【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械研磨装置及研磨方法。
技术介绍
1、在产业的元件制造过程中，研磨制作工艺是现今较常使用来使待研磨的物件表面达到平坦化的一种技术。在研磨制作工艺中，物件是通过其本身与研磨垫彼此进行相对运动，而使其表面逐渐平坦，来达到平坦化的目的。此外，也可选择于研磨过程中，供应具有化学品混合物的研磨浆料(polishing slurry)于研磨垫上，例如化学机械研磨(chemicalmechanical polishing，cmp)制作工艺，在机械效应与化学效应共同作用下，达成平坦化研磨物件表面。
2、然而，在将物件压置于研磨垫时，研磨垫会因固定环下压产生的形变而在物件的边缘处形成突起，使得物件在边缘处的研磨轮廓(polishing profile)难以控制。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种化学机械研磨装置及研磨方法，其通过将固定环设计为在邻近晶片和研磨垫的隅角具有缺口，使得研磨垫因固定环下压产生的形变在晶片的边缘处形成的突起位于缺口中，如此能够良好地控制晶片在边缘处的研磨轮廓。
2、本专利技术一实施例提供一种化学机械研磨装置，其包括固定环以及晶片承载台。固定环配置在研磨垫上方且包括界定开口的内侧壁以及与内侧壁相对的外侧壁。晶片承载台配置在研磨垫上且能够将设置于其上的晶片放置在开口中，使得晶片面向研磨垫。固定环在邻近晶片和研磨垫的隅角具有缺口。
3、在一些实施例中，缺口为连续的环状缺口。
4、在一些实施例中，缺口的表面与
5、在一些实施例中，缺口包括邻近研磨垫的第一边缘以及与第一边缘相对的第二边缘。第一边缘与晶片相距一距离，且所述距离为约2mm至约5mm。
6、在一些实施例中，第二边缘相对于第一边缘的水平具有一高度，且所述高度大于晶片的厚度。
7、在一些实施例中，缺口的表面包括曲面。
8、在一些实施例中，内侧壁包括由缺口定义的第一轮廓以及与第一轮廓不同的第二轮廓。
9、在一些实施例中，第一轮廓为曲面轮廓，且第二轮廓为平面轮廓。
10、本专利技术一实施例提供一种研磨方法，其适于用以研磨晶片。所述研磨方法包括：提供如上所述的化学机械研磨装置；对固定环施加第一压力以压置于研磨垫上；对晶片承载台施加第二压力，以将承载于其上的晶片压置于研磨垫上；以及对晶片及研磨垫提供相对运动。
11、在一些实施例中，其中当第一压力和第二压力分别施加于晶片承载台以及固定环上时，研磨垫因形变而在晶片的边缘处形成的突起位于缺口中。
12、基于上述，在上述化学机械研磨装置及研磨方法中，其通过将固定环设计为在邻近晶片和研磨垫的隅角具有缺口，使得研磨垫因形变而在晶片的边缘处形成的突起位于缺口中，如此能够良好地控制晶片在边缘处的研磨轮廓。
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1.一种化学机械研磨装置，包括：
2.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口为连续的环状缺口。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口的表面与所述晶片间隔开一距离，且所述距离在远离于所述研磨垫的方向上逐渐降低。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口包括邻近所述研磨垫的第一边缘以及与所述第一边缘相对的第二边缘，所述第一边缘与所述晶片相距一距离，且所述距离为约2mm至约5mm。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨装置，其中所述第二边缘相对于所述第一边缘的水平具有一高度，且所述高度大于所述晶片的厚度。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口的表面包括曲面。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述内侧壁包括由所述缺口定义的第一轮廓以及与所述第一轮廓不同的第二轮廓。
8.如权利要求7所述的化学机械研磨装置，其中所述第一轮廓为曲面轮廓，且所述第二轮廓为平面轮廓。
9.一种研磨方法，适于用以研磨晶片，所述研磨方法包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨装置，包括：
2.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口为连续的环状缺口。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口的表面与所述晶片间隔开一距离，且所述距离在远离于所述研磨垫的方向上逐渐降低。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其中所述缺口包括邻近所述研磨垫的第一边缘以及与所述第一边缘相对的第二边缘，所述第一边缘与所述晶片相距一距离，且所述距离为约2mm至约5mm。
5.如权利要求4所述的化学机械研磨装置，其中所述第二边缘相对于所述第一边缘的水平具有一高度，且所述高度大于所述晶片的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭祥，颜势锜，施凯侥，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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