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本发明提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基础图案、第一半导体层以及栅极结构。第一半导体层设置在基础图案的沟道区上。栅极结构设置在第一半导体层上且包括第一堆叠和第二堆叠。第一堆叠设置在第一半导体层上且包括第二半导体层以及第二半导体...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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