主动元件阵列母基板以及显示面板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种主动元件阵列母基板，其包括基板、多个像素阵列以及聚合物稳定配向固化线路。基板具有多个面板预定区、一线路区、一第一切割线以及一第二切割线，其中第一切割线位于基板的边缘与第二切割线之间的线路区上。像素阵列中的主动元件具有多晶硅层。聚合物稳定配向固化线路位于线路区上，并包括多个固化接合垫与多条固化走线，其中固化接合垫位于基板边缘与第一切割线之间。固化走线具有一与对应的固化接合垫以及对应的像素阵列连接的上导电层，且上导电层与源极漏极层为同一膜层。因此，固化走线可避免产生剥落等问题，维持聚合物稳定配向固化线路的正常运作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板以及显示装置的制造方法，且尤其涉及一种主动元 件阵列母基板以及显示面板的制作方法。
技术介绍
随着计算机性能的大幅进步以及因特网、多媒体技术的高度发展，视频 或影像装置的体积日渐趋于轻薄。在显示器的发展上，随着光电技术与半导体 制造技术的进步，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越 特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。市场对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比(high contrast ratio)、 无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮 度高(high luminance)、高色彩丰富度、高色彩饱和度、快速反应与广视角等 特性。目前，能够达成广视角要求的技术有扭转向列型(twist nematic， TN) 液晶加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换型(in-plane switching, IPS)液晶显示器、边际场切换型(fringe field switching)液晶显示器、多域 垂直配向型(multi-domain vertically alignment, MVA)液晶显示器等方式。现有的多域垂直配向式液晶显示面板是利用配向结构(alignment structure)的配置以令不同区域内的液晶分子以不同角度倾倒，而达到广视角 的功效，其中配向结构包括配向凸块(alignment protrusion)以及位于电极上 的配向狭缝(alignment slit)。然而，位于配向凸块与配向狭缝周围的液晶分 子往往因其倾倒方向不明确(disclination)而造成漏光的情形，如此一来，将 导致液晶显示器的显示对比度降低。若为了解决上述漏光的情形而额外配置对 应于配向凸块或配向狭缝的遮光层，则将造成显示开口率的损失。因此， 一种 聚合物稳定配向(Polymer-stablized alignment, PSA)以形成多配向领域的配 向方式被提出，以改善多域垂直配向式液晶显示面板显示对比不佳的问题。一般而言，聚合物稳定配向的方式须先将反应性单体掺杂于液晶层中，并施与液晶层一固化预定电压。在此电压下以一光线照射液晶层，则反应性单体 会聚合并固化，以于液晶层两侧的基板上同时形成聚合物层。传统上，上述施予固化预定电压是经由一配置于主动元件阵列母基板的显 示区外的固化走线而传递至像素阵列，并且，在现有的固化走线中，其是利用 一与主动元件的栅极同时形成的膜层进行制作的。然而，在进行主动元件阵列 母基板的后续工艺(如掺杂工艺)时，此固化走线容易受到后续掺杂工艺的影 响而自基板上剥落，使得固化预定电压无法顺利传递至显示区内的像素电极 上，导致成一整面基板上的液晶层无法被固化配向，严重影响聚合物稳定配向 液晶显示器的良率与制作。因此，如何改进聚合物稳定配向固化线路的设计， 实为目前聚合物稳定配向液晶显示器在制作上亟待克服的课题之一。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种主动元件阵列母基板，以解决聚 合物^l定配向固化线路的固化走线在工艺中剥落等问题。本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供一种显示面板的制作方法，其 可以避免固化走线受到像素阵列的掺杂工艺的影响，以解决聚合物稳定配向固 化线路的固化走线在工艺中剥落等问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种主动元件阵列母基板。