【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种温度控制装置、芯片测试设备及温度控制方法。
技术介绍
1、芯片测试技术中，由于芯片测试设备自身的发热及测试车间内的温度变化，导致芯片测试台上的温度难以控制，同一芯片在不同温度下的测试数据具有较大变化，难以确定芯片的真实性能数据，因此需要对芯片测试台的温度进行控制以获取真实的性能数据。然而，温度控制难度较大，控制温度时容易产生电磁干扰等因素影响芯片测试数据的准确性。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种温度控制装置，能够降低芯片测试环境温度控制的难度，有益于提高芯片测试数据的准确性。
2、本申请还提出一种包括上述温度控制装置的芯片测试设备。
3、本申请还提出一种采用上述温度控制装置进行温度控制的温度控制方法。
4、根据本申请的第一方面实施例的温度控制装置，包括承载台和温控模块，承载台用于承载芯片，承载台设有中空腔体；
5、温控模块包括温控组件和进气组件，温控组件与进气组件连接，进气组件上设有进气通道，进气通道的一端用于连通气源，进气通道的另一端与中空腔体连通；
6、其中，温控组件朝向进气组件的一侧能够制热和制冷，温控组件与进气组件之间能够进行热传递，以调节流经进气通道的气体的温度，中空腔体能够接收来自进气通道的气体，以改变承载台表面的温度。
7、根据本申请实施例的温度控制装置，至少具有如下有益效果：温控组件与进气组件连接，温控组件能够
8、根据本申请的一些实施例，进气通道包括至少两段进气段，相邻的两进气段之间连通，且相邻两进气段的延伸方向相交；
9、其中，温控组件能够制热并向各进气段内传递热量，以加热流经各进气段的气体；
10、或者，温控组件能够制冷并接收来自各进气段内的热量，以冷却流经各进气段的气体。
11、根据本申请的一些实施例，进气组件包括第一导热件与第一密封件，第一导热件上设有容纳槽，第一密封件可拆卸连接于第一导热件的容纳槽中，第一密封件朝向容纳槽的一侧与容纳槽的底壁共同合围出进气通道。
12、根据本申请的一些实施例，温控模块包括多个温控组件，多个温控组件均与进气组件连接，各温控组件均设有朝向进气组件的进气侧，以及，背离进气组件的出气侧，各温控组件能够通电以使进气侧制热或制冷，并能够通过改变电流方向使得进气侧在制热与制冷之间转换；
13、其中，在进气侧制热时，出气侧制冷；在进气侧制冷时，出气侧制热。
14、根据本申请的一些实施例，温控模块还包括出气组件，出气组件与温控组件连接，出气组件位于温控组件背离进气组件的一侧，出气组件上设有出气通道，出气通道与中空腔体连通；
15、其中，温控组件包括朝向进气组件的进气侧和朝向出气组件的出气侧，出气组件与温控组件之间也能够进行热传递，出气通道能够接收来自中空腔体的气体，温控组件配置为在进气侧制冷时，出气侧制热，温控组件产生的热量能够被流经出气通道内的气体携带流出；
16、或者，温控组件配置为在进气侧制热时出气侧制冷，温控组件能够吸收流经出气通道内的气体的热量。
17、根据本申请的一些实施例，出气组件包括至少两段出气段，相邻的两出气段之间连通，且相邻两出气段的延伸方向相交；
18、其中，温控组件能够在进气侧制冷时出气侧制热，温控组件产生的热量能够被出气段内的气体带出；
19、或者，温控组件能够在进气侧制热时出气侧制冷，温控组件的出气侧能够吸收流经出气段内的气体的热量。
20、根据本申请第二方面实施例的芯片测试设备，包括设备主体和上述任一实施例中的温度控制装置，温度控制装置与设备主体连接，温度控制装置用于在设备主体的内部调节温度。
21、根据本申请实施例的芯片测试设备，至少具有如下有益效果：温度控制装置设置在设备主体的内部，能够调节设备主体的内部温度，使设备主体内部的温度处于预设温度区间内，有益于提高芯片测试数据的准确性。
22、根据本申请的第三方面实施例的温度控制方法，采用上述任一实施例中的温度控制装置调节温度，温度控制方法包括温度检测和温度保持步骤，温度检测步骤中，检测承载台的温度，并将温度参数反馈至控制系统；
23、温度保持步骤中，控制系统判断温度参数是否处于预设温度区间内，当温度参数低于预设温度区间内的最小值时，控制系统控制温控组件制热以加热流经进气通道的气体，并将加热后的气体注入承载台上的中空腔体内，以提高承载台的温度，使承载台的温度参数处于预设温度区间内；
24、或者，当温度参数高于预设温度区间内的最大值时，控制系统控制温控组件制冷以冷却流经进气通道的气体，并将制冷后的气体注入中空腔体内，以降低承载台的温度，使承载台的温度参数处于预设温度区间内。
25、根据本申请实施例的温度控制方法，至少具有如下有益效果：控制系统能够通过控制电流的方向来控制温控组件朝向进气通道一侧的制冷或制热，并在承载台的温度较高时，控制温控组件制冷以冷却进气通道内的气体，冷却后的气体注入承载台的中空腔体中，降低承载台的温度；或者，在承载台的温度较低时控制温控组件制热以加热进气通道内的气体，加热后的气体注入承载台的中空腔体中，提高承载台的温度。由此，通过温控组件实现气体的加热或冷却，从而调节承载台的温度，便于实现，且气体不会干扰芯片的测试，有益于提高芯片测试数据的准确性。
