二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，采用真空镀膜方法在衬底片表面交替镀制由硫化锌和氟化镁形成的三组六层复合膜层，在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理。采用本发明专利技术提供的镀膜方法获得的增透膜透过率高、膜层稳定性高、作用于探测器的信号增幅大。本发明专利技术的镀膜方法所用镀膜材料只有两种，且镀膜工艺相对简单，可广泛应用于二类超晶格红外探测器中光电芯片的衬底部分，实现背增透效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺技术的微纳加工，具体而言，涉及一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法。

技术介绍

1、红外探测器光电芯片是一种能够检测红外线辐射的电子元器件，广泛应用于安防监控、无人机等领域。为了提高红外探测器的灵敏度和性能，背增透工艺被广泛采用。目前主流的增透膜镀膜工艺包括真空蒸镀、离子镀膜和溅射镀膜等。其中，真空蒸镀是一种常用的工艺，其原理是将增透膜材料加热至高温状态，使其蒸发并沉积在基板表面形成薄膜。离子镀膜则是利用离子束轰击增透膜材料，使其离子化并沉积在基板表面。溅射镀膜则是利用高能离子轰击增透膜材料，使其溅射并沉积在基板表面。在材料选择方面，常用的增透膜材料包括硫化锌、硒化锌、氟化镁等。其中，硫化锌膜具有优良的光学性能和机械性能，是一种常用的增透膜材料。

2、现有单层增透膜的反射率较高，不能完全消除反射光，影响探测器的灵敏度和信噪比。而双层增透膜虽然能够有效降低反射率，但是根据镀膜材料选择在制备过程中容易出现膜层剥离、氧化和污染等问题，导致膜层质量不稳定。这些问题都会对光电芯片的性能和稳定性产生影响，具体表现在以下几个方面：1.本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，其特征在于，包含如下步骤：

2.根据权利要求1所述的增透膜镀膜方法，其特征在于，所述步骤(1)中ZnS的生长速率为MgF2的生长速率为

3.根据权利要求1或2所述的增透膜镀膜方法，其特征在于，第一组和第二组ZnS/MgF2膜层生长完成之后，在90℃环境下做15分钟的保温老化再进行下一膜层镀制；所述第一组ZnS/MgF2膜层包括第一层的ZnS和第二层的MgF2，所述第二组ZnS/MgF2膜层包括第三层的ZnS和第四层的MgF2。

4.根据权利要求3所述的增透膜镀膜方法，其特征在于，镀膜前，对镀膜腔体内衬底片进...

【技术特征摘要】

1.一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，其特征在于，包含如下步骤：

2.根据权利要求1所述的增透膜镀膜方法，其特征在于，所述步骤(1)中zns的生长速率为mgf2的生长速率为

3.根据权利要求1或2所述的增透膜镀膜方法，其特征在于，第一组和第二组zns/mgf2膜层生长完成之后，在90℃环境下做15分钟的保温老化再进行下一膜层镀制；所述第一组zns/mgf2膜层包括第一层的zns和第二层的mgf2，所述第二组zns...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凡，高华川，向运来，
申请(专利权)人：浙江超晶晟锐光电有限公司，
类型：发明
国别省市：