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用于具有屏蔽的跨电容性感测的传感器设备制造技术

技术编号:41288410 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:37
硅传感器设备包括:多个金属层;以及多个介电层。多个金属层中的每一个设置在相应的介电层上,并且其中多个金属层中的每一个通过相应的介电层与相邻的金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第二金属层,其中第二金属层包括用于多个发射器电极的多个布线迹线和多个屏蔽块;以及设置在第二金属层下方的一个或多个电路层。多个屏蔽块中的相应屏蔽块被配置成屏蔽多个接收器电极中的相应接收器电极的相应部分。

【技术实现步骤摘要】

所描述的实施例总体上涉及电子设备,并且更具体地,涉及电容性传感器。


技术介绍

1、包括电容性传感器设备(例如,触摸板或触摸传感器设备)的输入设备广泛用于各种电子系统中。电容性传感器设备可以包括通常由表面界定的感测区,其中电容性传感器设备确定一个或多个输入对象的存在、位置和/或运动。电容性传感器设备可用于为电子系统提供接口。例如,电容性传感器设备可以用作较大计算系统的输入设备(例如,集成在笔记本或台式计算机中或外设于设备笔记本或台式计算机的不透明触摸板)。电容性传感器设备也通常用于较小的计算系统(例如,集成在蜂窝电话中的触摸屏)中。电容性传感器设备还可以用于检测输入对象(例如,手指、触笔、笔、指纹等)。

2、噪声和/或能量对传感器设备的接收器电极的影响可能是其中有源电路位于接收器电极附近的设备中的问题。例如,在用于指纹感测的硅传感器设备中,总体设备尺寸可以相对紧凑,使得用于传感器设备的有源电路位于接收器电极附近,使得来自有源电路的噪声和/或能量可能对经由接收器电极获得的结果信号产生负面影响。


技术实现思路

1、在示例性实施例中,本申请提供了一种硅传感器设备,其包括多个金属层和多个介电层。多个金属层中的每一个设置在相应的介电层上。多个金属层中的每一个通过相应的介电层与相邻的金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第二金属层,其中第二金属层包括用于多个发射器电极的多个布线迹线;以及设置在第二金属层下方的一个或多个电路层。相应发射器电极的相应布线迹线被配置成屏蔽多个接收器电极的对应于相应发射器电极的宽度的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。多个金属层和多个介电层设置在同一管芯上。

2、在另一示例性实施例中,本申请提供了一种输入感测设备。输入感测设备包括:多个传感器电极,包括多个发射器电极和多个接收器电极;用于多个发射器电极的多个布线迹线;以及耦合到多个传感器电极的处理系统,其中处理系统被配置成通过将感测信号驱动到多个发射器电极上并且经由多个接收器电极获得结果信号来获得感测区中的输入对象的图像。多个发射器电极和多个接收器电极设置在输入感测设备的第一金属层上。所述多个布线迹线设置在设置在所述第一金属层下方的所述输入感测设备的第二金属层上。处理系统的至少一部分设置在设置在第二金属层下方的一个或多个电路层上。相应发射器电极的相应布线迹线被配置成屏蔽多个接收器电极的对应于相应发射器电极的宽度的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。

3、在又一示例性实施例中,本申请提供了一种传感器设备。所述传感器设备包括:多个金属层;和多个介电层,其中所述多个金属层中的每一个设置在相应介电层上,且其中所述多个金属层中的每一个通过相应介电层与相邻金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第二金属层,其中第二金属层包括用于多个发射器电极的多个布线迹线;以及设置在第二金属层下方的一个或多个电路层。相应发射器电极的相应布线迹线被配置成屏蔽多个接收器电极的对应于相应发射器电极的宽度的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。

4、在又一示例性实施例中,本申请提供了一种硅传感器设备。硅传感器设备包括:多个金属层;以及多个介电层。多个金属层中的每一个设置在相应的介电层上,并且其中多个金属层中的每一个通过相应的介电层与相邻金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第二金属层,其中第二金属层包括用于多个发射器电极的多个布线迹线和多个屏蔽块;以及设置在第二金属层下方的一个或多个电路层。多个屏蔽块中的相应屏蔽块被配置成屏蔽多个接收器电极中的相应接收器电极的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。多个金属层和多个介电层设置在同一管芯上。

