【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单晶圆清洗装置，尤指一种具备浸泡与清洗蚀刻功能的晶圆旋转清洗装置。
技术介绍
1、现有的清洗制程需要晶圆表面有充分浸泡于清洗用的化学药液中的时间，才能产生有效的化学清洗反应。一般的半导体单晶圆旋转清洗制程设备，无法在晶圆转盘上进行浸泡处理，因此晶圆必需先于专用的浸泡槽体(soaking tank)执行浸泡清洗制程，让药液与晶圆能产生充分化学反应，以进行初步清洗制程。接着，初步清洗后的晶圆经由机械手臂(transfer robot)传送到单晶圆旋转清洗腔体，再进行晶圆旋转清洗与旋干等后续制程。
2、上述多个清洗步骤须将晶圆分别置于不同设备处方能完成，这使得整体清洗制程趋于复杂，进而增加制程时间与生产成本。
3、因此，在当今晶圆清洗制程领域上，迫切需要能连续完成上述复杂清洗步骤，并且将多道清洗步骤整合在单一晶圆清洗装置上进行，以提高制程效率与降低生产成本。
技术实现思路
1、本专利技术主要目的在于提供一种具备浸泡与清洗蚀刻功能的晶圆旋转清洗装置，其在晶圆转盘外围设置一环绕所述晶圆转盘的晶圆承接盘，所述晶圆承接盘可相对所述晶圆转盘升降，并在晶圆承接盘上升位置时让晶圆位于所述晶圆承接盘内的浸泡槽，以达到晶圆充分浸泡于药液中之目的。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种具浸泡与清洗蚀刻功能的晶圆旋转清洗装置，包括：
3、一旋转驱动装置；
4、一晶圆转盘，连接在所述旋转驱动装置上，经由所述旋转驱动装置的驱动而旋转，且
5、一晶圆承接盘，呈环状而环绕设置于所述晶圆转盘外侧，且用于相对所述晶圆转盘上升到一晶圆承接位置或相对所述晶圆转盘下降到一晶圆脱离位置，所述晶圆承接盘具有一底盘部以及一自所述底盘部的外缘突伸出的外环墙部，在所述底盘部与所述外环墙部之间形成一浸泡槽，以用于容纳所述晶圆，在所述晶圆承接盘上贯穿形成有一与所述浸泡槽相连通的容置孔以用于供所述晶圆转盘进出所述容置孔；
6、其中，当所述晶圆承接盘上升到所述晶圆承接位置时，所述底盘部的晶圆接触顶面对齐所述晶圆转盘的所述上表面；当所述晶圆承接盘下降到所述晶圆脱离位置时，所述底盘部的所述晶圆接触顶面低于所述晶圆转盘的所述上表面。
7、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
8、在本专利技术一较佳实施例中，所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
9、在本专利技术一较佳实施例中，所述内环墙部的顶端与所述晶圆接触顶面齐平。
10、在本专利技术一较佳实施例中，所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
11、在本专利技术一较佳实施例中，所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
12、在本专利技术一较佳实施例中，在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
13、在本专利技术一较佳实施例中，所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
14、在本专利技术一较佳实施例中，所述旋转驱动装置上设置一真空帮浦连接埠，且所述晶圆转盘上贯穿形成一与所述真空帮浦连接埠相连通的真空吸孔，且所述真空吸孔用于固定所述晶圆于所述晶圆转盘上。
15、在本专利技术一较佳实施例中，在所述晶圆承接盘的所述外环墙部上设置有至少一突伸入所述浸泡槽内的液体喷嘴。
16、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆承接盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆承接盘，相对所述晶圆转盘进行上升或下降。
17、在本专利技术一较佳实施例中，所述晶圆转盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆转盘，相对所述晶圆承接盘进行上升或下降。
18、在本专利技术一较佳实施例中，所述升降驱动机构固定在所述旋转驱动装置上。
19、在本专利技术一较佳实施例中，所述升降驱动机构为气压缸、液压缸、电磁阀、以及马达的其中一种。
20、在本专利技术一较佳实施例中，所述旋转驱动装置包括一马达，所述马达以一转轴连接所述晶圆转盘以用于驱动所述晶圆转盘进行旋转。
21、本专利技术具浸泡与清洗蚀刻功能的晶圆旋转清洗装置至少具有下列优点：
22、1、本专利技术具浸泡与清洗蚀刻功能的晶圆旋转清洗装置，在晶圆转盘外围设置一环绕所述晶圆转盘的晶圆承接盘，所述晶圆承接盘呈环形而能容纳晶圆转盘，所述晶圆承接盘外缘为高起之外环墙部，当所述晶圆承接盘上升到所述晶圆承接位置而与所述晶圆转盘具相同高度时，所述晶圆承接盘恰可紧密支撑与包围晶圆侧面与底部，并使晶圆封闭所述晶圆承接盘中央的容置孔，使得喷洒在晶圆上方的药液能在所述浸泡槽中维持稳定液位而不会从所述容置孔泄漏流失，进而使药液在浸泡槽中发挥对晶圆进行充分浸泡效果。
23、2、当上述浸泡步骤完成后，所述晶圆承接盘可下降到所述晶圆脱离位置，以使晶圆相对所述晶圆承接盘升起，进而使药液流入所述晶圆承接盘的集液槽，并进一步自排液孔排出。或者，所述容置孔也可设计为具有引流、排液的效果。当所述晶圆承接盘下降到所述晶圆脱离位置后，所述旋转驱动装置可驱动所述晶圆转盘连同被真空吸力固定在所述晶圆转盘上的晶圆进行后续清洗与旋干步骤，以达到对晶圆的旋转清洗与干燥效果。
