本发明公开了一种控制红外探测器芯片GaSb衬底表面颗粒杂质的方法，包括S1、对红外探测器芯片GaSb衬底进行抛光，用去离子水进行冲洗；S2、将所述抛光后的芯片GaSb衬底干燥完全，之后依次利用丙酮、去离子水重复喷枪清洗；S3、将所述清洗...

本发明涉及一种用于红外探测器杜瓦外壳的多绝缘子钎焊工装，包括底座，所述底座上设有活动套筒，所述活动套筒内部设有杜瓦外壳，所述杜瓦外壳上方套结角度限位环，所述角度限位环中心位置，位于底座的上表面固定设有立柱，所述角度限位环上插接组合石墨支...

本发明公开了一种二类超晶格红外探测芯片增透膜镀膜方法，采用真空镀膜方法在衬底片表面交替镀制由硫化锌和氟化镁形成的三组六层复合膜层，在全部镀膜程序完成之后进行梯度保温老化处理。采用本发明提供的镀膜方法获得的增透膜透过率高、膜层稳定性高、作...

本发明公开了一种用于台面型光电芯片的背部填充方法及其应用，采用与外延层材料热膨胀系数相近的介质对衬底外延片表面刻蚀形成的沟槽回填后，对回填形成的介质膜进行平坦化处理，然后将介质膜指定区域刻蚀开口，使外延层材料暴露出来之后生长金属得到台面...

本发明公开了一种采用复合型材料的制冷型红外探测器冷指部件，包括冷台和冷指，所述冷指的顶端中心对称设置有冷台，所述冷台的材料选择第一预定材料，所述冷指的材料选择第二预定材料；通过非金属高分子材料替换金属材料，降低材料热传导系数，减小杜瓦热...

本发明涉及红外热成像组件减振装置技术领域，且公开了红外热成像组件减振装置，包括底部固定装置和设备固定台，所述底部固定装置上设置与设备固定台连接的辅助机构。该红外热成像组件减振装置，通过设置伸缩杆和辅助弹簧，U型槽内部填充的硅胶既可以用作...

本发明公开一种氧化镁部分稳定氧化锆浆料及其制备方法和应用，称取氧氯化锆晶体溶于去离子水中，加入六水氯化镁形成氯化物混合溶液；向混合溶液中滴加过量的氨水，使氢氧化锆、氢氧化镁沉淀后，离心并反复热水洗涤；干燥并高温煅烧，再加入分散剂和湿磨溶...

本发明公开了一种新型回转体薄壁件的电铸设备，包括电铸槽和电源，所述电铸槽内容纳有电铸液，所述电源位于电铸槽的外侧，所述电铸槽的内侧底部位置设置有加热器；所述电铸槽的内侧安装有带孔支撑板，所述带孔支撑板上安装有多个阳极罩，所述电铸槽的上方...

本发明公开了一种使用多层光刻胶制备复杂三维结构的方法，具体步骤包括：步骤一：在洁净的衬底上涂一层光刻胶，并进行烘烤；步骤二：对上述制备的第一层光刻胶进行精准曝光，曝光出所需底层精确结构后进行短暂放置；步骤三：对放置后的衬底进行第二次涂胶...

本发明公开了一种制冷型红外探测器通过焊接取代陶瓷粘接的封装方法，S1：陶瓷基板底部局部金属化处理，形成金属化区域；S2：金属冷台的结构制备：S3：焊料的制备：使用焊料压紧模具加工锡银焊料，使加工过的焊料能完全置入金属冷台的预留槽内；S4...

本申请公开了一种新型的长波红外探测器，涉及半导体领域。本申请是一种基于平面结构的pπMp型锑化物二类超晶格红外探测器的新型结构，InAs/GaSb超晶格结构作为接触层和吸收层，InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格结构作为势垒层，...

本申请公开了一种新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法，涉及光纤领域。所述新型铋铒共掺石英光纤预制棒，由于芯层采用共掺铒离子和铋原子的二氧化硅材料，通过二者间的相互作用，从而得到近红外发光，并拓宽发光带。由新型铋铒共掺石英光纤预制棒...

本申请公开了一种SiC/SiO2界面结构、SiC MOS器件及其制备方法，涉及金属氧化物半导体场效应管的制备领域。本申请的可以有效抵抗漏电流的SiC/SiO2界面结构，是通过在SiC上生长O终端的SiO2薄膜，得到具有较大导带台阶的界面...

本申请公开了一种可用于热电转换元器件的GaTe薄层材料、应用及制备方法，涉及热电材料应用领域。GaTe薄层材料是在GaTe薄层制备过程中，通过掺杂一定浓度的电子或空穴，使得GaTe薄层材料在N型和P型掺杂的情况下，热电优值达到最大值，实...

本申请公开了一种氮掺杂石墨烯C3N结构在金属离子电池中的应用及金属离子电池的制备方法，涉及金属离子电池领域。本申请是将二维氮掺杂石墨烯C3N作为金属离子电池的阳极材料使用。它是在石墨烯的二维蜂窝晶格结构中均匀地掺杂氮原子，其中N和C原子...