主动阵列基板制造技术

本发明专利技术公开了一种主动阵列基板，包括：一基底，具有至少一凹槽；至少一扫描线；至少一数据线，与该扫描线垂直；至少一薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接；至少一象素电极，与该薄膜晶体管连接；以及，一连接垫电极，位于该凹槽内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种主动阵列基板及其制造方法，特别是关于一种具有导 线埋入基底的结构的主动阵列基板。
技术介绍
针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体组件或显示装置的飞跃性 进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等 优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)主要由薄膜晶体管阵列、彩色滤光片和液晶层所构成，其中薄膜晶体管阵列是由多个阵列排列的薄膜晶体管以及与每 —个薄膜晶体管对应配置的象素电极(pixel dec加de)所组成。而薄膜晶体管用 来作为液晶显示单元的开关组件。此外，为了控制个别的象素单元，通常会经 由扫描配线(scan line)与数据配线(date line)以选取特定的象素，并藉由提供适 当的操作电压，以显示对应此象素的显示数据。随着将薄膜晶体管液晶显示器的尺寸设计成越来越大，阻容迟滞(RC delay) 的问题便越来越严重，故低阻值的导线使用的研究便逐渐成为趋势。其中以铜 导线的开发最为受重视，但是在使用铜导线的工艺会产生诸多问题，例如(1) 铜与玻璃间有附着性问题；(2)在对铜进行蚀刻工艺时，会有铜残留或边角度 (taper)不佳等问题；(3)在进行铜导线上光阻的去光阻工艺时，铜导线易受去光 阻剂的侵蚀；以及(4)铜的扩散问题，譬如是垂直方向穿刺或是平行方向延伸 等问题。此外，薄膜晶体管液晶显示器的主动阵列基板，由多层层体组成且目前如 何薄型化薄膜晶体管液晶显示器也为另一趋势，故如何薄型化薄膜晶体管液晶 显示器为另一个研讨的议题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管，具有一栅极，该栅极与基底之间具有较佳的 附着性，其中该基底具有一凹槽以容纳该栅极。本专利技术提供一种薄膜晶体管，具有一源极及漏极，源极及漏极的材质举例 为铜、钼、钛、铬或上述组合，位于该源极及/或漏极上的一保护层具有开口， 使得不连续的导体层经由该开口与该源极及/或漏极接触，该导体层的材质举 例为铜、银、铝或上述组合。本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括 一基底，具有一凹槽； 一栅极，位于 该凹槽内； 一栅绝缘层，位于该栅极上，其中至少部份该栅绝缘层位于该凹槽 内； 一通道层，位于该栅绝缘层上；以及一源极以及一漏极，位于该通道层上 并分别对应该栅极的两侧。本专利技术提供一种主动阵列基板，包括上述薄膜晶体管。本专利技术提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括提供一基底；形成一图案 化光阻层于该基底上，该图案化光阻层具有一开口；以该图案化光阻层为屏蔽， 蚀刻该基底以形成一凹槽；全面形成一导体材料层于该图案化光阻层以及该基 底上；去除位于该图案化光阻层上的该导体材料层；去除该图案化光阻层;形 成一栅极于该凹槽内；形成一栅绝缘层于该栅极上，其中至少部份该栅绝缘层 位于该凹槽内；形成一通道层于该栅绝缘层上；以及形成一源极以及一漏极， 位于该通道层上并分别对应该栅极的两侧。本专利技术提供一种制造主动阵列基板的方法，包括提供一基底；形成一 图案化光阻层于该基底上，该图案化光阻层；以该图案化光阻层为屏蔽，蚀刻 该基底以形成一凹槽；全面形成一导体材料层于该图案化光阻层以及该基底 上；去除位于该图案化光阻层上的该导体材料层；去除该图案化光阻层；形成 至少一扫描线于该凹槽内；形成至少一数据线，与该扫描线垂直；形成至少一 薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接，该薄膜晶体管包括一 栅绝缘层，其中至少部份该栅绝缘层位于该凹槽内；以及形成至少一象素电极，与该薄膜晶体管连接。本专利技术的目的是提供一种较薄的薄膜晶体管。本专利技术的目的是提供一种较薄的薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极与基底之 间具有较佳的附着性。本专利技术的目的是提供一种较薄的薄膜晶体管，该薄膜晶体管的漏极为多层 结构，漏极不会穿刺至掺杂半导体层或通道层。