24、3、根据晶圆制程的需要，由晶圆上方制程喷嘴(process nozzle)注入到所述浸泡槽内到晶圆上的药液可以是清洗液或蚀刻液，也可以是去离子水(deionized water，di水)。若所述药液为蚀刻液，则位于所述晶圆承接位置的所述晶圆承接盘能够维持蚀刻液的液位而使蚀刻液充分发挥清洗蚀刻效果。待清洗蚀刻步骤完成后，所述晶圆承接盘再下降至所述晶圆脱离位置以便使蚀刻液能够自所述晶圆承接盘处排出。
25、4、由上述三点可知，本专利技术的晶圆旋转清洗装置可在相同晶圆转盘上执行单晶圆浸泡、旋转清洗、蚀刻与旋干等连续制程，因此本专利技术可有效避免上述多个连续制程之间须仰赖机械手臂不断移动晶圆到相应的独立装置上进行对应制程步骤的问题，进而达到简化晶圆清洗或蚀刻制程，避免制程间繁复移动晶圆而对晶圆造成损伤的缺点，并进而提升晶圆制程的效率与产率。
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1.一种具备浸泡与清洗蚀刻功能的单晶圆旋转清洗设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
4.根据权利要求3所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述内环墙部的顶端与所述晶圆接触顶面齐平。
5.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
6.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
7.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
8.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
9.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述旋转驱动装置上
10.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中在所述晶圆承接盘的所述外环墙部上设置有至少一突伸入所述浸泡槽内的液体喷嘴。
11.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆承接盘，相对所述晶圆转盘进行上升或下降。
12.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述晶圆转盘连接一升降驱动机构，且所述升降驱动机构用于驱动所述晶圆转盘，相对所述晶圆承接盘进行上升或下降。
13.根据权利要求11或12所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述升降驱动机构固定在所述旋转驱动装置上。
14.根据权利要求11或12所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述升降驱动机构为气压缸、液压缸、电磁阀、以及马达的其中一种。
15.根据权利要求1至10项中任一项所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述旋转驱动装置包括一马达，所述马达以一转轴连接所述晶圆转盘以用于驱动所述晶圆转盘进行旋转。
...【技术特征摘要】
1.一种具备浸泡与清洗蚀刻功能的单晶圆旋转清洗设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述晶圆承接盘的所述底盘部的所述晶圆接触顶面形成有一集液槽，且所述集液槽位于所述浸泡槽下方且与所述浸泡槽相连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述集液槽为环形，且在所述底盘部上形成有一介于所述集液槽与所述容置孔之间的内环墙部。
4.根据权利要求3所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述内环墙部的顶端与所述晶圆接触顶面齐平。
5.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述集液槽与所述外环墙部之间相隔一间距。
6.根据权利要求2所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述底盘部贯穿形成有至少一与所述集液槽相连通的排液孔。
7.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中在所述底盘部的底面上突伸形成有对应各所述排液孔的排放管。
8.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述底盘部的所述晶圆接触顶面为平坦面。
9.根据权利要求1所述的晶圆旋转清洗装置，其中所述旋转驱动装置上设置一真空帮浦...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄立佐，张修凯，吴进原，许明哲，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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