【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微机电系统（mems），尤其涉及一种结型电容式芯片结构。
技术介绍
1、随着mems技术的发展，压力传感器成为各行业中不可缺少的关键器件，已被广泛应用于汽车电子，石油化工，生物医学和国防军工等领域。相比于压阻式压力传感器，电容式压力传感器具有灵敏度高、功耗低、温度特性好等优势，更加适合研制高精度压力传感器。特别是在现代航空航天技术和现代国防装备等方面对压力测量精度和可靠性要求日益增加的背景下，mems电容式压力传感器的研究受到国内外高度重视。
2、对于普通的电容式压力传感器，一般采用平行板电容器结构，主要由可动极板和固定极板组成，当有压力作用于可动极板时，两极板间距改变，从而电容值发生变化，通过检测电容值实现对压力的测量，但存在输入与输出之间非线性严重、过载能力低等不足，集成度低，在制造电容敏感芯片环节，目前主要通过牺牲层工艺或是键合工艺来实现，牺牲层工艺技术复杂，工艺步骤多，精度难控制，而键合工艺在制造过程中用到soi材料，而单晶硅与多晶硅的键合技术难点目前没有解决，造成制造成本高。pn结的单向导电性和反向截...
【技术保护点】
1.结型电容式芯片结构，包括上极板（1）和下极板（2），上极板（1）与下极板（2）之间为腔体（5）,其特征在于下极板（2）为掺杂区；
2.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述腔体（5）为密封腔体。
3.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于下极板（2）下方设置第一衬底掺杂区（4），第一衬底掺杂区（4）下方设置第二衬底掺杂区（7）；下极板（2）掺杂区与第二衬底掺杂区（7）掺杂类型相同，同为N型或同为P型；下极板（2）掺杂区与第一衬底掺杂区（4）分别为互相掺杂类型相反的N型和P型，或是P型和N型。
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.结型电容式芯片结构，包括上极板（1）和下极板（2），上极板（1）与下极板（2）之间为腔体（5）,其特征在于下极板（2）为掺杂区；
2.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述腔体（5）为密封腔体。
3.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于下极板（2）下方设置第一衬底掺杂区（4），第一衬底掺杂区（4）下方设置第二衬底掺杂区（7）；下极板（2）掺杂区与第二衬底掺杂区（7）掺杂类型相同，同为n型或同为p型；下极板（2）掺杂区与第一衬底掺杂区（4）分别为互相掺杂类型相反的n型和p型，或是p型和n型。
4.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述上极板（1）与下极板（2）之间设置支撑（3）。
5.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述支撑（3）为竖向筒状结构或内外双筒结构，支撑（3）内侧为腔体（5）。
6.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述下极板（2）上端设置有介质层（6）。
7.根据权利要求1所述结型电容式芯片结构，其特征在于所述上极板（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜贵民，张振华，
申请(专利权)人：午芯辽宁省高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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