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基于容器内粒子位置的磁场传感制造技术

技术编号:41330312 阅读:31 留言:0更新日期:2024-05-13 15:09
本公开的各方面涉及响应于磁场在容器内移动的一种或多种粒子。测量电路被配置为基于一种或多种粒子的位置输出磁场的指示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

所公开的技术涉及磁场传感。


技术介绍

1、磁场可以在各种应用中检测。感应磁场可以用于多种目的。某些磁传感器是用半导体制造工艺制造的,并且一些还可以通过在晶片制造后添加额外的层或者通过将额外的结构或层压板/层(结合磁性材料)附着、沉积或结合到半导体上来构造。这种磁传感器可以与其他半导体电路一起封装。


技术实现思路

1、权利要求书中描述的每一项创新都有几个方面,其中没有一个方面单独负责其所需的属性。在不限制权利要求的范围的情况下,现在将简要描述本公开的一些突出特征。

2、本公开的一个方面是一种用于磁场测量的系统。该系统包括:容器;所述容器内的至少一种粒子;和测量电路,被配置为基于所述至少一种粒子的位置输出所述磁场的指示。所述至少一种粒子响应于磁场在所述容器中移动。测量电路包括集成电路的电路。集成电路与容器集成在一起。

3、所述至少一种粒子可以包括流体内的磁敏感粒子。磁敏感粒子可以是微米级或更大的。磁敏感粒子可以是毫米级或更大。磁敏感粒子在流体中的迁移率在高于限定温度时相对于低于限定温度时可以不同。

4、所述至少一种粒子可以在磁敏感流体中。

5、所述至少一种粒子可以包括嵌入在膜中的磁敏感粒子。

6、容器可以是密封的外壳。

7、该系统可以包括被配置为向测量电路提供输出信号的传感器。传感器可以是磁传感器。传感器可以是电容传感器。该传感器可以包括微机电系统设备。

8、容器可以包括导电外壳,并且测量电路可以测量外壳电导。

9、测量电路可以包括在光学测量系统中。

10、集成电路可以与容器垂直集成。集成电路和容器可以在公共基板上并且相对于彼此横向定位。

11、该系统可以是包括封装结构的封装模块。封装结构中的开口可以使容器的至少一部分暴露。

12、该系统可以包括与容器集成的磁性结构。该磁性结构可以提供偏置。

13、容器可以包括在容器内部和容器外部之间延伸的通孔。通孔可以是导电的。

14、该容器可以包括导电特征。

15、容器和集成电路可以共同封装。

16、该系统可以包括天线,该天线被配置为无线地发送与磁场相关联的信息。

17、所述至少一种粒子可以包括多种粒子。

18、本公开的另一个方面是一种具有磁场测量的封装中系统(sip)。sip包括:容器;所述容器内的至少一种粒子,其中所述至少一种粒子响应于磁场在所述容器中移动;测量电路,被配置为基于所述至少一种粒子的位置输出所述磁场的指示;以及封装结构,所述封装结构包围所述测量电路并包括开口,其中所述容器的至少一部分通过所述开口暴露。

19、该容器可以与集成电路堆叠在一起。测量电路包括集成电路的电路。

20、sip可以包括在封装结构的至少一部分上的保护层。

21、sip可以包括本文公开的系统的一个或多个合适的特征。

22、本公开的另一个方面是一种用于磁场测量的系统。该系统包括:容器;所述容器内的至少一种粒子,其中所述至少一种粒子响应于磁场在所述容器中移动;以及用于基于所述至少一种粒子的位置测量所述磁场的构件。

23、本公开的另一个方面是一种磁场测量方法。该方法包括提供其中具有粒子的容器,其中粒子响应于磁场而移动;以及利用与所述容器集成的集成电路上的电路,基于所述容器内的所述粒子的移动来产生指示所述磁场的信号。

24、该方法可以使用根据本文公开的任何合适的原理和优点的系统来执行。

25、为了总结本公开的目的,本文已经描述了创新的某些方面、优点和新颖特征。应当理解,并非所有这些优点都可以根据任何特定实施例来实现。因此,创新可以以实现或优化本文所教导的一个优点或一组优点的方式来体现或实施,而不必实现本文所教导或建议的其他优点。

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【技术保护点】

1.一种用于磁场测量的系统,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一种粒子包括流体内的磁敏感粒子。

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述磁敏感粒子为微米级或更大。

4.根据权利要求2或3所述的系统,其中所述磁敏感粒子在所述流体中的迁移率在高于限定温度时相对于低于所述限定温度时不同。

5.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述至少一种粒子在磁敏感流体中。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一种粒子包括嵌入膜中的磁敏感粒子。

7.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器是密封的外壳。

8.根据前述权利要求中任一项所述的系统,还包括传感器,所述传感器被配置为向所述测量电路提供输出信号。

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述传感器包括磁传感器、电容传感器或微机电系统设备中的至少一种。

10.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器包括导电壳体,并且所述测量电路被配置为测量壳体电导。

11.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述测量电路被包括在光学测量系统中。

12.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述集成电路与所述容器垂直集成。

13.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述系统是包括包装结构的包装模块,并且所述包装结构中的开口使所述容器的至少一部分暴露。

14.根据前述权利要求中任一项所述的系统,还包括与所述容器集成的磁性结构。

15.根据权利要求14所述的系统,其中所述磁性结构被配置为提供偏置。

16.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器包括在所述容器的内部和所述容器的外部之间延伸的导电通路。

17.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器和所述集成电路被共同封装。

18.根据前述权利要求中任一项所述的系统,还包括天线,所述天线被配置为无线地发送与所述磁场相关联的信息。

19.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述至少一种粒子包括多种粒子。

20.一种具有磁场测量的封装中系统(SIP),所述SIP包括:

21.根据权利要求20所述的SIP,其中所述容器堆叠有集成电路,并且所述测量电路包括所述集成电路的电路。

22.根据权利要求20或21所述的SIP,还包括在所述封装结构的至少一部分上的保护层。

23.一种用于磁场测量的系统,所述系统包括:

24.一种磁场测量方法,所述方法包括:

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于磁场测量的系统,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一种粒子包括流体内的磁敏感粒子。

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述磁敏感粒子为微米级或更大。

4.根据权利要求2或3所述的系统,其中所述磁敏感粒子在所述流体中的迁移率在高于限定温度时相对于低于所述限定温度时不同。

5.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述至少一种粒子在磁敏感流体中。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一种粒子包括嵌入膜中的磁敏感粒子。

7.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器是密封的外壳。

8.根据前述权利要求中任一项所述的系统,还包括传感器,所述传感器被配置为向所述测量电路提供输出信号。

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述传感器包括磁传感器、电容传感器或微机电系统设备中的至少一种。

10.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述容器包括导电壳体,并且所述测量电路被配置为测量壳体电导。

11.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述测量电路被包括在光学测量系统中。

12.根据前述权利要求中任一项所述的系统,其中所述集成电路与所述容器垂直集成。

【专利技术属性】
技术研发人员:A·J·奥唐奈J·卡尔皮玛拉维拉A·伯杜克S·布莱德利J·施密特J·库比克S·约隆德科维奇P·L·菲兹格拉德E·E·恩格利什G·P·考斯格拉维M·P·林奇
申请(专利权)人:亚德诺半导体国际无限责任公司
类型:发明
国别省市:

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