此主动元件阵 列母基板包括基板、多个像素阵列以及聚合物稳定配向固化线路。其中，基板 具有多个面板预定区、 一与面板预定区连接的线路区、 一第一切割线以及一第 二切割线，其中第二切割线与面板预定区的边缘切齐，且第一切割线位于基板 的边缘与第二切割线之间的线路区上。每一像素阵列位于每一面板预定区内， 每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且这些主动元件包括一多晶硅 层、 一栅绝缘层、 一栅极层、 一第一介电层、 一源极漏极层，其中多晶硅层位 于基板上，栅绝缘层覆盖多晶硅层，栅极层位于多晶硅层上方的栅绝缘层上， 第一介电层覆盖栅极层，且第一介电层与栅绝缘层具有多个共同暴露出部分多 晶硅层的开口，源极漏极层则位于第一介电层上，并经由第一介电层的开口而 与多晶硅层连接。此外，聚合物稳定配向固化线路配置于线路区上，且聚合物稳定配向固化线路包括多个固化接合垫(curing pad)以及多条固化走线 (curing line)。其中，固化接合垫位于基板边缘与第一切割线之间。特别的是，固化走线具有一上导电层，上导电层与对应的固化接合垫以及对应的像素 阵列连接，且上导电层与源极漏极层为同一膜层。在本专利技术的一实施例中，上述的第一介电层更位于线路区上，且每一固 化走线包括位于上导电层与基板之间的第一介电层。在本专利技术的一实施例中，上述的每一固化走线还包括一金属内联机结构(via structure)。此金属内联机结构邻近对应的像素阵列，且每一固化走 线的上导电层经由金属内联机结构而与对应的像素阵列电性连接。更进一步而 言，第一介电层更位于金属内联机结构中，且金属内联机结构具有一下导电层， 其中下导电层与栅极层为同一膜层，且上导电层、第一介电层以及下导电层构 成金属内联机结构。在每一金属内联机结构中，第一介电层具有一暴露出下导 电层的接触窗，且上导电层通过接触窗与下导电层连接。在本专利技术的一实施例中，上述的每一像素阵列包括多个分别与对应的主 动元件电性连接的像素电极，且像素电极与固化接合垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的每一固化接合垫包括一介电图案、 一第一导电图案以及一第二导电图案。具体而言，介电图案位于基板上，其中固化接合垫的介电图案与主动元件的第一介电层为同一膜层。第一导电图案位于介电图案上，且第一导电图案与源极漏极层为同一膜层。第二导电图案位于第一导电图案上，且第二导电图案与像素电极为同一膜层。值得一提的是，聚合物稳定配向固化线路还可以包括一第二介电层，其中第二介电层覆盖固化走线，并暴露出每一固化接合垫的第二导电图案。在本专利技术的一实施例中，上述的多晶硅层具有多个多晶硅岛，多晶硅岛 分别具有一通道区以及位于通道区两侧的一源极区以及一漏极区，且源极区与漏极区的材质为掺杂的多晶硅。更详细而言，在上述的各主动元件中，第一介 电层的开口位于栅极层的两侧，且第一介电层的开口与栅绝缘层共同暴露出源 极区以及漏极区，源极漏极层经由第一介电层的开口以与栅绝缘层而分别与每 一多晶硅岛中的源极区以及漏极区电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的固化走线的线宽范围实质上约为200微 米至10000微米。在本专利技术的一实施例中，上述的每一面板预定区包括像素阵列的其中之 一以及一位于像素阵列外围的驱动电路区，驱动电路区位于像素阵列与线路区之间。而且，为实现上述目的，本专利技术另提出一种显示面板的制作方法。此显 示面板的制作方法包括下列步骤。首先，提供一主动元件阵列母基板，其中形 成主动元件阵列母基板的方法例如可先提供一基板，其中基板具有多个面板预 定区、 一与面板预定区连接的线路区、 一第一切割线以及一第二切割线，第二 切割线与面板预定区的边缘切齐，且第一切割线位于基板的边缘与第二切割线 之间的线路区上。