【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，尤其涉及一种daf膜材料及其制造工艺
技术介绍
1、芯片的发展趋势小型化、超薄化、多功能集成化，封装的尺寸也越来越小，越来越薄，越来越多的芯片放在同一个器件中，所以过去用的贴片胶无法满足这些需求，因此就要用daf的技术。在一些特殊应用，无法使用胶水来反复粘结，只能用胶膜粘结，比如存储芯片，快擦型存储器，一般客户使用多层芯片堆叠在一个器件里面，每层芯片底部都通过daf与下面的基板或芯片粘结，这种场景只有daf能够实现。目前，市售的daf膜虽然在芯片封装领域中得到广泛应用，在一定程度上提高芯片封装的质量和效率，但其导热性能相对不足。此外，由于daf膜常以环氧树脂及其固化剂为原料，固化剂的加入易在常温下缓慢反应而固化，温度的升高容易致使daf胶的老化甚至失效，也在一定程度上影响其存储性。
技术实现思路
1、针对芯片封装制程中对切割精度的要求，本专利技术的目的在于提供一种daf膜材料的制造工艺。本专利技术的制造工艺采用涂布和复合工艺，工艺过程简洁高效，制得的daf膜可满足客户需求，具有更高的生产良率。
2、为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种daf膜材料的制造工艺，包括以下步骤：
3、1)过滤调配好的daf膜用胶水；
4、2)将步骤1)中过滤后的daf胶水作脱泡处理；
5、3)将步骤2)中daf胶水使用涂布工艺在基材层上制作成薄膜形态涂层；
6、4)将步骤3)中daf层表面贴覆一层保护膜；p>
7、5)揭离保护膜后将daf膜模切成标准尺寸；
8、6)将步骤5)中模切后的daf膜上贴覆一层uv减粘膜得到daf膜材料。
9、上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
10、1.上述方案中，所述步骤1)中过滤使用滤芯、滤布或者滤袋；所述过滤材料孔径要求在25～50μm；例如25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm；
11、所述过滤材料表面承压≤0.25mpa，例如0.1mpa、0.12mpa、0.14mpa、0.16mpa、0.18mpa、0.20mpa、0.22mpa、0.24mpa、0.25mpa。
12、2.上述方案中，所述步骤2)中所述脱泡处理环境温度在20～40℃，例如20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃、30℃、31℃、32℃、33℃、34℃、35℃、36℃、37℃、38℃、39℃、40℃；
13、所述脱泡处理可以是静置脱泡或真空脱泡；
14、所述静置脱泡时间≥2h，例如3h、4h、5h、6h、7h、8h、9h、10h、11h1、2h、13h、14h、15h等；
15、所述真空脱泡，真空度≥-0.4mpa，脱泡时间25～45min。
16、3.上述方案中，所述步骤3)中涂布头可选用逗号刮刀或者狭缝涂头；
17、daf涂层厚度在15～25μm，例如15μm、16μm、17μm、18μm、19μm、20μm、21μm、22μm、23μm、24μm、25μm；
18、涂层在烘干时选用温度在70～110℃；
19、涂布所用基材为25～75μm的10～75gf/25mm的离型膜。
20、4.上述方案中，所述步骤4)中贴覆采用50～80℃的热贴覆，优选地，贴覆可以是离型膜或者pe、pp保护膜。
21、5.上述方案中，所述步骤5)中模切时daf层被切透，基材层不被切透，模切后尺寸规格为8寸或者12英寸。
22、6.上述方案中，所述步骤6)中uv减粘膜为po基材的丙烯酸胶带结构，所述uv减粘膜粘性≥400gf/25mm。
23、作为本专利技术的优选方案，所述daf膜材料的制造工艺包括如下步骤：
24、1)使用孔径在25～50μm过滤材料过滤调配好的daf膜用胶水；
25、2)将步骤1)中过滤后的daf胶水在20～40℃环境温度下静置脱泡或真空脱泡；
26、3)将步骤2)中daf胶水使用逗号刮刀或者狭缝涂头制作成薄膜形态涂层，在70～110℃温度下烘干；
27、4)将步骤3)中daf层表面在50～80℃温度下的热贴覆一层离型膜或者pe、pp保护膜；
28、5)将步骤4)中在揭离保护膜后将daf膜模切成8寸或者12英寸标准尺寸；
29、6)将步骤5)中模切后多余的边缘排废；
30、7)将步骤6)中模切后的daf膜上贴覆一层粘性≥400gf/25mm的uv减粘膜。
31、本专利技术的目的之二在于提供一种采用目的之一所述的制造工艺得到的daf膜材料。
32、其中作为一种优选方案，所述daf膜材料包括从上至下依次设置的基材层、daf胶层、uv减粘膜层；
33、优选地，所述daf膜材料包括从上至下依次设置基材层、daf胶层、丙烯酸胶层、po膜层；
34、优选地，所述丙烯酸胶层厚度为10-30μm，例如10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、14μm、16μm、17μm、18μm、18μm、20μm、21μm、22μm、23μm、24μm、25μm、25μm、27μm、28μm、29μm、30μm。
35、优选地，所述po膜厚度为100-150μm，例如100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm。
36、由于上述技术方案的运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
37、本专利技术的制造工艺，采用涂布和复合工艺。采用uv减粘膜可以优化切割制程良率，工艺过程简洁高效，制得的daf膜可满足客户需求，具有更高的生产良率。
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1.一种DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤1)中过滤使用滤芯、滤布或者滤袋；所述过滤材料孔径要求在25～50μm；所述过滤材料表面承压≤0.25MPa。
3.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤2)中所述脱泡处理环境温度在20～40℃；所述脱泡处理可以是静置脱泡或真空脱泡；
4.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤3)中涂布头可选用逗号刮刀或者狭缝涂头；
5.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤4)中贴覆采用50～80℃的热贴覆。
6.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤5)中模切时DAF层被切透，基材层不被切透，模切后尺寸规格为8寸或者12英寸。
7.根据权利要求1所述的DAF膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤6)中UV减粘膜为PO基材的丙烯酸胶带结构，所述UV减粘膜粘性≥400gf/25mm。
9.根据权利要求8所述的DAF膜材料，其特征在于：所述DAF膜材料包括从上至下依次设置的基材层、DAF胶层、UV减粘膜层。
10.根据权利要求9所述的DAF膜材料，其特征在于：所述UV减粘膜层包括丙烯酸胶层和PO膜层，所述丙烯酸胶层厚度为10-30μm；所述PO膜厚度为100-150μm。
...【技术特征摘要】
1.一种daf膜材料的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的daf膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤1)中过滤使用滤芯、滤布或者滤袋；所述过滤材料孔径要求在25～50μm；所述过滤材料表面承压≤0.25mpa。
3.根据权利要求1所述的daf膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤2)中所述脱泡处理环境温度在20～40℃；所述脱泡处理可以是静置脱泡或真空脱泡；
4.根据权利要求1所述的daf膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤3)中涂布头可选用逗号刮刀或者狭缝涂头；
5.根据权利要求1所述的daf膜材料的制造工艺，其特征在于：所述步骤4)中贴覆采用50～80℃的热贴覆。
6.根据权利要求1所述的d...
【专利技术属性】
技术研发人员：王少星，张英泉，章小健，
申请(专利权)人：苏州赛伍应用技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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