【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体器件和集成电路制造，更具体地说，涉及用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构和形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。
技术介绍
1、例如，在微波/rf功率放大器中使用的高压集成电路通常需要能够承受更高电压的专用电路技术。横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)器件，也称为延伸漏极金属氧化物半导体(edmos)器件，被设计为通过结合促进了更高电压处理能力的附加晶体管特征(例如提供延伸漏极的漂移阱)来处理这种更高电压。横向扩散金属氧化物半导体器件可以用于例如高压功率开关。
2、需要用于横向扩散金属氧化物半导体器件的改善结构和形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。
技术实现思路
1、在一个实施例中，提供了一种用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构。所述结构包括：半导体衬底，其包括第一阱和位于所述第一阱内的第二阱；源极区，其位于所述第一阱中；以及漏极区，其位于所述第二阱中。所述第一阱具有第一导电类型，并且所述第二阱、所述源极区和所述漏极区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。所述结构还包括位于所述半导体衬底上方的场板和将所述场板连接到所述漏极区的接触。所述场板被定位成与所述漏极区以及与跟所述漏极区相邻的所述第二阱的一部分重叠。所述接触和所述场板包括第一金属。
2、在一个实施例中，提供了一种形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成第一阱；形成位于所述第一阱内的第二阱；形成位于所
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1.一种用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属是钨。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属是钨，并且所述接触和所述场板仅包括钨。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板包括以间隔开的关系布置的多个分段。
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述场板具有长度，并且所述场板的所述多个分段沿着所述场板的所述长度以所述间隔开的关系纵向分布。
6.根据权利要求1所述的结构，还包括：
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一金属是钨，并且所述第二金属是铜或铝。
8.根据权利要求6所述的结构，其中，所述场板具有长度和横向于所述长度的第一宽度，并且所述互连具有小于所述第一宽度的第二宽度。
9.根据权利要求6所述的结构，其中，所述场板沿竖直方向定位在所述互连和所述漏极区之间。
10.根据权利要求6所述的结构，其中，所述互连与所述场板直接接触。
11.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板在横
12.根据权利要求1所述的结构，还包括：
13.根据权利要求12所述的结构，还包括：
14.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板在所述漏极区上方居中。
15.根据权利要求1所述的结构，还包括：
16.根据权利要求15所述的结构，还包括：
17.根据权利要求16所述的结构，其中，所述互连包括不同于所述第一金属的第二金属。
18.根据权利要求17所述的结构，其中，所述第一金属是钨，并且所述第二金属是铜或铝。
19.根据权利要求16所述的结构，其中，所述场板具有第一宽度和横向于所述第一宽度的长度，并且所述互连具有小于所述第一长度的第二宽度。
20.一种形成用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于横向扩散金属氧化物半导体器件的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属是钨。
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一金属是钨，并且所述接触和所述场板仅包括钨。
4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板包括以间隔开的关系布置的多个分段。
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述场板具有长度，并且所述场板的所述多个分段沿着所述场板的所述长度以所述间隔开的关系纵向分布。
6.根据权利要求1所述的结构，还包括：
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一金属是钨，并且所述第二金属是铜或铝。
8.根据权利要求6所述的结构，其中，所述场板具有长度和横向于所述长度的第一宽度，并且所述互连具有小于所述第一宽度的第二宽度。
9.根据权利要求6所述的结构，其中，所述场板沿竖直方向定位在所述互连和所述漏极区之间。
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·K·阿米斯特那，张国伟，H·莱恩维希，J·J·詹姆斯，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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