【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体材料，具体涉及一种氧化铝的制备工艺。
技术介绍
1、现有的异丙醇铝合成方法主要是铝与异丙醇在85℃左右，采用金属氯化物催化合成。该反应的反应时间较长，同时会引入其他杂质，增加后期的提纯难度，同时大量氯化氢副产物的产生对环境不友好。
2、因此，亟需提出一种氧化铝的制备工艺。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种氧化铝的制备工艺。
2、为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：
3、本申请提出一种氧化铝的制备工艺，包括如下步骤：
4、s10、合成异丙醇铝：将铝粉和异丙醇加入至反应仪中进行反应混合，再加入二氯乙基铝充分反应，经减压蒸馏得到异丙醇铝；
5、s20、异丙醇铝水解：将异丙醇铝放在恒温水浴锅中连续加异丙醇铝溶液得到氧化铝前驱体；
6、s30、煅烧：将氧化铝前驱体进行烧结得到氧化铝。
7、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，步骤s10中异丙醇铝和铝粉的摩尔比为4：1。
8、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，步骤s10中二氯乙基铝质量为异丙醇和铝粉总质量的1％～3％。
9、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，加入二氯乙基铝充分反应的时长为4h～6h。
10、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，步骤s20中连续添加的异丙醇铝溶液的浓度为5％～30％。
11、进一步地，上述
12、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，步骤s10中所述混合是在40℃～50℃的条件下反应25min～35min。
13、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，步骤s10中所述充分反应是在85℃～95℃的条件下反应4h～5h。
14、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，所述恒温水浴锅的温度为80℃～90℃。
15、进一步地，上述的氧化铝的制备工艺，其中，所述煅烧所用温度为1000℃～1300℃。
16、与现有技术相比，本申请具有如下技术效果：
17、本申请通过采用二氯乙基铝作为催化剂合成异丙醇铝，接着进行水解煅烧得到高纯氧化铝，改变了催化剂活性，以提高反应效率和转化率，缩短反应时间，同时也避免引入其他金属杂质，提高了纯度。并且，减少了氯化氢等气体的产生，降低了污染，缓解了反应设备的腐蚀情况，延长了反应设备的使用寿命，便于尾气处理。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种氧化铝的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S10中异丙醇铝和铝粉的摩尔比为4：1。
3.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S10中二氯乙基铝质量为异丙醇和铝粉总质量的1％～3％。
4.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，加入二氯乙基铝充分反应的时长为4h～6h。
5.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S20中连续添加的异丙醇铝溶液的浓度为5％～30％。
6.根据权利要求1至5任一项所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S10中反应仪包括平行反应仪。
7.根据权利要求1至5任一项所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S10中所述混合是在40℃～50℃的条件下反应25min～35min。
8.根据权利要求1至5任一项所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤S10中所述充分反应是在85℃～95℃的条件下反应4h～5h。
9.根据权利要求1至5任一项所述的氧化铝的制备
10.根据权利要求1或2所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，所述煅烧所用温度为1000℃～1300℃。
...【技术特征摘要】
1.一种氧化铝的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤s10中异丙醇铝和铝粉的摩尔比为4：1。
3.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤s10中二氯乙基铝质量为异丙醇和铝粉总质量的1％～3％。
4.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，加入二氯乙基铝充分反应的时长为4h～6h。
5.根据权利要求1所述的氧化铝的制备工艺，其特征在于，步骤s20中连续添加的异丙醇铝溶液的浓度为5％～30％。
6.根据权利要求1至5任一项所述的氧化铝的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：王国栋，董兴玉，陆翔，张文静，
申请(专利权)人：江苏容导半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。