【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚焦离子束(FIB)显微镜的使用,其用于制备样品,供在 透射电子显微镜(TEM)中进行后续分析,还涉及便于进行这些活动的装 置。
技术介绍
在当前集成电路器件的器件区域和互连叠层中,结构化的人工制品, 甚至是某些结构化层可以小到不能用扫描电子显微镜(SEM)中的辅助电 子图像或者FIB来进行可靠检测,该显微镜可提供约为3nm的体表面图像 分辨率。与之相比,TEM检验可提供更精细的图像分辨率(<0.1nm),但 是需要安装在3mm直径栅格盘上的样品具有能透过电子(electron transparent) 100nm厚度)的部分。后来发展的技术可以用于切出或移走样本以用于检查,该检査很少需 要或者不需要在FIB中进行制备之前进行初始半导体模具样品的初步机械 制备。这些取样技术包括在FIB室外面进行的离位方法,以及在FIB 内进行的原位方法。这种原位取样技术是一系列FIB研磨和样品移动步骤,用于产生具体与位置相关的样本,用于在TEM或其他分析仪器中进行随后的观察。在原 位取样过程中,包含感兴趣区域的材料样品(通常是楔形的)首先通过FIB 中的离子 ...
【技术保护点】
一种用于制备TEM样品架的组件,所述组件包括: 至少一个探针末梢,所述探针末梢具有探针针尖;和 压机,用于将每个探针针尖接合到TEM样坯上并从该样坯上切出TEM样品架。
【技术特征摘要】
US 2003-11-11 60/519,046;US 2004-7-22 10/896,5961.一种用于制备TEM样品架的组件,所述组件包括至少一个探针末梢,所述探针末梢具有探针针尖;和压机,用于将每个探针针尖接合到TEM样坯上并从该样坯上切出TEM样品架。2. 根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述样坯还包括 片材;禾口一个或多个穿过所述片材的探针针尖间隙槽,用于将TEM样品架模板 连接到所述片材的边缘。3. 根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述片材包括一种金属, 其选自下列材料组成的组铜、钼、铝、金、银、镍和铍。4. 根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述片材具有表面瓦楞。5. 根据权利要求1所述的组件,其特征在于,所述样坯还包括对准孔,...
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