【技术实现步骤摘要】
本揭示是关于一种晶圆清洗设备，特别是关于用于对切割后彼此相间隔之多个晶粒进行清洗的一种晶圆清洗设备。
技术介绍
1、在半导体制造中，晶圆的洗净制程为重要制程，其原因在于，由于切割或是蚀刻等制程所造成的污染若是未洗净，将会严重的影响后续的制程，最终将导致产品异常，使得良率下降。
2、为了确保每一晶圆(wafer)都可清洗干净，可以使用单晶圆清洗设备，对每一晶圆进行清洗。然而，如图1所示，在习知技术中，单片晶圆的清洗多是将晶圆的晶粒71之待清洁表面朝上，以习知清洗设备50清洗各晶粒71凹槽72间的待清洁物60。
3、然而，上述的清洗方式，并无法完整清洁现今的晶圆产品(例如以14奈米后之制程制造之晶圆产品)，或者，需要十分长的时间才能完成晶圆产品的清洁。其原因在于，随着半导体制程的演进，晶片之结构渐趋复杂、且线路越来越细小，表面结构更趋立体化，高深宽比大幅提升。因此，无论是晶圆表面切割凹槽的宽度或是表面结构所产生的间隙皆十分微小。
4、在这种情况之下，若仅以习知的方式或是设备进行晶圆的清洗，凹槽内部的污染物将不易去除。再者，从上方下落的清洁液体，例如去离子水，还会由于晶圆表面不平坦，而容易使得该些污染物产生喷溅，因而交叉污染。因此，需要一种晶圆清洗设备以解决上述习知问题。
技术实现思路
1、基于上述目的，本揭示提供一种晶圆清洗设备，用于对切割后彼此相间隔之多个晶粒及多个晶粒间之待清洁物进行清洗。晶圆清洗设备可包括驱动装置、转盘、吸附装置以及清洗装置。转
2、优选地，本揭示之晶圆清洗设备还包括多个固定装置，多个固定装置设置在转盘上，用以在固定位置固定晶圆框架，或在释放位置释放晶圆框架。
3、优选地，各多个固定装置包括推抵单元、推抵部、转轴及固定部，推抵部与推抵单元相连接，转轴设置在转盘之边缘，转轴位在推抵部及固定部之间。
4、优选地，推抵单元为弹性件，推抵单元对推抵部施加朝向第一方向之力量，各多个固定装置之固定部位在固定位置。
5、优选地，本揭示之晶圆清洗设备还包括至少一个释放机构，释放机构对使推抵部施加朝向第二方向之力量，且第一方向与第二方向相反，固定部位在释放位置。
6、优选地，释放机构为环形机构。
7、优选地，推抵单元包括气压缸、油压扛、马达、螺杆中的一种或多种，推抵单元推抵或牵引推抵部，使固定部位在固定位置或释放位置。
8、优选地，各多个固定装置包括第一端部、转轴及第二端部，第一端部、转轴及第二端部形成一杠杆机构，转轴位在第一端部及第二端部之间，第一端部较第二端部接近转盘之中心，且第一端部之重量大于第二端部之重量。
9、优选地，清洗装置包括喷嘴悬臂及至少一个喷嘴，喷嘴设置在喷嘴悬臂上，且喷嘴由喷嘴悬臂带动在清洗范围内移动。
10、优选地，吸附装置包括多个吸附单元，多个吸附单元对应多个晶粒及晶圆框架之位置设置。
11、本揭示提供了晶圆清洗设备。在本揭示中，单片晶圆设置在晶圆框架中，形成框架晶圆(frame wafer)，以利后续制程，避免晶圆损坏。进一步说明，单片框架晶圆是由转盘(spin chuck)所吸附，使得框架晶圆的被清洗面朝下，并以转盘朝向地面方向的方式(spinchuck face down)，对框架晶圆进行旋转及清洗。另外，由于框架晶圆是固定在转盘下方，因此可进一步使用固定装置固定框架晶圆在转盘上，防止框架晶圆滑动。清洗喷嘴位在设备的底部，并朝上方的框架晶圆施加清洁液体，例如去离子水或是其它药水等。因此在清洗时，污染物可藉由重力进而由框架晶圆中各晶粒间之凹槽往下流出。如此可以防止使用习知技术中使用转盘朝上旋转方式对单晶圆进行清洗，而导致凹槽处的药水喷溅，引起交叉污染。因此本揭示可克服框架晶圆凹槽处难清洗之问题。
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1.一种晶圆清洗设备，用于对切割后彼此相间隔之多个晶粒及所述多个晶粒间之待清洁物进行清洗，其特征在于，所述晶圆清洗设备包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，还包括多个固定装置，所述多个固定装置设置在所述转盘上，用以在固定位置固定所述晶圆框架，或在释放位置释放所述晶圆框架。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，各所述多个固定装置包括推抵单元、推抵部、转轴及固定部，所述推抵部与所述推抵单元相连接，所述转轴设置在所述转盘之边缘，所述转轴位在所述推抵部及所述固定部之间。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述推抵单元为弹性件，所述推抵单元对所述推抵部施加朝向第一方向之力量，各所述多个固定装置之所述固定部位在所述固定位置。
5.如权利要求4所述的晶圆清洗设备，其特征在于，还包括至少一个释放机构，所述释放机构对使所述推抵部施加朝向第二方向之力量，且所述第一方向与第二方向相反，所述固定部位在所述释放位置。
6.如权利要求5所述的晶圆清洗设备，其中所述释放机构为环形机构。
7.如权
8.如权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，各所述多个固定装置包括第一端部、转轴及第二端部，所述第一端部、所述转轴及所述第二端部形成杠杆机构，所述转轴位在所述第一端部及所述第二端部之间，所述第一端部较所述第二端部接近所述转盘之中心，且所述第一端部之重量大于所述第二端部之重量。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述清洗装置包括喷嘴悬臂及至少一个喷嘴，所述喷嘴设置在所述喷嘴悬臂上，且所述喷嘴由所述喷嘴悬臂带动在清洗范围内移动。
10.如权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述吸附装置还包括多个吸附单元，所述多个吸附单元对应所述多个晶粒及所述晶圆框架之位置设置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗设备，用于对切割后彼此相间隔之多个晶粒及所述多个晶粒间之待清洁物进行清洗，其特征在于，所述晶圆清洗设备包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，还包括多个固定装置，所述多个固定装置设置在所述转盘上，用以在固定位置固定所述晶圆框架，或在释放位置释放所述晶圆框架。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，各所述多个固定装置包括推抵单元、推抵部、转轴及固定部，所述推抵部与所述推抵单元相连接，所述转轴设置在所述转盘之边缘，所述转轴位在所述推抵部及所述固定部之间。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述推抵单元为弹性件，所述推抵单元对所述推抵部施加朝向第一方向之力量，各所述多个固定装置之所述固定部位在所述固定位置。
5.如权利要求4所述的晶圆清洗设备，其特征在于，还包括至少一个释放机构，所述释放机构对使所述推抵部施加朝向第二方向之力量，且所述第一方向与第二方向相反，所述固定部位在所述释放位置。...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗恩，邱云正，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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