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用于具有屏蔽的跨电容性感测的传感器设备制造技术
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下载用于具有屏蔽的跨电容性感测的传感器设备的技术资料
文档序号:41288410
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硅传感器设备包括:多个金属层;以及多个介电层。多个金属层中的每一个设置在相应的介电层上,并且其中多个金属层中的每一个通过相应的介电层与相邻的金属层分离。多个金属层包括:包括多个发射器电极和多个接收器电极的第一金属层;设置在第一金属层下方的第...
该专利属于辛纳普蒂克斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过辛纳普蒂克斯公司授权不得商用。
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