【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷基板，特别是涉及一种片式高温共烧陶瓷基板及其制备方法。
技术介绍
1、现有的盖板技术工艺是采用的拉伸工艺路线，这条工艺路线存在的缺点就是，精度不高，在成型之后，客户端使用时，造成的数据误差较大。因此，且现有的陶瓷底板工艺是采用的激光切割，这条工艺路线存在的缺点就是，切割后，尺寸偏差比较大，残留的粉尘较多，会对产品造成污染。采用预切的方式，通过对刀模的刀尖加工精度控制，以及方案设计，将公差管控在0.01mm以内，才能充分保障预切后产品的外形精度以及产品外观无毛刺、污染、残留等现象造成的不良。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种片式高温共烧陶瓷基板及其制备方法，以解决上述现有技术存在的问题，解决了整板陶瓷基板封装芯片和封装盖板的工艺难题，提高了制作效率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：本专利技术提供一种片式高温共烧陶瓷基板，包括凸帽盖板和陶瓷底板，所述凸帽盖板密封扣合在所述陶瓷底板上，所述凸帽盖板与所述陶瓷底板之间设有用于安装芯片的容纳腔体，所述容纳腔体由第一容纳部和第二容纳部拼接组成，所述第一容纳部设置在所述凸帽盖板上，所述第二容纳部设置在所述陶瓷底板上。
3、优选的，所述凸帽盖板采用可伐材质制作而成，并密封钎焊在所述陶瓷底板上。
4、优选的，所述凸帽盖板的一面扣合在所述陶瓷底板上，并设有所述第一容纳部，所述凸帽盖板的另一面的外周边缘设有与所述陶瓷底板密封钎焊的焊沿。
5、优选的，所述陶瓷底板
6、优选的，所述陶瓷底板的金属化厚度≥0.3mm。
7、优选的，所述陶瓷底板采用蚀刻工艺制作而成。
8、优选的，所述凸帽盖板采用蚀刻工艺制作而成。
9、优选的，所述凸帽盖板采用冲压工艺制作而成。
10、还提供一种片式高温共烧陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：
11、s1、制备凸帽盖板和陶瓷底板；
12、s2、采用整版蚀刻工艺，蚀刻所述凸帽盖板和所述陶瓷底板至相应结构；
13、s3、采用钎焊工艺将所述凸帽盖板密封钎焊在所述陶瓷底板上；
14、s4、将相连接的所述凸帽盖板和所述陶瓷底板进行裁切至相应尺寸。
15、优选的，在s4步骤中，通过设计刀模和刀模的刀尖加工精度，采用预切工艺，完成对所述凸帽盖板和所述陶瓷底板的裁切。
16、本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
17、本专利技术是整板交样，由整板陶瓷底板和整板凸帽盖板组成，为保证客户端在使用时的精度更加准确，凸帽盖板由现有技术中的单颗拉伸工艺，更改为整板制作工艺，优选凸帽盖板采用蚀刻工艺制作而成，来控制精度，将尺寸的公差范围缩小至0.01mm之内，从而实现和满足客户端与整板陶瓷底板配合使用的要求，提高良率，节约成本，产品外观、性能有保证、优化工艺路线、产品外形精度提高，更重要的是，现有技术中利用陶瓷底板的多层结构以制作出相应的容纳腔室，以能够对芯片进行容纳，盖板仅仅是对陶瓷底板的封盖作用，主要成本在陶瓷底板上，而本申请中利用单层陶瓷底板在其上制作出第二容纳部，利用凸帽盖板在其上制作处第一容纳部，以利用凸帽盖板的部分结构对芯片进行容纳，充分降低了陶瓷底板的厚度，进而充分降低了制作成本。
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1.一种片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，包括凸帽盖板和陶瓷底板，所述凸帽盖板密封扣合在所述陶瓷底板上，所述凸帽盖板与所述陶瓷底板之间设有用于安装芯片的容纳腔体，所述容纳腔体由第一容纳部和第二容纳部拼接组成，所述第一容纳部设置在所述凸帽盖板上，所述第二容纳部设置在所述陶瓷底板上。
2.根据权利要求1所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述凸帽盖板采用可伐材质制作而成，并密封钎焊在所述陶瓷底板上。
3.根据权利要求2所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述凸帽盖板的一面扣合在所述陶瓷底板上，并设有所述第一容纳部，所述凸帽盖板的另一面的外周边缘设有与所述陶瓷底板密封钎焊的焊沿。
4.根据权利要求2或3所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷底板为单层陶瓷结构。
5.根据权利要求4所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷底板的金属化厚度≥0.3mm。
6.根据权利要求5所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷底板采用蚀刻工艺制作而成。
7.根据权利要求6所述的片式高温共烧陶瓷基板，其
8.根据权利要求6所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述凸帽盖板采用冲压工艺制作而成。
9.一种应用如权利要求1至8任一项所述的片式高温共烧陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的片式高温共烧陶瓷基板的制备方法，其特征在于，在S4步骤中，通过设计刀模和刀模的刀尖加工精度，采用预切工艺，完成对所述凸帽盖板和所述陶瓷底板的裁切。
...【技术特征摘要】
1.一种片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，包括凸帽盖板和陶瓷底板，所述凸帽盖板密封扣合在所述陶瓷底板上，所述凸帽盖板与所述陶瓷底板之间设有用于安装芯片的容纳腔体，所述容纳腔体由第一容纳部和第二容纳部拼接组成，所述第一容纳部设置在所述凸帽盖板上，所述第二容纳部设置在所述陶瓷底板上。
2.根据权利要求1所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述凸帽盖板采用可伐材质制作而成，并密封钎焊在所述陶瓷底板上。
3.根据权利要求2所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述凸帽盖板的一面扣合在所述陶瓷底板上，并设有所述第一容纳部，所述凸帽盖板的另一面的外周边缘设有与所述陶瓷底板密封钎焊的焊沿。
4.根据权利要求2或3所述的片式高温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷底板为单层陶瓷结构。
【专利技术属性】
技术研发人员：刘永良，孙小堆，禹贵星，李亚荷，张培然，
申请(专利权)人：瓷金科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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