26、根据本申请的一些实施例，预设温度区间的取值范围为23℃～27℃。
27、根据本申请的一些实施例，在温度保持步骤中，温控组件的一侧设有进气通道，温控组件背离进气通道的一侧设有出气通道，当温度参数高于预设温度区间值时，温控组件在朝向进气通道的一侧制冷，并在朝向出气通道的一侧制热，进气通道内的气体注入中空腔体，中空腔体内的气体排出至出气通道中，气体流经出气通道带走温控组件产生的热量；
28、或者，当温度参数低于预设温度区间值时，温控组件在朝向进气通道的一侧制热，并在朝向出气通道的一侧制冷，进气通道内的气体注入中空腔体，中空腔体内的气体排出至出气通道中，温控组件吸收流经出气通道内的气体的热量。
29、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种温度控制装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述进气通道包括至少两段进气段，相邻的两所述进气段之间连通，且相邻两所述进气段的延伸方向相交；
3.根据权利要求2所述的温度控制装置，其特征在于，所述进气组件包括第一导热件与第一密封件，所述第一导热件上设有容纳槽，所述第一密封件可拆卸连接于所述第一导热件的所述容纳槽中，所述第一密封件朝向所述容纳槽的一侧与所述容纳槽的底壁共同合围出所述进气通道。
4.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控模块包括多个所述温控组件，多个所述温控组件均与所述进气组件连接，各所述温控组件均设有朝向所述进气组件的进气侧，以及，背离所述进气组件的出气侧，各所述温控组件能够通电以使所述进气侧制热或制冷，并能够通过改变电流方向使得所述进气侧在制热与制冷之间转换；
5.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控模块还包括出气组件，所述出气组件与所述温控组件连接，所述出气组件位于所述温控组件背离所述进气组件的一侧，所述出气组件上设有出气通道，所述出气
6.根据权利要求5所述的温度控制装置，其特征在于，所述出气组件包括至少两段出气段，相邻的两所述出气段之间连通，且相邻两所述出气段的延伸方向相交；
7.一种芯片测试设备，其特征在于，包括：
8.一种温度控制方法，采用权利要求1至6中任一项所述的温度控制装置调节温度，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，所述预设温度区间的取值范围为23℃～27℃。
10.根据权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，在所述温度保持步骤中，所述温控组件的一侧设有所述进气通道，所述温控组件背离所述进气通道的一侧设有出气通道，当所述温度参数高于所述预设温度区间值时，所述温控组件在朝向所述进气通道的一侧制冷，并在朝向所述出气通道的一侧制热，所述进气通道内的所述气体注入所述中空腔体，所述中空腔体内的所述气体排出至所述出气通道中，所述气体流经所述出气通道带走所述温控组件产生的热量；
...【技术特征摘要】
1.一种温度控制装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述进气通道包括至少两段进气段，相邻的两所述进气段之间连通，且相邻两所述进气段的延伸方向相交；
3.根据权利要求2所述的温度控制装置，其特征在于，所述进气组件包括第一导热件与第一密封件，所述第一导热件上设有容纳槽，所述第一密封件可拆卸连接于所述第一导热件的所述容纳槽中，所述第一密封件朝向所述容纳槽的一侧与所述容纳槽的底壁共同合围出所述进气通道。
4.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控模块包括多个所述温控组件，多个所述温控组件均与所述进气组件连接，各所述温控组件均设有朝向所述进气组件的进气侧，以及，背离所述进气组件的出气侧，各所述温控组件能够通电以使所述进气侧制热或制冷，并能够通过改变电流方向使得所述进气侧在制热与制冷之间转换；
5.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控模块还包括出气组件，所述出气组件与所述温控组件连接，所述出气组件位于所述温控组件背离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林生财，肖乐，
申请(专利权)人：矽电半导体设备深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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