半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基础图案、第一半导体层以及栅极结构。第一半导体层设置在基础图案的沟道区上。栅极结构设置在第一半导体层上且包括第一堆叠和第二堆叠。第一堆叠设置在第一半导体层上且包括第二半导体层以及第二半导体层上的第三半导体层。第二堆叠设置在第一堆叠上且包括在第三半导体层上的第四半导体层以及第四半导体层上的导体层。第一堆叠在水平于基础图案顶表面的第一方向上包括邻近漏极区的第一侧壁以及与第一侧壁相对的第二侧壁。第一侧壁在第一方向上与第二堆叠相距第一距离，且第二侧壁在第一方向上与第二堆叠相距第二距离。第一距离和第二距离为大于0的正数，且第一距离大于第二距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法，且特别涉及一种用于高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)的半导体结构。

技术介绍

1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是晶体管的一种。hemt包括由两种具有不同能隙的半导体材料所形成的异质结(hetero junction)。异质结可产生二维电子气(two dimensional electron gas，2-deg)可作为hemt的导电沟道。由于hemt具有低阻值、高击穿电压以及快速开关切换频率等优点，故在高功率电子元件的领域中受到广泛的应用。

2、hemt可依据沟道的常开或常关而分别归类为空乏型(depletion mode)或增强型(enhancement mode)hemt。增强型晶体管元件因为其提供的附加安全性以及其更容易由简单、低成本的驱动电路来控制，故在业界获得相当大的关注。

3、然而，当hemt应用于高功率元件时，hemt的漏极通常会被施加一高电压(例本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体层和所述第三半导体层中的每一者包括掺杂于其中的第一元素，所述第一元素掺杂于所述第一半导体层的浓度大于所述第一元素掺杂于所述第三半导体层的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二半导体层和所述第四半导体层中的每一者包括掺杂于其中的第二元素，所述第二元素掺杂于所述第二半导体层的浓度小于所述第二元素掺杂于所述第四半导体层的浓度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一距离为约0.1μm至约0.5μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体层和所述第三半导体层中的每一者包括掺杂于其中的第一元素，所述第一元素掺杂于所述第一半导体层的浓度大于所述第一元素掺杂于所述第三半导体层的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二半导体层和所述第四半导体层中的每一者包括掺杂于其中的第二元素，所述第二元素掺杂于所述第二半导体层的浓度小于所述第二元素掺杂于所述第四半导体层的浓度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一距离为约0.1μm至约0.5μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述第三堆叠包括与所述第一半导体层接触的第五半导体层以及在所述第五半导体层上的第六半导体层，所述第五半导体层的顶表面包括与所述六半导体层接触的第一区域以及与所述欧姆接触层接触的第二区域。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中所述第二区域的水平面积大于所述第一区域的水平面积。

8.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家豪，周志文，陈辉煌，陈信宏，黄郁仁，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：