【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种影像传感器结构。
技术介绍
1、目前，影像传感器广泛应用于许多电子装置(如，智能型手机或数字相机等)，且包括多个像素结构。此外，在对待分析的像素结构进行分析之前，必须先定位出待分析的像素结构的地址(address)。然而，由于目前的像素结构的定位方法(positioning method)常无法准确地对待分析的像素结构进行定位，因此导致后续的分析(如，物理故障分析(physical failure analysis，pfa)无法顺利进行。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种影像传感器结构，其可准确地对待分析的像素结构进行定位。
2、本专利技术提出一种影像传感器结构，包括基底、第一像素结构、第二像素结构、介电层与导电层堆叠。第一像素结构包括第一感光元件。第一感光元件设置在基底中。第二像素结构包括第二感光元件。第二感光元件设置在基底中。介电层设置在基底上。导电层堆叠包括多个导电层。导电层堆叠具有第一开口与第二开口。多个导电层设置在介电层中。第一开口位于第一感光元件的正上方且贯穿多个导电层。第一开口具有第一最小宽度。第二开口位于第二感光元件的正上方且贯穿多个导电层。第二开口具有第二最小宽度。第二开口的第二最小宽度小于第一开口的第一最小宽度。第二像素结构的光通量不同于第一像素结构的光通量。
3、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一像素结构的光通量与第二像素结构的光通量之间的差异量可为第一像素结构的
4、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一像素结构的光通量与第二像素结构的光通量之间的差异量可为第一像素结构的光通量的15％至50％。
5、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一像素结构的光通量与第二像素结构的光通量之间的差异量可为第一像素结构的光通量的15％至20％。
6、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一感光元件与第二感光元件可为光二极管(photodiode)。
7、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，影像传感器结构可为前照式影像传感器(front side illuminated image sensor，fsi image sensor)结构。
8、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一开口的具有第一最小宽度的部分可位于多个导电层的任一个中，且第二开口的具有第二最小宽度的部分可位于多个导电层的任一个中。
9、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，介电层可填入第一开口与第二开口。第一像素结构还可包括第一光管结构。第一光管结构设置在第一开口内部的介电层中。第二像素结构还可包括第二光管结构。第二光管结构设置在第二开口内部的介电层中。
10、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第一开口的具有第一最小宽度的部分可位于多个导电层的任一个中，且第二开口的具有第二最小宽度的部分可位于低于第二光管结构的底部的导电层中。
11、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，可包括像素阵列。像素阵列可包括多个第一像素结构与第二像素结构。
12、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第二像素结构可邻近于像素阵列的边缘。
13、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，第二像素结构可邻近于像素阵列的角落。
14、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，像素阵列可包括多个第二像素结构。多个第二像素结构可彼此相邻。
15、依照本专利技术的一实施例所述，在上述影像传感器结构中，多个第二像素结构的俯视图案可排列成l形或十字形。
16、本专利技术提出另一种影像传感器结构，包括基底、第一像素结构与第二像素结构。第一像素结构包括第一感光元件与光管结构。第一感光元件设置在基底中。光管结构设置在第一感光元件的正上方。第二像素结构包括第二感光元件。第二感光元件设置在基底中。在第二感光元件的正上方不具有任何光管结构。第二像素结构的光通量不同于第一像素结构的光通量。
17、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述影像传感器结构中，光管结构的材料可包括彩色滤光材料。
18、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述影像传感器结构中，光管结构的材料的折射率可大于介电层的材料的折射率。
19、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述影像传感器结构中，影像传感器结构可为前照式影像传感器结构。
20、本专利技术提出另一种影像传感器结构，包括基底、第一像素结构、第二像素结构、介电层与遮光层。基底包括彼此相对的第一面与第二面。第一像素结构包括第一感光元件。第一感光元件设置在基底中。第一感光元件邻近于基底的第一面。第二像素结构包括第二感光元件。第二感光元件设置在基底中。第二像素结构邻近于基底的第一面。介电层设置在基底的第二面上。遮光层设置在介电层中。遮光层具有第一开口与第二开口。第一开口位于第一感光元件的正上方且贯穿遮光层。第一开口具有第一最小宽度。第二开口位于第二感光元件的正上方且贯穿遮光层。第二开口具有第二最小宽度。第二开口的第二最小宽度小于第一开口的第一最小宽度。第二像素结构的光通量不同于第一像素结构的光通量。
21、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述影像传感器结构中，影像传感器结构可为背照式影像传感器(backside illuminated image sensor，bsi image sensor)结构。
22、基于上述，在本专利技术所提出的影像传感器结构中，第二像素结构的光通量不同于第一像素结构的光通量。因此，可使用第二像素结构作为参照点来定位出待分析的第一像素结构的地址。如此一来，可准确地对待分析的第一像素结构进行定位，而有利于进行后续的分析(如，物理故障分析(pfa))，且可改善分析流程，以减少制造成本与制作工艺时间。
23、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种影像传感器结构，包括：
2.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至100％。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至50％。
4.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至20％。
5.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一感光元件与所述第二感光元件包括光二极管。
6.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述影像传感器结构包括前照式影像传感器结构。
7.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中
8.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中
9.如权利要求8所述的影像传感器结构，其中
10.如权利要求1所述的影像传感器结构，包括像素阵列，其中所述像素阵列包括多个所述第一像素
11.如权利要求10所述的影像传感器结构，其中所述第二像素结构邻近于所述像素阵列的边缘。
12.如权利要求11所述的影像传感器结构，其中所述第二像素结构邻近于所述像素阵列的角落。
13.如权利要求10所述的影像传感器结构，其中所述像素阵列包括多个所述第二像素结构，且多个所述第二像素结构彼此相邻。
14.如权利要求13所述的影像传感器结构，其中多个所述第二像素结构的俯视图案排列成L形或十字形。
15.一种影像传感器结构，包括：
16.如权利要求15所述的影像传感器结构，其中所述光管结构的材料包括彩色滤光材料。
17.如权利要求15所述的影像传感器结构，其中所述光管结构的材料的折射率大于所述介电层的材料的折射率。
18.如权利要求15所述的影像传感器结构，其中所述影像传感器结构包括前照式影像传感器结构。
19.一种影像传感器结构，包括：
20.如权利要求19所述的影像传感器结构，其中所述影像传感器结构包括背照式影像传感器结构。
...【技术特征摘要】
1.一种影像传感器结构，包括：
2.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至100％。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至50％。
4.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一像素结构的光通量与所述第二像素结构的光通量之间的差异量为所述第一像素结构的光通量的15％至20％。
5.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述第一感光元件与所述第二感光元件包括光二极管。
6.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中所述影像传感器结构包括前照式影像传感器结构。
7.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中
8.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中
9.如权利要求8所述的影像传感器结构，其中
10.如权利要求1所述的影像传感器结构，包括像素阵列，其中所述像素阵列包括多个所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕儒昇，王依婷，刘明展，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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