高分子半导体制造技术

一种式（Ⅰ）的高分子半导体，其中Ｘ独立地选自Ｓ、Ｓｅ、Ｏ和ＮＲ，其中Ｒ独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和－ＣＮ；Ａｒ独立地为共轭的二价部分；ａ为１至约１０的整数；并且ｎ为２至约５，０００的整数。所得高分子半导体适于在有机薄膜晶体管中使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术在多个实施方案中涉及适于在电子装置例如薄膜晶体管(TFT)中使用的组合物和方法。本专利技术还涉及使用所述组合物和方 法制成的构件或层，以及含有所述材料的电子装置。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是现代电子设备包括例如传感器、图像扫描器 和电子显示装置的基本构件。使用当前主流硅技术的TFT电路对于一些 应用来说可能成本过高，特别是对于其中高切换速度并非必需的大面积 的电子装置，例如显示器的底板开关电路(例如活性基质液晶监视器或 电视机)。基于硅的TFT电路的高成本主要是由于使用了资金密集型硅 生产设备，以及需要对环境进行严格控制的复杂的高温、高真空光刻制 造方法。通常希望制备不仅具有低得多的生产成本而且具有吸引人的机 械性能例如结构紧凑、重量轻而且柔韧的TFT。有机薄膜晶体管(OTFT ) 可适于那些不需要高切换速度或高密度的应用。TFT通常由一个支承基底、三个电传导电极(栅极、源极和漏极)、 一个沟道半导体层，和一个将栅极与半导体层分开的电绝缘栅介电层组 成。改进已知TFT的性能让人期待。可通过至少三种性质来检测性能 迁移率、开/关电流比以及阈值电压。迁移率以cm2/V.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式（Ⅰ）的高分子半导体：　＊＊＊　式（Ⅰ）　其中Ｘ独立地选自Ｓ、Ｓｅ、Ｏ和ＮＲ，其中Ｒ独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和－ＣＮ；　Ａｒ独立地为共轭的二价部分；　ａ为１至约１０的整数； 并且　ｎ为２至约５，０００的整数。

【技术特征摘要】
US 2008-8-18 12/1931521.一种式(I)的高分子半导体式(I)其中X独立地选自S、Se、O和NR，其中R独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基和-CN；Ar独立地为共轭的二价部分；a为1至约10的整数；并且n为2至约5,000的整数。2. 权利要求1的高分子半导体，其中每一个X为O。3. 权利要求l的高分子半导体，其中每一个Ar为选自以下的共 扼的二价部分及其结合，其中R，独立地选自氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基、杂芳基或-CN;并且所述二价部分可被烷基、被取代的 烷基、芳基、被取代的芳基、杂芳基、囟素、-CN或-N02外围取代。4.权利要求1的高分子半导体，其中Ar为其中A为具有1至约20个碳原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y李，
申请(专利权)人：施乐公司，
类型：发明
国别省市：US[]