5、在又一示例性实施例中,本申请提供了一种输入感测设备。输入感测设备包括:多个传感器电极,包括多个发射器电极和多个接收器电极;用于多个发射器电极的多个布线迹线;多个屏蔽块;以及耦合到多个传感器电极的处理系统。处理系统被配置成通过将感测信号驱动到多个发射器电极上并且经由多个接收器电极获得结果信号来获得感测区中的输入对象的图像。多个发射器电极和多个接收器电极设置在输入感测设备的第一金属层上。所述多个布线迹线及所述多个屏蔽块设置在设置在所述第一金属层下方的所述输入感测设备的第二金属层上。处理系统的至少一部分设置在设置在第二金属层下方的一个或多个电路层上。多个屏蔽块中的相应屏蔽块被配置成屏蔽多个接收器电极中的相应接收器电极的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。

6、在又一示例性实施例中,本申请提供了一种传感器设备。所述传感器设备包括:多个金属层;以及多个介电层,其中所述多个金属层中的每一个设置在相应介电层上,且其中所述多个金属层中的每一个通过相应介电层与相邻金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第二金属层,其中第二金属层包括用于多个发射器电极的多个布线迹线和多个屏蔽块;以及设置在第二金属层下方的一个或多个电路层。多个屏蔽块中的相应屏蔽块被配置成屏蔽多个接收器电极中的相应接收器电极的相应部分免受源自一个或多个电路层的能量和/或噪声。

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【技术保护点】

1.一种硅传感器设备,包括:

2.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块连接到所述多个布线迹线。

3.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块不连接到所述多个布线迹线。

4.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块经由屏蔽迹线彼此连接。

5.根据权利要求4所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块和所述屏蔽迹线形成接地平面。

6.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由实心金属形成。

7.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块包括实心金属部分和金属网格部分两者。

8.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由金属网格形成。

9.根据权利要求1所述的硅传感器设备,还包括:

10.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述一个或多个电路层包括:静电放电(ESD)保护电路、模拟前端、传输驱动器电路、电压调节器、随机存取存储器(RAM)、闪存、控制电路、和/或控制器。

11.一种输入感测设备,包括:

12.根据权利要求11所述的输入感测设备,其中所述多个屏蔽块不连接到所述多个布线迹线。

13.根据权利要求11所述的输入感测设备,其中所述多个屏蔽块经由屏蔽迹线彼此连接。

14.根据权利要求11所述的输入感测设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由实心金属形成。

15.根据权利要求11所述的输入感测设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块包括实心金属部分和金属网格部分两者。

16.一种传感器设备,包括:

17.根据权利要求16所述的传感器设备,其中所述多个屏蔽块不连接到所述多个布线迹线。

18.根据权利要求16所述的传感器设备,其中所述多个屏蔽块经由屏蔽迹线彼此连接。

19.根据权利要求16所述的传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由实心金属形成。

20.根据权利要求16所述的传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块包括实心金属部分和金属网格部分两者。

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【技术特征摘要】

1.一种硅传感器设备,包括:

2.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块连接到所述多个布线迹线。

3.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块不连接到所述多个布线迹线。

4.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块经由屏蔽迹线彼此连接。

5.根据权利要求4所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块和所述屏蔽迹线形成接地平面。

6.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由实心金属形成。

7.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块包括实心金属部分和金属网格部分两者。

8.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述多个屏蔽块中的相应屏蔽块由金属网格形成。

9.根据权利要求1所述的硅传感器设备,还包括:

10.根据权利要求1所述的硅传感器设备,其中所述一个或多个电路层包括:静电放电(esd)保护电路、模拟前端、传输驱动器电路、电压调节器、随机存取存储器(ram...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·克雷斯皮K·B·帕特尔B·查拉C·德贝尔蒂沈国重
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司
类型:发明
国别省市:

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