接着，于基板的面板预定区中分别形成多个像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件阵列母基板，其特征在于，包括：　　　　一基板，具有多个面板预定区、一与该些面板预定区连接的线路区、一第一切割线以及一第二切割线，其中该第二切割线与该面板预定区的边缘切齐，且该第一切割线位于该基板的边缘与该第二切割线之间的线路区上；　　　　多个像素阵列，其中每一像素阵列位于每一面板预定区内，每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且该些主动元件包括：　　　　一多晶硅层，位于该基板上；　　　　一栅绝缘层，覆盖该多晶硅层；　　　　一栅极层，位于该多晶硅层上方的该栅绝缘层上；　　　　一第一介电层，覆盖该栅极层，且该第一介电层与该栅绝缘层具有多个暴露出部分该多晶硅层的开口；以及　　　　一源极漏极层，位于该第一介电层上，并经由该第一介电层的该些开口而与该多晶硅层连接；以及　　　　一聚合物稳定配向固化线路，配置于该线路区上，其中该聚合物稳定配向固化线路包括：　　　　多个固化接合垫，位于该基板边缘与该第一切割线之间；以及　　　　多条固化走线，具有一上导电层，该上导电层与对应的该些固化接合垫以及对应的该像素阵列连接，且该上导电层与该源极漏极层为同一膜层。

【技术特征摘要】
1.一种主动元件阵列母基板，其特征在于，包括一基板，具有多个面板预定区、一与该些面板预定区连接的线路区、一第一切割线以及一第二切割线，其中该第二切割线与该面板预定区的边缘切齐，且该第一切割线位于该基板的边缘与该第二切割线之间的线路区上；多个像素阵列，其中每一像素阵列位于每一面板预定区内，每一像素阵列具有多个阵列排列的主动元件，且该些主动元件包括一多晶硅层，位于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该多晶硅层；一栅极层，位于该多晶硅层上方的该栅绝缘层上；一第一介电层，覆盖该栅极层，且该第一介电层与该栅绝缘层具有多个暴露出部分该多晶硅层的开口；以及一源极漏极层，位于该第一介电层上，并经由该第一介电层的该些开口而与该多晶硅层连接；以及一聚合物稳定配向固化线路，配置于该线路区上，其中该聚合物稳定配向固化线路包括多个固化接合垫，位于该基板边缘与该第一切割线之间；以及多条固化走线，具有一上导电层，该上导电层与对应的该些固化接合垫以及对应的该像素阵列连接，且该上导电层与该源极漏极层为同一膜层。2. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该第一介 电层更位于该线路区上，且每一固化走线包括位于该上导电层与该基板之间的 该第一介电层。3. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一固化 走线还包括一金属内联机结构，邻近对应的该像素阵列，且每一固化走线的该 上导电层经由该金属内联机结构与对应的该像素阵列电性连接。4. 根据权利要求3所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该第一介 电层更位于该些金属内联机结构中，且该些金属内联机结构具有一下导电层， 其中该下导电层与该栅极层为同一膜层，且该上导电层、该第一介电层以及该下导电层构成该些金属内联机结构，在每一金属内联机结构中，该第一介电层 具有一暴露出该下导电层的接触窗，且该上导电层通过该接触窗与该下导电层 连接。5. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一像素 阵列包括多个分别与对应的主动元件电性连接的像素电极，且该些像素电极与 该些固化接合垫电性连接。6. 根据权利要求5所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，每一固化接合垫包括一介电图案，位于该基板上，其中该介电图案与该第一介电层为同一膜层；一第一导电图案，位于该介电图案上，且该第一导电图案与该源极漏极 层为同一膜层；以及一第二导电图案，位于该第一导电图案上，且该第二导电图案与该些像 素电极为同一膜层，其中该聚合物稳定配向固化线路还包括一第二介电层，覆 盖该些固化走线，并暴露出每一固化接合垫的该第二导电图案。7. 根据权利要求1所述的主动元件阵列母基板，其特征在于，该多晶硅 层具有多个多晶硅岛，该些多晶硅岛分别具有一通道区以及位于该通道区两侧 的一源极区以及一漏极区，且该些源极区与该些漏极区的材质为掺杂的多晶 硅，.其中在各主动元件中，该第一介电层的该些开...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈育懋，徐文斌，赵之尧，许宗义，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]