【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器装置，特别是涉及一种光传感器。
技术介绍
1、随着技术的快速发展，光电传感器被改进为具有更高的分辨率并适用于各个领域。在一些应用中，光传感器需要在各种环境下运行，例如在弱光环境下、在明亮环境下等等。因此，光传感器的灵敏度对于光传感器的设计和开发来说是相当重要的项目。
技术实现思路
1、本专利技术涉及具有散射结构以提高光传感器的量子效率的光传感器。
2、在本专利技术的一实施例中，光传感器包括感测结构和微透镜。感测结构包括外延层、深沟槽隔离和散射结构。外延层有受照表面和非受照表面。深沟槽隔离位于外延层的边缘。散射结构嵌入在外延层中，并从受照表面向内延伸。散射结构包括第一圆环图案和周边图案。深沟槽隔离环绕散射结构，周边图案与深沟槽隔离相连，第一圆环图案与周边图案自深沟槽隔离分开。微透镜设置在外延层上，其中外延层的受照表面比非受照表面更靠近微透镜。
3、综上所述，根据本专利技术的一些实施例的光传感器具有嵌入在外延层中的散射结构，并且散射结构具有用于散射入射光的复杂图案。因此，入射光的传播路径(即光的光程)被加长，以提高光传感器的量子效率。因此，提高了光传感器的灵敏度。光传感器在相对较弱的光照环境下可能表现良好。
4、为使前述内容更加清楚明白，以下结合附图对几个实施例进行详细说明。
【技术保护点】
1.一种光传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构的材料不同于所述外延层。
3.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构具有锥形侧壁。
4.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述深沟槽隔离的深度不小于所述散射结构的深度。
5.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构还包括第二圆环图案，其中所述第一圆环图案和所述第二圆环图案的中心点相同，并且所述第一圆环图案的半径不同于所述第二圆环图案的半径。
6.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构还包括沿横穿所述第一圆环图案方向延伸的纵贯图案，并且所述纵贯图案延伸穿过所述第一圆环图案的中心点。
7.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述周边图案位于所述纵贯图案的末端处。
8.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述纵贯图案沿与所述感测结构的侧边缘基本平行的方向延伸。
9.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述纵贯图案沿着与所述感测结构的对角线基本平行的方向延伸。
10.根据权利要求6所述的光传
11.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述外延层包括第一掺杂区以及与所述第一掺杂区横向隔开一间隙的第二掺杂区。
12.根据权利要求11所述的光传感器，其中所述感测结构还包括栅极结构和浮置扩散接点，所述栅极结构设置在所述外延层上，对应所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的所述间隙，所述浮置扩散接点设置在所述外延层上，与所述第二掺杂区接触。
13.根据权利要求12所述的光传感器，还包括内连线结构，其中所述内连线结构电连接到所述栅极结构和所述浮置扩散接点。
14.根据权利要求12所述的光传感器，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区被布置在所述外延层的所述非受照表面附近。
15.根据权利要求12所述的光传感器，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区设置在所述外延层的所述受照表面附近。
16.根据权利要求15所述的光传感器，其中所述散射结构嵌入在所述第一掺杂区中。
17.根据权利要求11所述的光传感器，其中所述第一掺杂区包括第一掺杂层和在所述第一掺杂层之上的第二掺杂层，并且所述第一掺杂层的掺杂剂类型和所述第二掺杂层的掺杂剂类型不同。
18.根据权利要求17所述的光传感器，其中所述第二掺杂区的掺杂剂类型与所述第一掺杂层的掺杂剂类型相同。
19.根据权利要求1所述的光传感器，还包括设置在所述微透镜和所述感测结构之间的光学层。
20.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构的顶部与所述外延层的顶部共面。
...【技术特征摘要】
1.一种光传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构的材料不同于所述外延层。
3.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构具有锥形侧壁。
4.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述深沟槽隔离的深度不小于所述散射结构的深度。
5.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构还包括第二圆环图案，其中所述第一圆环图案和所述第二圆环图案的中心点相同，并且所述第一圆环图案的半径不同于所述第二圆环图案的半径。
6.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述散射结构还包括沿横穿所述第一圆环图案方向延伸的纵贯图案，并且所述纵贯图案延伸穿过所述第一圆环图案的中心点。
7.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述周边图案位于所述纵贯图案的末端处。
8.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述纵贯图案沿与所述感测结构的侧边缘基本平行的方向延伸。
9.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述纵贯图案沿着与所述感测结构的对角线基本平行的方向延伸。
10.根据权利要求6所述的光传感器，其中所述纵贯图案中的末端连接到所述深沟槽隔离。
11.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述外延层包括第一掺杂区以及与所述第一掺杂区横向隔开一间隙的第二掺杂区。
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊纳卡，马翊宸，李宥颉，刘致为，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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