【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例一般地涉及电路结构。更具体地，本公开的实施例提供了用于诸如电阻式随机存取存储器(reram)的存储器元件的结构和方法。
技术介绍
1、诸如电阻式随机存取存储器(reram)的存储器元件是数字存储器技术中一个新兴且有吸引力的领域。reram技术可以使用具有可变电阻的可编程元件来指示高电压和低电压。数据可以通过改变电阻式存储器元件的电阻而被输入到电阻式存储器元件中，并且数据可以通过测量在对元件进行编程之后的跨元件两端的电压降而被从电阻式存储器元件读取。与存储器元件的形成相关联的技术挑战是在不包括存储器元件的器件的各部分中存在残余材料。形成某些类型的存储器元件会产生金属残留物，在某些情况下，该金属残留物可能干扰用于实现逻辑或其他功能的其他电路。
技术实现思路
1、本文提及的所有方面、示例和特征可以以任何在技术上可能的方式进行组合。
2、本文公开的实施例提供了一种结构，其包括：存储器元件，其位于绝缘体层的第一部分上方，其中，所述存储器元件的一部分包括位于所述绝缘体层上方的侧壁；隔离物，其与所述存储器元件的所述侧壁相邻，并且位于所述绝缘体层的所述第一部分上；以及金属-电介质层，其位于所述隔离物与所述侧壁之间的界面和所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的界面中的一者内，其中，所述绝缘体层包括与所述第一部分相邻的第二部分，并且所述第二部分上不包括所述存储器元件、所述隔离物和所述金属-电介质层。
3、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述
4、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
5、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述金属-电介质层基本上为l形。
6、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及还包括位于所述绝缘体层的所述第二部分内的逻辑电路，其中，所述绝缘体层的所述第一部分中不包括所述逻辑电路。
7、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述存储器元件的所述部分包括电阻式随机存取存储器reram堆叠的下电极，并且所述reram堆叠的上电极位于所述下电极和所述金属-电介质层上方。
8、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述隔离物包括硬掩蔽材料。
9、本文公开的实施例提供了一种结构，其包括：电阻式随机存取存储器reram堆叠，其包括：位于绝缘体层的第一部分上方的下电极，所述下电极具有位于所述绝缘体层上方的侧壁，以及位于所述下电极上方的上电极；隔离物，其与所述下电极的所述侧壁相邻且位于所述绝缘体层的所述第一部分上；以及金属-电介质层，其位于所述隔离物与所述侧壁之间的界面和所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的界面中的一者内，其中，所述绝缘体层包括与所述第一部分相邻的第二部分，并且所述第二部分上不包括所述reram堆叠、所述隔离物和所述金属-电介质层。
10、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物和所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
11、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述金属-电介质层基本上为l形。
12、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及还包括位于所述绝缘体层的所述第二部分内的逻辑电路，其中，所述绝缘体层的所述第一部分中不包括所述逻辑电路。
13、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述隔离物包括硬掩蔽材料。
14、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述reram堆叠的所述上电极位于所述金属-电介质层上方。
15、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述隔离物包括与所述金属-电介质层相对的外侧壁，所述隔离物的所述外侧壁上没有所述金属-电介质层。
16、本文公开的实施例提供了一种方法，其包括：在绝缘体层的第一部分上方形成存储器元件，其中，所述存储器元件的一部分包括位于所述绝缘体层上方的侧壁；在所述绝缘体层和所述存储器元件上形成金属-电介质层；以及与所述存储器元件的所述侧壁相邻地且在所述绝缘体层的所述第一部分上形成隔离物，其中，形成所述隔离物将所述金属-电介质层限制在所述隔离物与所述侧壁之间的界面和所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的界面中的一者内，并且所述绝缘体层包括第二部分，所述第二部分上没有所述存储器元件、所述隔离物和所述金属-电介质层。
17、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，形成所述存储器元件包括在所述绝缘体层上方形成电阻式随机存取存储器reram堆叠。
18、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述隔离物包括与所述金属-电介质层相对的外侧壁，所述隔离物的所述外侧壁上没有所述金属-电介质层。
19、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及还包括在所述绝缘体层的所述第二部分内形成逻辑电路，其中，所述绝缘体层的所述第一部分中不包括所述逻辑电路。
20、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，形成所述存储器元件包括：形成所述存储器元件的下电极；以及在所述下电极上形成所述存储器元件的上电极，其中，所述上电极包括：电介质层，其位于所述下电极上，以及导电材料，其位于所述电介质层上且位于所述下电极上方，其中，所述金属-电介质层位于所述存储器元件的所述下电极和所述上电极中的一者的侧壁上。
21、本公开的另一方面包括前述方面中的任一项，以及其中，所述隔离物包括硬掩蔽材料。
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1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器元件包括电阻式随机存取存储器ReRAM堆叠。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述金属-电介质层基本上为L形。
5.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述绝缘体层的所述第二部分内的逻辑电路，其中，所述绝缘体层的所述第一部分中不包括所述逻辑电路。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器元件的所述部分包括电阻式随机存取存储器ReRAM堆叠的下电极，并且所述ReRAM堆叠的上电极位于所述下电极和所述金属-电介质层上方。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述隔离物包括硬掩蔽材料。
8.一种结构，包括：
9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物和所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
<...【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器元件包括电阻式随机存取存储器reram堆叠。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物与所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述金属-电介质层基本上为l形。
5.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述绝缘体层的所述第二部分内的逻辑电路，其中，所述绝缘体层的所述第一部分中不包括所述逻辑电路。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器元件的所述部分包括电阻式随机存取存储器reram堆叠的下电极，并且所述reram堆叠的上电极位于所述下电极和所述金属-电介质层上方。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述隔离物包括硬掩蔽材料。
8.一种结构，包括：
9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述金属-电介质层从所述隔离物与所述侧壁之间的所述界面延伸到所述隔离物和所述绝缘体层的所述第一部分之间的所述界面。
10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述金属-电介质层基本上为l形。
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·V·塞德尔，张淑禧，A·伏罗诺娃，孙永顺，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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