【技术实现步骤摘要】
本申请属于电子专用材料，具体涉及一种电子专用ald(atomic layerdeposition，原子层沉积)材料合成的成套设备。
技术介绍
1、电子专用产品，如半导体元件，对于产品纯度的要求很高，产品纯度直接影响电子专用产品的性能。现有的电子专用ald材料制备所用的设备多采用玻璃，搪玻璃和工业钢衬材质，设备材质与各介质的兼容性差且设备过流部位的表面粗糙度要求低。设备机械搅拌和输送泵等现有设备多采用工业法兰接口和填料机械密封，设备整体密闭性无法满足反应物料禁水禁氧的要求和整体漏率的要求。导致产品纯度和质量批次稳定差，增大了产品后续提纯工艺的难度和成本。
2、因此，亟需提出一种电子专用ald材料合成的成套设备，能够提高电子专用ald材料的纯度和批次质量稳定性。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种电子专用ald材料合成的成套设备。
2、为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：
3、本申请提出一种电子专用ald材料合成的成套设备，包括：
4、第一反应器、第二反应器、第一滴加控制装置、第一定量加料装置、第二定量加料装置和第二滴加控制装置；所述第一滴加控制装置用于将第一液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一定量加料装置用于将第二液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一液相反应物与所述第二液相反应物于所述第一反应器中生成液相中间体，所述液相中间体通过惰性气体压料至第二反应器中；第三液相反应物通
5、所述第一液相反应物包括：金属烷基化合物；
6、所述第二液相反应物包括：有机胺；
7、所述第三液相反应物包括：含有过渡金属的原料。
8、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一滴加控制装置包括：第一控制模组、第一计量模组和第一阀件，所述第一控制模组与所述第一计量模组、所述第一阀件电连接。
9、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第二滴加控制装置包括：第二控制模组和第二阀件，所述第二控制模组与所述第二阀件电连接。
10、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一滴加控制装置、所述第二滴加控制装置还包括：温度变送器和压力变送器，所述温度变送器、所述压力变送器分别经对应的控制模组控制。
11、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一定量加料装置、所述第一滴加控制装置与所述第一反应器的管道密闭连接；所述第二定量加料装置、所述第二滴加控制装置与所述第二反应器的管道密闭连接。
12、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，还包括：旋蒸装置，所述旋蒸装置用于对所述产物进行分离纯化得到产品。
13、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一反应器与所述第二反应器均采用磁力搅拌。
14、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一反应器和所述第二反应器内部采用不锈钢或钛或镍合金材料制成。
15、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一反应器、所述第一定量加料装置、所述第一滴加控制装置、所述第二反应器、所述第二定量加料装置和所述第二滴加控制装置的内部过流部分均采用包括机械抛光和电解抛光，形成金属氧化膜；优选地，所述第一反应器、所述第一定量加料装置、所述第一滴加控制装置、所述第二反应器、所述第二定量加料装置和所述第二滴加控制装置的内部过流部分采用包括机械抛光、电解抛光和化学抛光。
16、进一步地，上述的电子专用ald材料合成的成套设备，其中，所述第一定量加料装置、所述第二定量加料装置的加料方式均在惰性气体的保护下，利用气压进行推送。
17、与现有技术相比，本申请具有如下技术效果：
18、本申请利用两步反应法，配合称量装置的精确称量及滴加控制装置精准控制反应物的加入速度及加入量，使得电子专用ald材料的合成收率提高了10％～15％，反应时间缩短了30％～50％，滴加精度≤0.5％。。
19、本申请的反应设备的连接处采用管道密闭连接和真空kf(klein flansche，小法兰)法兰的方式，确保体系的密闭程度，同时也有利于体系中的压力稳定，利用气压推动加料，避免杂质混入，提高产品纯度，最终产品金属元素杂质含量小于100ppb。
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1.一种电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，包括：第一反应器、第二反应器、第一滴加控制装置、第一定量加料装置、第二定量加料装置和第二滴加控制装置；所述第一滴加控制装置用于将第一液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一定量加料装置用于将第二液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一液相反应物与所述第二液相反应物于所述第一反应器中生成液相中间体，所述液相中间体通过惰性气体压料至第二反应器中；第三液相反应物通过第二定量加料装置和第二滴加控制装置加入第二反应器中，与液相中间体反应生成产物；
2.根据权利要求1所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一滴加控制装置包括：第一控制模组、第一计量模组和第一阀件，所述第一控制模组与所述第一计量模组、所述第一阀件电连接。
3.根据权利要求2所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第二滴加控制装置包括：第二控制模组和第二阀件，所述第二控制模组与所述第二阀件电连接。
4.根据权利要求3所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一滴加控制装置、所述第二滴加控制装置还
5.根据权利要求1至4任一项所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一定量加料装置、所述第一滴加控制装置与所述第一反应器管道密闭连接；所述第二定量加料装置、所述第二滴加控制装置与所述第二反应器管道密闭连接。
6.根据权利要求1至4任一项所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，还包括：旋蒸装置，所述旋蒸装置用于对所述产物进行分离纯化。
7.根据权利要求1至4任一项所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一反应器与所述第二反应器均采用磁力搅拌。
8.根据权利要求1至4任一项所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一反应器和所述第二反应器内部采用不锈钢或钛或镍合金材料制成。
9.根据权利要求7所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一反应器、所述第一定量加料装置、所述第一滴加控制装置、所述第二反应器、所述第二定量加料装置和所述第二滴加控制装置的内部过流部分均采用包括机械抛光和电解抛光，形成金属氧化膜。
10.根据权利要求1至4任一项所述的电子专用ALD材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一定量加料装置、所述第二定量加料装置的加料方式均在惰性气体的保护下，利用气压进行推送。
...【技术特征摘要】
1.一种电子专用ald材料合成的成套设备，其特征在于，包括：第一反应器、第二反应器、第一滴加控制装置、第一定量加料装置、第二定量加料装置和第二滴加控制装置；所述第一滴加控制装置用于将第一液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一定量加料装置用于将第二液相反应物滴加进第一反应器中，所述第一液相反应物与所述第二液相反应物于所述第一反应器中生成液相中间体，所述液相中间体通过惰性气体压料至第二反应器中；第三液相反应物通过第二定量加料装置和第二滴加控制装置加入第二反应器中，与液相中间体反应生成产物；
2.根据权利要求1所述的电子专用ald材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一滴加控制装置包括：第一控制模组、第一计量模组和第一阀件，所述第一控制模组与所述第一计量模组、所述第一阀件电连接。
3.根据权利要求2所述的电子专用ald材料合成的成套设备，其特征在于，所述第二滴加控制装置包括：第二控制模组和第二阀件，所述第二控制模组与所述第二阀件电连接。
4.根据权利要求3所述的电子专用ald材料合成的成套设备，其特征在于，所述第一滴加控制装置、所述第二滴加控制装置还包括：温度变送器和压力变送器，所述温度变送器、所述压力变送器分别经对应的控制模组控制。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：王国栋，董兴玉，陆翔，张文静，程秀萍，王舒婷，谢辰辰，
申请(专利权)人：江苏容导半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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