极包括第一连接部及第一接电位；
[0021]所述第二电极模组的第二电极作为第二连接部；
[0022]所述第一接电位用于接入电流，所述第一连接部
、
所述半导体模组与所述第二连接部相对应，且所述第一连接部
、
所述半导体模组
、
所述第二连接部与所述第一接电位共同形成完整的电流路径
。
[0023]在其中一个实施例中，各所述第一连接部与各所述第二连接部整体串联设置，且与两个所述第一接电位共同形成仅一条电流路径
。
[0024]在其中一个实施例中，部分所述第一连接部与部分所述第二连接部串联设置，以与两个所述第一接电位共同形成一条电流路径；并且，
[0025]各所述第一连接部与各所述第二连接部整体形成并联的至少两条电流路径
。
[0026]在其中一个实施例中，一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现任一实施例所述半导体制冷器的制备方法的步骤
。
[0027]在其中一个实施例中，一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现任一实施例所述半导体制冷器的制备方法的步骤
。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0029]图1为本申请所述半导体制冷器的制备方法一实施例的流程示意图
。
[0030]图2为本申请所述半导体制冷器的制备方法另一实施例的流程示意图
。
[0031]图3为本申请所述半导体制冷器的制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体制冷器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S100
，在第一整板（
110
）上设置至少二个第一电极模组（
120
），作为第一母版（
100
）；
S200
，在所述第一整板（
110
）上设置半导体阵列（
310
），以在每一所述第一电极模组（
120
）上形成半导体模组（
311
），每一所述第一电极模组（
120
）及其上的所述半导体模组（
311
）共同对应一个半导体制冷器（
300
）；
S300
，在第二整板（
210
）上设置至少二个第二电极模组（
220
），作为第二母版（
200
）；其中，各所述第二电极模组（
220
）与各所述第一电极模组（
120
）一一对应；
S400
，对齐所述第一母版（
100
）及所述第二母版（
200
），以使各所述第二电极模组（
220
）与各所述半导体模组（
311
）相对齐；
S500
，贴合所述第一母版（
100
）及所述第二母版（
200
），连接各所述半导体模组（
311
）与各所述第二电极模组（
220
），以使每一所述半导体制冷器（
300
）的所述第一电极模组（
120
）
、
所述半导体模组（
311
）与所述第二电极模组（
220
）形成完整的电流路径（
320
）；
S600
，切割所述第一整板（
110
）及所述第二整板（
210
），得到至少二个所述半导体制冷器（
300
），每一所述半导体制冷器（
300
）包括源自所述第一整板（
110
）的第一基板（
111
）
、
所述第一电极模组（
120
）
、
所述半导体模组（
311
）
、
所述第二电极模组（
220
）
、
源自所述第二整板（
210
）的第二基板（
211
）
。2.
根据权利要求1所述半导体制冷器的制备方法，其特征在于，步骤
S100
中，各所述第一电极模组（
120
）排列形成第一电极阵列；并且，步骤
S200
中，各所述第二电极模组（
220
）排列形成与所述第一电极阵列相对应的第二电极阵列；或者，各所述第一电极模组（
120
）具有相同的规格，各所述第二电极模组（
220
）亦具有相同的规格
。3.
根据权利要求1所述半导体制冷器的制备方法，其特征在于，步骤
S100
中，在所述第一整板（
110
）设置第一切割区（
112
）及围绕所述第一切割区（
112
）的第一边缘区（
113
），在所述第一切割区（
112
）上设置各所述第一电极模组（
120
）；步骤
S200
...

【专利技术属性】
技术研发人员：权金尧，陆建辉，
申请(专利权)人：铋盛半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：