氧化铝烧结体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氧化铝烧结体。该氧化铝烧结体可以调整到库仑型和约翰逊拉别克型之间的体积电阻率而且耐腐蚀性优异。本发明专利技术的氧化铝烧结体是在作为主成分的氧化铝粒子彼此之间层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体，或者是沿着作为主成分的氧化铝粒子彼此的棱层状地存在含有稀土元素和氟元素的相的烧结体。对于该氧化铝烧结体，观察ＳＥＭ图像时，含有稀土元素和氟元素的相在氧化铝粒子彼此之间不是局部地形成点存在，而是以形成线段的方式存在。另外，本发明专利技术的氧化铝烧结体可以容易地将由在室温施加２ｋＶ／ｍｍ电压经１分钟后的电流值算出的体积电阻率调整到１×１０↑［１３］～１×１０↑［１６］Ω.ｃｍ的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
以往，在半导体制造装置中，使用静电卡盘来固定晶片。静电卡盘具备施 加电压的内部电极和层叠于该内部电极的电介质层，其是以在放置有晶片的状 态下对内部电极施加电压时电介质层和晶片之间产生静电吸附力的方式来构成的。静电卡盘有具有一个内部电极的单极方式和分离设置有一对(即两个) 内部电极的双极方式。单极方式的静电卡盘中，静电吸附力是通过在其内部电 极和设置于静电卡盘的外部的外部电极之间施加电压而产生的，双极方式的静 电卡盘中，静电吸附力是通过对一对内部电极施加电压而产生的。这样的静电卡盘，如图6所示，大致分为以下两种类型利用体积电阻率为108~1012Q 'cm 左右的物质作为电介质而产生约翰逊拉别克力，从而吸附晶片的约翰逊拉别克 型；利用绝缘体(体积电阻率超过1016Q . cm的物质)作为电介质而产生库仑 力，从而吸附晶片的库仑型。约翰逊拉别克型，尽管能够获得高吸附力，但不 仅必需高电流容量的昂贵的电源，而且由于其漏电流因而^:少电流流至晶片， 因此，有可能对晶片上形成的集成电路造成电损伤。由于上述情况，漏电流少 的库仑型采用的多起来，但是库仑型存在静电吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铝烧结体，其特征在于，在作为主成分的氧化铝的粒子彼此之间层状地存在含有稀土元素和氟元素的相。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-1 2008-223910;JP 2009-7-27 2009-1743341.一种氧化铝烧结体，其特征在于，在作为主成分的氧化铝的粒子彼此之间层状地存在含有稀土元素和氟元素的相。2. —种氧化铝烧结体，其特征在于，沿着作为主成分的氧化铝的粒子彼 此的棱层状地存在含有稀土元素和氟元素的相。3. 根据权利要求1或2记载的氧化铝烧结体，其中，由在室温施加2kV/mm 电压经1分钟后的电流值算出的体积电阻率为1 x io13~l x 1016Q . cm。4. 根据权利要求1~3中任一项记载的氧化铝烧结体，其中，所述稀土元 素是从钇、镧和镱中选出的至少一种。5. 根据权利要求1~4中任一项记载的氧化铝烧结体，其中，相对于烧结 体全体，所述稀土元素的含量为0.1~20重量％,所述氟元素的含量为0.05-5 重量％。6. 根据权利要求1~5中任一项记载的氧化铝烧结体，其中，所述含有稀 土元素和氟元素的相中含有镁,相对于烧结体全体，该镁的含量为0.1重量％~5 重量％。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺谷直美，胜田佑司，小林义政，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]