【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物以及使用所述化学机械抛光浆料组合物对钨进行抛光的方法。
技术介绍
1、用于对衬底的表面进行抛光(或平面化)的方法和化学机械抛光(chemicalmechanical polishing，cmp)组合物在所属领域中是众所周知的。
2、使用cmp组合物对金属层进行抛光的工艺包括以下步骤：对初始金属层进行抛光、对金属层和阻挡层进行抛光、以及对金属层、阻挡层和氧化物膜进行抛光。在对金属层、阻挡层和氧化物膜进行抛光的步骤中，使用用于对经图案化的钨晶片进行抛光的抛光组合物。此处，为了实现经图案化的钨晶片的良好平面化，需要以适当的抛光速率对金属层和氧化物膜进行抛光。
3、用于对半导体衬底上的金属层(例如，钨)进行抛光的抛光组合物可包括悬浮在水溶液中的磨粒颗粒、以及化学加速剂(例如，氧化剂和催化剂)。所述催化剂用于提高相对于钨的抛光速率。已知有几种类型的催化剂可用于cmp应用中。然而，一些催化剂尽管能够提高抛光速率，但其可导致抛光表面的平整度差。
技术实现思路
1、本专利技术的一个方面是提供一种用于对钨进行抛光的cmp浆料组合物，所述cmp浆料组合物能够以高的抛光速率对钨进行抛光，并且能够通过减少例如侵蚀(erosion)等表面缺陷来提高抛光表面的平整度。
2、1、根据本专利技术的一个方面，一种用于对钨进行抛光的cmp浆料组合物包括：至少一种溶剂，选自极性溶剂和非极性溶剂；磨料剂；以及由式3表示的化合物或
3、[式3]
4、
5、其中r1、r2和r3各自独立地是单键或经取代或未经取代c1到c3亚烷基，r4、r5和r6各自独立地是经取代或未经取代c1到c3亚烷基，且m1、m2和m3各自独立地是oh或o-m+(m+是单价阳离子)。
6、2、在实施例1中，所述由式3表示的化合物可为由式3-1表示的化合物或由式3-1表示的化合物与碱金属阳离子的盐。
7、[式3-1]
8、
9、3、在实施例1到2中，所述络合物可通过所述由式3表示的化合物与金属离子的配位键结而形成。
10、4、在实施例1到3中，所述金属离子可为二价铁阳离子(fe2+)或三价铁阳离子(fe3+)。
11、5、在实施例1到4中，所述络合物可为由式4表示的络合物：
12、
13、6、在实施例1到5中，所述由式3表示的化合物或其络合物可以0.001wt％到10wt％的量存在于所述cmp浆料组合物中。
14、7、在实施例1到6中，所述磨料剂可包括选自未改性磨料剂和改性磨料剂中的至少一者。
15、8、在实施例7中，所述改性磨料剂可包括利用具有1到5个氮原子的氨基硅烷进行改性的二氧化硅。
16、9、在实施例1到8中，所述cmp浆料组合物进一步可包括：选自氧化剂、氨基酸和有机酸中的至少一者。
17、10、在实施例9中，所述cmp浆料组合物可包括：0.001wt％到20wt％的所述磨料剂、0.001wt％到10wt％的所述由式3表示的化合物或其络合物、0.001wt％到10wt％的所述有机酸、0.001wt％到10wt％的所述氨基酸和30wt％到99wt％的所述至少一种溶剂。
18、11、在实施例1到10中，所述cmp浆料组合物可具有为2到7的酸碱值(ph)。
19、根据本专利技术的另一方面，一种对钨进行抛光的方法包括使用上述用于对钨进行抛光的cmp浆料组合物对钨进行抛光。
20、本专利技术提供一种用于对钨进行抛光的cmp浆料组合物，所述cmp浆料组合物能够以高的抛光速率对钨进行抛光，并且能够通过减少例如侵蚀等表面缺陷来提高抛光表面的平整度。
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1.一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中由所述式3表示的化合物是由式3-1表示的化合物或由所述式3-1表示的化合物与碱金属阳离子的盐：
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述络合物是通过由所述式3表示的化合物与金属离子的配位键结而形成。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述金属离子是二价铁阳离子或三价铁阳离子。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述络合物是由式4表示的络合物：
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中由所述式3表示的化合物或其所述络合物以0.001wt％到10wt％的量存在于所述化学机械抛光浆料组合物中。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述磨料剂包括选自未改性磨料剂和改性磨料剂中的至少一者。
8.根据权利要求7所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述改性磨料剂包括利用含有1到5个氮原子的氨基硅烷进行改性的二氧化硅。
<...【技术特征摘要】
1.一种用于对钨进行抛光的化学机械抛光浆料组合物，包括：
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中由所述式3表示的化合物是由式3-1表示的化合物或由所述式3-1表示的化合物与碱金属阳离子的盐：
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述络合物是通过由所述式3表示的化合物与金属离子的配位键结而形成。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述金属离子是二价铁阳离子或三价铁阳离子。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述络合物是由式4表示的络合物：
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中由所述式3表示的化合物或其所述络合物以0.001wt％到10wt％的量存在于所述化学机械抛光浆料组合物中。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆料组合物，其中所述磨料剂包括选自未...
【专利技术属性】
技术研发人员：张根三，金元中，朴泰远，李知虎，李义郞，金眞敎，李东炫，李昌锡，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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