半导体元件、半导体封装件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件、半导体封装件及其制造方法，所述方法包含：提供一晶圆，包含：一主动面、一背面、一半导体元件区域及一切割道区域，所述切割道区域具有多个导电柱，其中所述多个导电柱未贯穿至所述晶圆的所述背面；使用刀具对所述晶圆进行切割，以切除所述切割道区域中的部分的所述晶圆及部分的所述多个导电柱，其中所述刀具的宽度小于所述切割道区域的宽度；对所述晶圆的所述背面进行研磨以暴露出所述多个导电柱；及将所述晶圆经由所述切割道区域中被切除的所述晶圆部分分离成多个半导体芯片。本发明专利技术通过将硅穿孔设置于切割道区域，并使用较切割道宽度窄的刀具进行切割，进而提供高集成化的半导体元件、半导体封装件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于半导体元件、半导体封装件及其制造方法，特别是关于一种应用在三维堆叠封装的半导体元件、半导体封装件及其制造方法。

技术介绍

1、目前硅穿孔(through silicon via,tsv)制程主要应用在动态随机存取存储器(dram)和互补金属氧化物半导体(cmos)的堆叠封装，可使封装体积缩小。其制程主要分成前段(feol)、后段(beol)、封装(osat)，前段负责在在硅晶圆蚀刻通孔并进行镀铜，以形成硅穿孔，后段则是进行研磨并镀上锡球，而封装则负责测试及焊锡封装。

2、然而，现在应用端需求的集成电路(integrated circuit，ic)尺寸设计已到3纳米，并准备突破到2纳米。因此，对于可用的面积要求也要提升。

3、因此，有必要提供一种高集成化的半导体元件、半导体封装件及其制造方法，以解决习用技术所存在的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供半导体元件、半导体封装件及其制造方法，本专利技术之一目的在于提供一种高集成化的半导体元件、半导体封装件及其制造本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个导电柱整体设置在所述切割道区域中而未设置在所述半导体元件区域。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，步骤(a)还包含：对所述晶圆进行激光钻孔，以移除部分的所述晶圆的材料，以形成多个通孔，其特征在于，所述多个通孔未贯穿至所述晶圆的所述背面；及

4.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体元件区域具有一金属层延伸至所述切割道区域，其特征在于，当对所述晶圆进行激光钻孔时，激光同时移除部...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述多个导电柱整体设置在所述切割道区域中而未设置在所述半导体元件区域。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，步骤(a)还包含：对所述晶圆进行激光钻孔，以移除部分的所述晶圆的材料，以形成多个通孔，其特征在于，所述多个通孔未贯穿至所述晶圆的所述背面；及

4.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体元件区域具有一金属层延伸至所述切割道区域，其特征在于，当对所述晶圆进行激光钻孔时，激光同时移除部分的所述金属层，使得当所述导电材料填充至所述多个通孔中时，所述多个导电柱与所述金属层形成电性连接。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，步骤(...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖富江，
申请(专利权)人：廖富江，
类型：发明
国别省市：