【技术实现步骤摘要】
本公开一般地涉及半导体器件，更具体地涉及具有背侧接触结构的晶体管以及形成该晶体管的方法。
技术介绍
1、功率集成电路(ic)被设计为控制宽范围的功率水平，并且在世界电力和能源的调节和分配中发挥着至关重要的作用。功率ic可包括各种半导体器件，诸如场效应晶体管(fet)、双极性结型晶体管(bjt)、和二极管。
2、诸如寄生电感、电容、电导、和电阻的寄生部件的出现，可以组合以衰减和劣化功率ic的电性能，导致较低的器件效率和功率损耗。因此，对于具体的应用，确保寄生部件保持低的或至少可接受的水平是至关重要的。
3、因此，提供了克服或至少减轻上述缺点的解决方案。
技术实现思路
1、为了实现本公开的前述或其他方面，提出了具有背侧接触结构的晶体管及形成该晶体管的方法。
2、根据本公开的一方面，提供了一种晶体管。晶体管包括衬底、第一扩散区域、第一接触结构、第二扩散区域、第二接触结构、以及栅极结构。第一扩散区域在衬底中。第一接触结构在衬底上方，与第一扩散区域电耦接。第一接触结构包括第一导电材料。第二扩散区域在衬底中。第二接触结构在衬底中，与第二扩散区域电耦接。第二接触结构包括与第一导电材料不同的第二导电材料。栅极结构在第一接触结构与第二接触结构之间。
3、根据本公开的另一方面，提供了一种晶体管。晶体管包括衬底、第一扩散区域、第一接触结构、第二扩散区域、第二接触结构、栅极结构、和隔离结构。第一扩散区域在衬底中。第一接触结构在衬底上方，与第一扩散区域电耦接。
4、根据本公开的又一方面，提供了一种形成晶体管的方法。方法包括在衬底中形成第一扩散区域和第二扩散区域，以及在所述衬底上方形成第一接触结构以与所述第一扩散区域电耦接。第一接触结构包括第一导电材料。在衬底中形成第二接触结构以与第二扩散区域电耦接。第二接触结构包括与第一导电材料不同的第二导电材料。在第一接触结构与第二接触结构之间形成栅极结构。
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1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述衬底包括：
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二接触结构包括：
4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述导电芯包括：
5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二导电材料是半导体材料。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述半导体材料是多晶硅。
7.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第三导电材料包括与所述第一导电材料相同的导电材料。
8.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述导电芯的所述第二部分包括与所述背衬底表面基本共面的表面。
9.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述导电芯的所述第一部分具有第一宽度，所述导电芯的所述第二部分具有第二宽度，并且所述第二宽度比所述第一宽度更宽。
10.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述衬底是复合衬底，其包括：
11.根据权利要求4所述的晶体管，进一步包括：
12.一种晶体管，包括：
13.根据权利要求12所述的晶
14.根据权利要求13所述的晶体管，其中，所述第二接触结构包括：
15.根据权利要求14所述的晶体管，其中，所述衬底具有前衬底表面，所述隔离结构具有相对于所述前衬底表面的第一深度，并且所述导电芯的所述第一部分具有比所述第一深度更浅的第二深度。
16.根据权利要求15所述的晶体管，其中，所述隔离结构具有第一宽度，并且所述导电芯的所述第一部分具有比所述第一宽度更窄的第二宽度。
17.一种形成半导体器件的方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述第二接触结构包括：
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述隔离结构和所述第二接触结构的所述第一部分包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述衬底包括：
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第二接触结构包括：
4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述导电芯包括：
5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第二导电材料是半导体材料。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述半导体材料是多晶硅。
7.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述第三导电材料包括与所述第一导电材料相同的导电材料。
8.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述导电芯的所述第二部分包括与所述背衬底表面基本共面的表面。
9.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述导电芯的所述第一部分具有第一宽度，所述导电芯的所述第二部分具有第二宽度，并且所述第二宽度比所述第一宽度更宽。
10.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述衬底是复合衬底，其包括：
11.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：文凤雄，A·J·安东尼奥，具正谋，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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