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二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法技术
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文档序号:41255193
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本发明公开了一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法,采用真空镀膜方法在衬底片表面交替镀制由硫化锌和氟化镁形成的三组六层复合膜层,在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理。采用本发明提供的镀膜方法获得的增透膜透过率高、膜层稳定性高、作用于...
该专利属于浙江超晶晟锐光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江超晶晟锐光电有限公司授权不得商用。
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