【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有金属填充结构的电熔丝(e-fuse)和制造方法。
技术介绍
1、电熔丝(电子熔丝)是在集成电路中使用的微小熔丝。该技术允许对半导体芯片进行动态实时重新编程。通过利用一组电熔丝，例如，芯片制造商可以允许电路在其运行的同时被编程。然而，电熔丝需要高电流来编程，并且需要大的面积(即，较高的成本)来制造。
技术实现思路
1、在本公开的一方面，一种结构包括：绝缘体材料；电熔丝结构，其位于所述绝缘体材料上；多个加热器，其位于所述绝缘体材料上并在所述电熔丝结构的侧面定位；以及导电填充材料，其位于所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间内。
2、在本公开的一方面，一种结构包括：电熔丝结构，其包括半导体材料和侧壁隔离物(spacer)；多个加热器，其包括所述半导体材料和所述侧壁隔离物；以及金属填充材料，其位于所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间内。
3、在本公开的一方面，一种方法包括：在绝缘体材料上形成电熔丝结构；形成位于所述绝缘体材料上并在所述电熔丝结构的侧面定位的多个加热器；以及在所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间内形成导电填充材料。
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述导电填充材料包括金属填充材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料完全填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述导电填充材料接触所述电熔丝结构和所述多个加热器。
5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料包括位于所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的分立岛。
6.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料在所述电熔丝结构和所述多个加热器的表面上方延伸。
7.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料部分地填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间。
8.根据权利要求7所述的结构，还包括位于所述导电填充材料与所述电熔丝结构和所述多个加热器之间的绝缘体材料。
9.根据权利要求2所述的结构，还包括位于所述电熔丝结构和所述多个加热器上的硅化物接触。
10.根据权利要求2所述的结构，还包括位于所述电熔丝结构上的硅化物接触。
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12.根据权利要求2所述的结构，其中，所述电熔丝包括阳极、阴极以及在所述阳极与所述阴极之间延伸的部分，并且所述导电填充材料沿着所述阳极与所述阴极之间的所述部分的长度延伸。
13.一种结构，包括：
14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述金属填充材料完全填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的所述空间。
15.根据权利要求13所述的结构，其中，所述金属填充材料部分地填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的所述空间。
16.根据权利要求13所述的结构，其中，所述金属填充材料包括位于所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的分立岛。
17.根据权利要求13所述的结构，其中，所述金属填充材料、所述电熔丝结构和所述多个加热器位于隔离材料上。
18.根据权利要求13所述的结构，其中，所述金属填充材料沿着所述电熔丝结构的阳极与阴极之间的所述电熔丝结构的长度延伸。
19.根据权利要求13所述的结构，还包括至少位于所述电熔丝结构上的硅化物接触。
20.一种方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述导电填充材料包括金属填充材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料完全填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述导电填充材料接触所述电熔丝结构和所述多个加热器。
5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料包括位于所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的分立岛。
6.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料在所述电熔丝结构和所述多个加热器的表面上方延伸。
7.根据权利要求2所述的结构，其中，所述导电填充材料部分地填充所述电熔丝结构与所述多个加热器之间的空间。
8.根据权利要求7所述的结构，还包括位于所述导电填充材料与所述电熔丝结构和所述多个加热器之间的绝缘体材料。
9.根据权利要求2所述的结构，还包括位于所述电熔丝结构和所述多个加热器上的硅化物接触。
10.根据权利要求2所述的结构，还包括位于所述电熔丝结构上的硅化物接触。
11.根据权利要求2所述的结构，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·潘迪，R·克里希纳萨米，V·贾因，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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