本专利技术的目的是提供一种薄膜晶体管的制作方法，避免去光阻工艺时， 去光阻剂会蚀刻栅极、源极及/或漏极的问题。本专利技术的目的是提供一种，避免去光阻工艺时， 去光阻剂会蚀刻栅极、连接垫电极、连接电极、扫描线、源极、漏极及/或数 据线之问题。为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较 佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1a、 2a、 3a、 4a、 5a、 6a、 7a、 8a、 9a、 10a及iia为本专利技术一 实施例的主动阵列基板的制造方法步骤对应的上视图1b及1c分别为图1a沿剖面线i-r及n-ir的剖面图； 图2b及2c分别为图2a沿剖面线i-r及n-ir的剖面图； 图3b及3c分别为图3a沿剖面线W，及n-II，的剖面图； 图4b及4c分别为图4a沿剖面线I-I，及IWI'的剖面图5b及5c分别为图5a沿剖面线i-r及n-n'的剖面图； 图6b及6c分别为图6a沿剖面线i-r及n-n'的剖面图7b、 7c及7d分别为图7a沿剖面线I-I'、 II-II'及III-in，的剖面图； 图8b、 8c及8d分别为图8a沿剖面线I-I'、 II-II，及111-111，的剖面图； 图9b、 9c及9d分别为图9a沿剖面线i-i，、 II-II，及III-in，的剖面图iob、 ioc及iod分别为图ioa沿剖面线i-r、 n-ir及ni-nr的剖面图iiB、 iic及iiD分别为图iiA沿剖面线w'、 n-ir及m-nr的剖面图；以及图12为本专利技术的液晶显示面板。主要组件符号说明1液晶显示面板10主动组件阵列基板100基底101图案化光阻层102图案化光阻层110、 110a、 110b导体材料层llla扫描线nib共通线112栅绝缘层113通道层114掺杂半导体层115保护层120数据线130导体材料层131导体层132连接电极133导体层140象素电极141保护电极142保护电极20对向基板30液晶层Cl、 C2凹槽C3、 C4、 C5接触洞D漏极Dl漏极层G栅极连接垫电极Pl、 P2 大气电浆蚀刻S 源极Sl 源极层s、 s，， 方向具体实施例方式第1A、 2A、 3A、 4A、 5A、 6A、 7A、 8A、 9A、 10A及IIA为本专利技术一 实施例主动阵列基板的制造方法的步骤对应上视图，为方便说明及理解，上视 图选择性地以透视方式表现。请参照图1A至图1C。图1B及1C分别为图1A沿剖面线I-I'及II-II'的剖面图。须特别注意的是，剖面线i-r对应的位置为制造主动阵列基板薄膜晶体管处。如图1B及1C图所示，首先，提供基底100，然后于基底100上形成图 案化光阻层101。请参照图2A至图2C。图2B及2C分别为图2A沿剖面线I-I'及II-II'的剖 面图。以该图案化光阻层101为屏蔽，蚀刻该基底100以形成凹槽C1及C2， 凹槽Cl对应后续形成栅极、数据线以及连接垫电极，而凹槽C2对应后续形 成共通线。其中蚀刻该基底100以形成该凹槽C1、 C2的步骤是利用干蚀刻或 湿蚀刻，在本实施例中，该千蚀刻包括大气电浆蚀刻(atmospheric plasma etching)Pl沿着方向s或与方向s相反之方向s'对该基底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动阵列基板，包括：　　　　一基底，具有至少一凹槽；　　　　至少一扫描线；　　　　至少一数据线，与该扫描线垂直；　　　　至少一薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接；　　　　至少一象素电极，与该薄膜晶体管连接；以及　　　　一连接垫电极，位于该凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种主动阵列基板，包括一基底，具有至少一凹槽；至少一扫描线；至少一数据线，与该扫描线垂直；至少一薄膜晶体管，与对应的该扫描线以及该数据线电性连接；至少一象素电极，与该薄膜晶体管连接；以及一连接垫电极，位于该凹槽内。2. 如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，该扫描线包括一第一 层位于该基底上以及一第二层位于该第一层上，其中该第二层的材质包括铜、 银、铝或上述组合，其中该第一层的材质包括钼、钛、铬或其组合。3. 如权利要求2所述的主动阵列基板，其特征在于，该扫描线还包括一第 三层位于该第二层上，该第三层的材质包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉涂，杨智钧，廖金阅，陈建宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]