【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造，特别涉及一种晶圆片光刻胶图像获取装置及缺陷检测方法。
技术介绍
1、随着信息技术的迅猛发展，集成电路行业一直在不断推进着芯片制造技术的进步。光刻工艺是集成电路制造中至关重要的一环，它决定了芯片上的图形、电路等微细结构的制备。在光刻工艺中，光刻胶被用于传递光学图形，将设计好的图案投影到硅晶圆上。然而，光刻胶在制程中往往容易受到各种因素的影响，导致在晶圆片表面形成各种缺陷，如气泡、颗粒、裂纹等。这些缺陷不仅影响了芯片的制备质量，还可能导致产品的性能下降、故障率增加，甚至对整个电子产品的可靠性造成威胁。因此，高效、准确地检测和识别晶圆片光刻胶缺陷成为了提高芯片制造质量和稳定性的迫切需求。
2、传统的晶圆片光刻胶缺陷检测方法主要通过人工目测或简单的图像处理方法实现，然而这种方法检测精准度低，无法实现自动化检测。
技术实现思路
1、本专利技术目的是为了解决现有晶圆片光刻胶缺陷检测方法还存在无法实现自动化检测且检测精准度低的问题，而提出了一种晶圆片光刻胶图...
【技术保护点】
1.一种晶圆片光刻胶图像获取装置，其特征在于：所述装置包括：外框架(1)、面光源(2)、环形光源(3)、工业相机(4)、传输机构(5)；
2.一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于所述方法具体过程为：
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤二中的对晶圆片图像f1(x1，y1)进行滤波，获得增强后的晶圆片图像，具体为：
4.根据权利要求3所述的一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于：所述滤波器传递函数H(u，v)为高通滤波器传递函数Hh(u，v)或低通滤波器传递函数Hl(u，v)，具体为：>
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆片光刻胶图像获取装置，其特征在于：所述装置包括：外框架(1)、面光源(2)、环形光源(3)、工业相机(4)、传输机构(5)；
2.一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于所述方法具体过程为：
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤二中的对晶圆片图像f1(x1，y1)进行滤波，获得增强后的晶圆片图像，具体为：
4.根据权利要求3所述的一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于：所述滤波器传递函数h(u，v)为高通滤波器传递函数hh(u，v)或低通滤波器传递函数hl(u，v)，具体为：
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片光刻胶缺陷检测方法，其特征在于：所述步骤二二中的分别获取入射向量和反射向量的滤波处理结果，具体为：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李青岩，高涵，刘进，陈飞跃，顾溢杰，龚海，陈俊秀，
申请(专利权)人：上欧科技湖州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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